【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的例示性的实施方式涉及一种清洁方法和等离子体处理方法。
技术介绍
1、作为将附着于用于对在基板处理装置的腔室内设置的基板进行载置的静电保持盘的外周部的沉积物去除的技术，有专利文献1所记载的清洁方法。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2011-054825号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开提供一种对等离子体处理装置中的载置台进行清洁的技术。
3、用于解决问题的方案
4、根据本公开的一个例示性的实施方式，提供一种等离子体处理装置中的清洁方法。所述等离子体处理装置具备：腔室；载置台，其设置于所述腔室内，所述载置台具有载置基板的载置区域；以及电极，其与所述载置区域相向地设置，所述清洁方法包括第一清洁工序和第二清洁工序，所述第一清洁工序包括以下工序：向所述腔室内供给第一处理气体；以及在由所述载置区域和所述电极规定的空间中，从所述第一处理气体生成第一等离子体来对所述载置台中的包括所述载置区域的区域进行清洁，所述第二清洁工序包括以下工序：在距所述载置区域规定的距离的规定位置，以与所述载置区域相向的方式保持所述基板假片；向所述腔室内供给第二处理气体；以及在由保持于所述规定位置的所述基板假片和所述电极规定的空间中，从所述第二处理气体生成第二等离子体来对所述载置台中的包括所述载置区域的周围的区域进行清洁。
5、根据本公开的一个例示性的实施方式，提供一种等离子体处理装
6、根据本公开的一个例示性的实施方式，提供一种等离子体处理装置中的等离子体处理方法。所述等离子体处理装置具备：腔室；载置台，其设置于所述腔室内，所述载置台具有载置基板的载置区域；以及电极，其与所述载置区域相向地设置，所述处理方法包括蚀刻工序和清洁工序，所述蚀刻工序包括以下工序：准备图案基板，所述图案基板具有被蚀刻层、以及形成于所述被蚀刻层上的具有规定的图案的掩模层；将所述图案基板载置于所述载置台的所述载置区域；向所述腔室内供给蚀刻气体；向所述载置台或所述电极供给高频电力，在由所述图案基板和所述电极规定的空间中，从所述蚀刻气体生成等离子体来对所述图案基板进行蚀刻；以及将所述图案基板从所述腔室搬出，所述清洁工序包括以下工序：向所述腔室搬入与所述图案基板不同的基板假片；在距所述载置区域规定的距离的位置，以与所述载置区域相向的方式保持所述基板假片；向所述腔室内供给处理气体；以及在由保持于所述规定位置的所述基板假片和所述电极规定的空间中，从所述处理气体生成等离子体来对所述载置台中的包括所述载置区域的周围的区域进行清洁。
7、专利技术的效果
8、根据本公开的一个例示性的实施方式，能够提供一种对等离子体处理装置中的载置台进行清洁的技术。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种清洁方法，是等离子体处理装置中的清洁方法，
2.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的清洁方法，其中，
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的清洁方法，其中，
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的清洁方法，其中，
6.根据权利要求5所述的清洁方法，其中，
7.根据权利要求6所述的清洁方法，其中，
8.根据权利要求5至7中的任一项所述的清洁方法，其中，
9.根据权利要求5至7中的任一项所述的清洁方法，其中，
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的清洁方法，其中，
11.根据权利要求1至9中的任一项所述的清洁方法，其特征在于，
12.一种清洁方法，是等离子体处理装置中的清洁方法，
13.一种等离子体处理方法，是等离子体处理装置中的等离子体处理方法，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种清洁方法，是等离子体处理装置中的清洁方法，
2.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的清洁方法，其中，
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的清洁方法，其中，
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的清洁方法，其中，
6.根据权利要求5所述的清洁方法，其中，
7.根据权利要求6所述的清洁方法，其中，
【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木淳一，余儒彬，小野寺勇稀，高山贵光，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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