【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
1、在半导体晶片(下面称为晶片)等基片的表面形成集成电路的层叠结构的半导体装置的制造工序中，进行药液清洗和湿式蚀刻等的液处理。在这样的液处理中将附着在晶片的表面的液体等除去时，近年来，采用使用超临界状态的处理流体的干燥方法(例如参照专利文献1)。在专利文献1中，公开了在超临界干燥方法的流通步骤中，交替地反复进行使处理容器内压力下降的降压阶段和使处理容器内压力上升的升压阶段。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2018-082099号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供能够抑制使用超临界状态的处理流体对基片进行处理的基片处理装置的处理容器内的颗粒的滞留的技术。
3、用于解决技术问题的手段
4、根据本专利技术的一个实施方式，提供一种基片处理装置，其为使用超临界状态的处理流体对基片进行处理的基片处理装置，其特征在于，包...
【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其为使用超临界状态的处理流体对基片进行处理的基片处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
6.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
8.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
9.如权利要求1所述的基片处...
【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其为使用超临界状态的处理流体对基片进行处理的基片处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
6.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
8.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
9.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：福井祥吾，山下刚秀，江村智文，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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