使用应力源膜的精度多轴光刻对准校正制造技术

本披露内容的各方面提供一种用于通过校正晶片形状来改进图案化的叠加对准的方法。例如，该方法可以包括接收晶片，该晶片具有带有至少部分制造的半导体器件的工作表面以及与工作表面相反的背侧表面。该方法还可以包括在背侧表面上形成第一应力源膜。第一应力源膜可以修改跨越晶片的工作表面的第一方向上的工作表面的叠加对准。该方法还可以包括在晶片的工作表面上形成一个或多个第一半导体结构。第一半导体结构在第一方向上对准。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本披露内容涉及半导体制造，更特别地涉及晶片弯曲、翘曲和整体晶片形状。

技术介绍

1、本文提供的
技术介绍
描述是为了总体上呈现本披露内容的背景。当前专利技术人的工作在本
技术介绍
部分中所描述的程度上、以及在提交时间时可能不被认定为现有技术的本说明的方面，既没有明确地也没有隐含地承认是针对本披露内容的现有技术。

2、半导体制造涉及多个不同的步骤和工艺。一种典型的制造工艺称为光刻法(也称为微光刻法)。光刻法使用如紫外线或者可见光等辐射来在半导体器件设计中生成精细的图案。可以使用包括光刻法、刻蚀、膜沉积、表面清洁、金属化等等的半导体制造技术来构造如二极管、晶体管和集成电路等许多类型的半导体器件。

3、曝光系统(也称为工具)被用于实施光刻技术。曝光系统通常包括照射系统、用于产生电路图案的掩模版(也称为光掩模)或者空间光调制器(slm)、投射系统以及用于对准被光敏抗蚀剂所覆盖的半导体晶片的晶片对准台。照射系统以(优选)矩形槽照射场照射掩模版或slm的区域。投射系统将掩模版图案的被照射区域的图像投射到晶片上。为了实现准确的投射，将在相对较平整或平坦(本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种方法，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其中，该第二方向相对于该第一方向旋转至少15度。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该第二方向相对于该第一方向旋转45度。

4.如权利要求2所述的方法，其中，该第二方向正交于该第一方向。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

6.如权利要求5所述的方法，其中，该第一应力源膜和该第二应力源膜是在光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(LELE)工艺或光刻-冻结-光刻-蚀刻(LFLE)工艺中形成的。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

8.如权利要求7所述的方法，其...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种方法，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其中，该第二方向相对于该第一方向旋转至少15度。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该第二方向相对于该第一方向旋转45度。

4.如权利要求2所述的方法，其中，该第二方向正交于该第一方向。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

6.如权利要求5所述的方法，其中，该第一应力源膜和该第二应力源膜是在光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(lele)工艺或光刻-冻结-光刻-蚀刻(lfle)工艺中形成的。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

8.如权利要求7所述的方法，其中，该第一应力源膜和该第二应力源膜是在lele工艺或lfle工艺中形成的。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

10.如权利要求9所述的方法，其中，该第一应力源膜和该第二应力源膜是在光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(lele)工艺或光刻-冻结-光刻-蚀刻(lfle)工艺中形成的。

11.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔·富尔福德，安东尼·舍皮斯，马克·I·加德纳，安东·德维莱尔，H·吉姆·富尔福德，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：