【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子体处理装置。
技术介绍
1、例如，专利文献1提出了使用电感耦合型的等离子体处理装置的等离子体工艺。例如，在层叠了有机膜、无定形碳膜、氧化硅膜、多晶硅膜等2个以上的膜的层叠膜中，软且薄的膜、硬且厚的膜等混合存在，无法利用电感耦合型的等离子体处理装置一并处理层叠膜的全部膜，有时对每个膜根据特性而使用多个等离子体处理装置。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2019-67503号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供能够在一个等离子体处理装置内进行与多个膜种类相应的蚀刻的技术。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、根据本专利技术的一个方式，提供一种等离子体处理装置，其包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其配置在上述等离子体处理腔室内，包含至少一个电极；配置在上述等离子体处理腔室的上方的天线；第一电源，其构成为能够将第一电信号供给到上述天线，上述第一电信号包含具有第一rf频率的第一rf信号；第二电源，其构成为能够将第二电信号供给到上述至少一个电极，上述第二电信号包含具有第二rf频率的第二rf信号；第三电源，其构成为能够将第三电信号供给到上述至少一个电极，上述第三电信号包含具有比上述第一rf频率和第二rf频率低的第三rf频率的第三rf信号或dc信号；和控制部，其构成为能够控制上述第一电源、上述第二电源和上述第三电源，以选择性地执行第一等离子体处理模式
5、专利技术效果
6、根据一个方面，能够在一个等离子体处理装置内进行与多个膜种类相应的蚀刻。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
11.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
12.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于：
14.根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于：
15.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其
16.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于：
17.根据权利要求16所述的等离子体处理装置，其特征在于：
18.根据权利要求17所述的等离子体处理装置，其特征在于：
19.根据权利要求18所述的等离子体处理装置，其特征在于：
20.根据权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
11.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：松本直树，小林宪，田面木真也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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