改性层形成装置和基板处理方法制造方法及图纸

提供改性层形成装置和基板处理方法。基板处理系统具有：改性层形成装置，其沿着基板中的、去除对象的周缘部与中央部之间的边界在基板的内部形成改性层；以及周缘去除装置，其以所述改性层为基点去除所述周缘部。

【技术实现步骤摘要】

(关联申请的相互参照)本申请基于2018年3月14日向日本申请的日本特愿2018－47159号和2018年4月27日向日本申请的日本特愿2018－87711号主张优先权，并将它们的内容引用到本说明书中。本专利技术涉及基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质。

技术介绍

1、近年来，在半导体器件的制造工序中，针对在表面形成有多个电子电路等器件的半导体晶圆(以下，称为晶圆)，进行磨削该晶圆的背面来使晶圆薄化的处理。而且，在对该薄化了的晶圆直接进行输送、进行后续的处理时，有可能在晶圆发生翘曲、破裂。因此，为了加强晶圆，例如进行将晶圆粘贴于支承基板的处理。

2、然而，通常晶圆的周缘部被进行倒角加工，但在如上述那样对晶圆进行磨削处理时，晶圆的周缘部成为锐利地尖的形状(所谓的刀刃形状)。于是，有可能在晶圆的周缘部产生碎裂，使晶圆受到损伤。因此，在磨削处理前预先进行去除晶圆的周缘部的、所谓的边缘修整。

3、例如在专利文献1中，作为进行边缘修整的装置，公开有纵轴型的端面磨削装置。在使用该端面磨削装置对晶圆的周缘部进行磨削的情况下，首先，使粘贴有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改性层形成装置，用于对第1基板和第2基板接合而成的层叠基板进行处理，所述改性层形成装置进行以下处理：

2.根据权利要求1所述的改性层形成装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的改性层形成装置，其中，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的改性层形成装置，其中，

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的改性层形成装置，其中，

6.根据权利要求1～4中的任一项所述的改性层形成装置，其中，

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的改性层形成装置，其中，

8.根据权利要求1～6中的任一项所述的改性层形成装置...

【技术特征摘要】

1.一种改性层形成装置，用于对第1基板和第2基板接合而成的层叠基板进行处理，所述改性层形成装置进行以下处理：

2.根据权利要求1所述的改性层形成装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的改性层形成装置，其中，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的改性层形成装置，其中，

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的改性层形成装置，其中，

6.根据权利要求1～4中的任一项所述的改性层形成装置，其中，

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的改性层形成装置，其中，

8.根据权利要求1～6中的任一项所述的改性层形成装置，其中，

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的改性层形成装置，其中，

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的改性层形成装置，其中，

11.根据权利要求10所述的改性层形成装置，其中，

12.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：田之上隼斗，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：