【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
1、
2、专利文献1公开了一种等离子体处理装置，其具有2个高频电源，向腔室上部的天线和基座(susceptor)供给双频的高频电力。从2个高频电源中的一个高频电源向基座供给例如13mhz频率的偏置用的高频电力。在腔室的上方设置有天线，从另一个高频电源向天线供给例如27mhz的等离子体激励用的高频电力。
3、专利文献2公开了一种等离子体处理系统，其包括与等离子体处理腔室耦合的sp(source power)耦合元件和bp(bias power)耦合元件。sp耦合元件例如是天线，构成为能够对其供给源电力(source power)。bp耦合元件例如是静电吸盘，构成为能够对其供给偏置电力(bias power)。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2019-67503号公报
7、专利文献2：美国专利申请公开第2020/0058470号说明书
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本公开的技术使用多个高频电力脉冲信号提高工艺的性能。
3、解决问题的技术手段
4、本公开的一个方式的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其配置在所述等离子体处理腔室内；电极，其配置在所述基片支承部内；第一rf生成部，其构成为与所述等离子体处理腔室耦合且能够生成包括多个主循环的第一rf脉冲信号，各主循环包
5、专利技术效果
6、根据本公开，能够使用多个高频电力脉冲信号提高工艺的性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，
5.根据权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其中，
6.根据权利要求3～5中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
7.根据权利要求3～6中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
8.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，
10.根据权利要求8或9所述的等离子体处理装置，其中，
11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，
12.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，
13.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，
14.根据权利要求8或9所述的等离子体处理装置，其中，
15.根据权利要求14所述的等离子体处理装置，其中，
16.根据权利要
17.根据权利要求1～16中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
18.一种等离子体处理装置，包括：
19.根据权利要求18所述的等离子体处理装置，其中，
20.根据权利要求18或19所述的等离子体处理装置，其中，
21.根据权利要求20所述的等离子体处理装置，其中，
22.根据权利要求20或21所述的等离子体处理装置，其中，
23.根据权利要求18或19所述的等离子体处理装置，其中，
24.根据权利要求23所述的等离子体处理装置，其中，
25.根据权利要求23或24所述的等离子体处理装置，其中，
26.根据权利要求18～25中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
27.一种使用了等离子体处理装置的等离子体处理方法，其中，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种等离子体处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，
5.根据权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其中，
6.根据权利要求3～5中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
7.根据权利要求3～6中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
8.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，
10.根据权利要求8或9所述的等离子体处理装置，其中，
11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，
12.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，
13.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中，
14.根据权利要求8或9所述的等离子体处理装置，其中，
【专利技术属性】
技术研发人员：竹内贵广，高桥正彦，小林宪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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