等离子体处理方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本公开涉及一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高等离子体工艺的效率。等离子体处理方法包括工序(a)、工序(b)以及工序(c)。在工序(a)中，在周期性地重复进行向腔室的处理气体的供给以及所述腔室内的排气的等离子体处理中，通过检测所述腔室内的发光强度的传感器来获取由所述腔室内的所述处理气体电离所得的自由基的发光强度。在工序(b)中，获取设为发光强度的目标的设定值。在工序(c)中，基于通过所述工序(a)获取到的所述发光强度和通过所述工序(b)获取到的所述设定值，来计算使所述发光强度接近所述设定值的所述等离子体处理的处理条件。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。

技术介绍

1、在下述的专利文献1中公开了“一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：处理容器；气体供给系统，其向所述处理容器内供给气体；高频产生源，其向所述处理容器内导入等离子体产生用的高频；以及控制装置，其控制所述气体供给系统和所述高频产生源，其中，所述控制装置在第一步骤中以第一能量条件驱动所述高频产生源，在第二步骤中以第二能量条件驱动所述高频产生源，在所述第一步骤与所述第二步骤的切换时刻之前切换从所述气体供给系统向所述处理容器内供给的气体种类，并且将紧接切换之后的初始期间的气体流量设定为比经过所述初始期间后的稳定期间的气体流量大。”。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016-027592号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、本公开提供一种提高等离子体工艺的效率的技术。

3、用于解决问题的方案

4、基于本公开的一个方式的等离子体处理方法包括工序a、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

5.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，

7.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，

8.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，

9.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

10.根据权利要求1所述的等离子体处理方...

【技术特征摘要】

1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

5.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：山本能吏，田村淳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：