【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基片支承器和基片处理装置。
技术介绍
1、专利文献1公开了一种载置台，其具有用于载置基片的基片载置面和用于载置边缘环的边缘环载置面。在专利文献1所公开的载置台的内部设置有气体供给管，经由该气体供给管向基片的背面与基片载置面之间、以及边缘环的背面与边缘环载置面之间供给氦气等传热气体。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2021-141277号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术的技术能够在对基片进行等离子体处理时，抑制在基片支承部的内部形成的气体扩散空间中的异常放电的产生。
3、用于解决技术问题的手段
4、本专利技术的一个方式是一种基片支承器，其特征在于，包括：能够与至少1个电源电连接的基座；配置在所述基座上的、具有基片支承面的第一电介质部；和以包围所述第一电介质部的方式配置在所述基座上的、具有环支承面的第二电介质部，所述第一电介质部在内部具有：用于向所述基片支承面供给传热气体的第一传热气体扩散空间；在所述第一传热气体扩散空间的上方，以与该第一传热气体扩散空间的至少一部分在纵向上重叠的方式配置的第一电极；和将所述第一电极与所述基座电连接的导电部，所述第二电介质部在内部具有：用于向所述环支承面供给传热气体的第二传热气体扩散空间；和在所述第二传热气体扩散空间的上方，以与该第二传热气体扩散空间的至少一部分在纵向上重叠的方式配置的第二电极，其能够与用于输出与
5、专利技术效果
6、采用本专利技术，能够在对基片进行等离子体处理时，抑制在基片支承部的内部形成的气体扩散空间中的异常放电的产生。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基片支承器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片支承器，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
6.如权利要求1～5中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
8.如权利要求7所述的基片支承器，其特征在于：
9.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：
11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于：
12.如权利要求10或11所述的等离子体处理装置，其特征在于：
13.如权利要求9～12中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
14.如权利要求9～13中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
15.如权利要求9～14中任一项所
16.如权利要求9～15中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
17.如权利要求9～16中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
18.如权利要求17所述的等离子体处理装置，其特征在于：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基片支承器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片支承器，其特征在于：
3.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
6.如权利要求1～5中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
8.如权利要求7所述的基片支承器，其特征在于：
9.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤诚人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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