等离子体成膜装置和等离子体成膜方法制造方法及图纸

提供了一种通过等离子体在基板上的期望位置进行局部成膜的技术。等离子体成膜装置具备：腔室、在腔室中支撑基板的基板支撑部、向基板支撑部上的区域供给等离子体化的第一气体的第一喷嘴、向腔室内供给与第一气体反应的第二气体的第二喷嘴和使第二喷嘴相对于基板支撑部进行相对移动的移动部，第一气体与第二气体在腔室内反应，在被所述基板支撑部支撑的基板的规定位置形成膜，规定位置构成为基于第二喷嘴相对于基板支撑部的相对位置来确定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开的示例性实施方式涉及等离子体成膜装置和等离子体成膜方法。

技术介绍

1、在将处理气体等离子体化进行成膜处理时，作为防止等离子体脉动的技术，存在专利文献1所记载的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2004-183071号公报

技术实现思路

1、本公开提供了一种通过等离子体在基板上的期望位置进行局部成膜的技术。

2、在本公开的一个示例性实施方式中，提供了一种等离子体成膜装置，具备：腔室、在腔室中支撑基板的基板支撑部、向基板支撑部上的区域供给等离子体化的第一气体的第一喷嘴、向腔室内供给与第一气体反应的第二气体的第二喷嘴和使第二喷嘴相对于基板支撑部进行相对移动的移动部，第一气体与第二气体在腔室内反应，在所述基板支撑部支撑的基板的规定位置形成膜，规定位置构成为基于第二喷嘴相对于基板支撑部的相对位置来确定。

3、专利技术效果

4、根据本公开的一个示例性实施方式，能够提供一种通过等离子体在基板上进行局部成膜的技术。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子体成膜装置，具备：

2.根据权利要求1所述的等离子体成膜装置，其中，

3.根据权利要求2所述的等离子体成膜装置，其中，

4.一种等离子体成膜装置，具备：

5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体成膜装置，其中，

6.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体成膜装置，其中，

7.一种等离子体成膜方法，所述等离子体成膜方法在等离子体成膜装置中执行，所述等离子体成膜装置具备：

8.根据权利要求7所述的等离子体成膜方法，其中，

9.一种等离子体成膜方法，所述等离子体成膜方法在等离子体...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种等离子体成膜装置，具备：

2.根据权利要求1所述的等离子体成膜装置，其中，

3.根据权利要求2所述的等离子体成膜装置，其中，

4.一种等离子体成膜装置，具备：

5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体成膜装置，其中，

6.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体成膜装置，其中，

7.一种等离子体成膜方法，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：深泽笃毅，前原大树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：