本发明提供不使用精细金属掩模而适当地形成由有机材料构成的发光层的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括：工序A，准备在基片表面上形成有的电极阵列的基片；工序B，覆盖整个电极阵列地形成特定种类的发光层；工序C，形成包含覆盖整个发光层...

本技术提供一种基板处理装置，能够尽可能缩短形成于基板的、由含金属抗蚀剂形成的覆膜与大气气氛接触的时间。涂布显影装置(2)具有：作为成膜处理部的涂布单元(U1)，其形成含金属抗蚀剂的覆膜；作为热处理部的热处理单元(U4)，其对覆膜被实施了...

本公开说明能够抑制异物的相对于基板的周缘部的上表面的附着的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备支承部、供给部、环状构件、旋转部、罩构件、以及配置于罩构件的上方的环状的整流构件。环状构件包括倾斜面，该倾斜面在环状构件的径向上随着向...

本发明涉及蚀刻方法及等离子体处理装置。本发明所公开的蚀刻方法包括如下工序：使具有C‑F键的甲硅烷化剂吸附于包含含硅膜的蚀刻对象膜的至少一部分；及对所述蚀刻对象膜进行蚀刻。本发明所公开的等离子体处理装置具备：腔体；基板支承器，其用于在所述...

本披露内容的各方面提供一种用于通过校正晶片形状来改进图案化的叠加对准的方法。例如，该方法可以包括接收晶片，该晶片具有带有至少部分制造的半导体器件的工作表面以及与工作表面相反的背侧表面。该方法还可以包括在背侧表面上形成第一应力源膜。第一应...

本公开涉及一种加工方法以及加工装置。加工方法是加工装置中的基板的加工方法，所述方法包括：在第一磨削部中对所述基板实施第一磨削处理；在第二磨削部中对所述基板实施第二磨削处理；在所述第一磨削部中对所述基板实施第一再次磨削处理；以及在所述第二...

本发明提供一种等离子体处理装置和系统。例示的实施方式的蚀刻方法在基片被载置于等离子体处理装置的腔室内所设置的基片支承台上的状态下执行。该蚀刻方法中为了从腔室内的气体生成等离子体而供给高频电力。接着，为了利用来自等离子体的正离子来蚀刻基片...

本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。本发明的一方式的基片处理装置包括处理槽、混合装置、送液路径和硅溶液供给部。处理槽用于浸渍基片来对其进行处理。混合装置将磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液。送液路径从混合装置向...

本公开提供一种静电保持盘、基板处理装置以及静电保持盘的制造方法，能够抑制支承的基板的损伤。静电保持盘具备支承基板的支承面。所述支承面通过形成为相同高度的多个突起部在面方向上排列而构成。在所述多个突起部的至少最顶部具有被实施研磨而成的研磨...

在本发明的等离子体处理装置中，偏置电源在由第1时钟信号指定的时刻向基片支承部供给具有偏置频率的电偏置能量。高频电源在电偏置能量被供给至基片支承部时，输出具有在由第2时钟信号指定的时刻调节了的源频率的源高频电力。第2时钟信号具有比偏置频率...

本发明提供拍摄组件及其安装结构、基片处理装置和拍摄方法。拍摄组件经由设置在腔室的壁部的窗部对腔室内进行拍摄，包括：设置在拍摄方向前方的拍摄部，其具有接收来自腔室内的光的受光部；和收纳拍摄部的壳体，壳体包括：呈筒状的外侧壳体部；配置在外侧...

本公开提供一种静电保持盘、基板处理装置以及静电保持盘的制造方法，能够抑制基板处理的不均。静电保持盘具备支承基板的支承面。所述支承面通过形成为相同高度的多个突起部在面方向上排列而构成。彼此相邻的所述多个突起部彼此间的间隔的范围为0.2mm...

等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，向腔室内的基板支承部上提供具有含碳膜和形成于含碳膜的含硅掩模的基板；工序(b)，向基板支承部供给制冷剂来控制基板支承部的温度；工序(c)，向腔室内供给处理气体；以及工序(d)，在进行着工序(b)...

本发明提供一种处理条件设定方法、存储介质和基板处理系统，本方法包括：利用基板处理系统内的摄像装置拍摄作为条件设定的基准的基准基板，取得基准基板的拍摄图像的工序；利用摄像装置拍摄在现在的处理条件进行了规定的处理的已处理基板，取得已处理基板...

本公开的一个方式的基板处理装置具备处理单元(40)、测定单元(60)以及控制部(31)。处理单元(40)一边保持在一对基板彼此之间形成有能量吸收层(E)的重叠基板(T)中的一个基板，一边对能量吸收层(E)施加热能和光能中的至少一方来剥离...

提供处理装置和处理方法。具备：保持部，其保持处理对象体；改性部，其向处理对象体的内部照射激光，来沿面方向形成多个聚光点；移动机构，其使保持部和改性部在水平方向上相对地移动；旋转机构，其使保持部和改性部相对地旋转；以及控制部，控制在处理对...

披露了一种加工衬底的方法，该方法包括在衬底上形成极紫外(EUV)‑活性光致抗蚀剂膜，该膜包含以烷氧基封端的金属氧化物网络，以及用EUV光刻图案化EUV‑活性光致抗蚀剂膜。

提供改性层形成装置和基板处理方法。基板处理系统具有：改性层形成装置，其沿着基板中的、去除对象的周缘部与中央部之间的边界在基板的内部形成改性层；以及周缘去除装置，其以所述改性层为基点去除所述周缘部。

能够与曝光装置(5)连接的基片处理系统(1)包括：用于对基片进行处理的基片处理装置(2)；和用于连接所述基片处理装置和所述曝光装置的第1供给路径(110)，其能够将在所述基片处理装置中使用后的冷却水供给至所述曝光装置。采用该结构，能够减...

提供基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质。该基板处理系统具有：改性层形成装置，其沿着基板中的、去除对象的周缘部与中央部之间的边界在基板的内部形成改性层；以及周缘去除装置，其以所述改性层为基点去除所述周缘部。