【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及极紫外(euv)光刻，并且在具体的实施例中，涉及euv活性膜及其形成方法。
技术介绍
1、通常，半导体装置如集成电路(ic)是通过在半导体衬底之上依次沉积和图案化介电材料层、导电材料层和半导体材料层以形成集成在整体结构中的电子部件和互连元件(例如，晶体管、电阻器、电容器、金属线、触点和通孔)的网络来制造的。在每个连续的技术节点上，通过将部件堆积密度大约加倍来缩小最小特征尺寸以降低成本。
2、常见的图案化方法是使用光刻工艺将目标层上的光致抗蚀剂涂层曝光于光化辐射图案下，并且然后将浮雕图案转移到目标层或目标层上形成的下层硬掩模层上。使用这种技术，最小特征尺寸将受到光学系统分辨率的限制。因此，7nm和5nm技术节点的特征尺寸的缩放可能需要13.5nm极紫外(euv)光刻。可能需要euv光刻技术的创新来满足在亚10nm节点体系下进行图案化的成本和品质要求。
技术实现思路
1、根据本专利技术的实施例，一种加工衬底的方法，该方法包括在衬底上形成极紫外(euv)-活性光致...
【技术保护点】
1.一种加工衬底的方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中，这些烷氧基中的一个或多个在相对于氧的β位包含氢。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该金属氧化物是氧化锡。
4.如权利要求1所述的方法，其中，这些烷氧基包括乙氧基、异丙氧基、叔丁氧基、环己基烷氧基、环己烯烷氧基、或环己二烯烷氧基。
5.如权利要求1所述的方法，其进一步包括由金属前体形成以这些烷氧基中的一个或多个封端的金属化合物，该金属化合物是用于形成该网络的中间体，其中由该金属前体形成该金属化合物包括：
6.如权利要求1所述的方法，其中，...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种加工衬底的方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中，这些烷氧基中的一个或多个在相对于氧的β位包含氢。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该金属氧化物是氧化锡。
4.如权利要求1所述的方法，其中，这些烷氧基包括乙氧基、异丙氧基、叔丁氧基、环己基烷氧基、环己烯烷氧基、或环己二烯烷氧基。
5.如权利要求1所述的方法，其进一步包括由金属前体形成以这些烷氧基中的一个或多个封端的金属化合物，该金属化合物是用于形成该网络的中间体，其中由该金属前体形成该金属化合物包括：
6.如权利要求1所述的方法，其中，形成该euv-活性光致抗蚀剂膜包括：
7.如权利要求6所述的方法，其中，该氧化剂包括氧、臭氧、水、空气、或过氧化氢。
8.如权利要求6所述的方法，其中，将该蒸汽和该氧化剂同时引入容纳该衬底的加工室中。
9.如权利要求1所述的方法，其中，该形成包括：
10.如权利要求1所述的方法，其中，图案化该euv-活性光致抗蚀剂膜包括：
11.一种在等离子体加工室中加工衬底的方法，该方法包括：
12.如权利要求11所述的方法，其中，该euv金属是锡，其中将该衬底暴露于该第一蒸汽包括将该锡前体化学吸附到该衬底上，其中将该衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特·克拉克，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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