等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够对在腔室内的减压环境下成为高温的构件进行冷却的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置具备腔室。腔室提供有内部空间。一个以上的第1构件以其各自的至少一部分暴露于包括内部空间在内的减压环境的方式设置。一个以上的第1构件包含于腔室，或相对于腔室独立设置。一个以上的第2构件与一个以上的第1构件分别相接触。一个以上的第2构件各自的至少一部分配置于大气压环境下。一个以上的供给器分别向设置于一个以上的第2构件的所对应的第2构件中的空腔供给制冷剂。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施方式涉及一种等离子体处理装置。

技术介绍

1、在电子器件的制造中使用了等离子体处理装置。等离子体处理装置通过使供给到腔室中的气体激发，而生成等离子体。基板被来自所生成的等离子体的化学种态(日语：化学種)处理。

2、作为等离子体处理装置，公知有专利文献1所记载的等离子体处理装置。专利文献1所记载的等离子体处理装置具备腔室、载置台、上部电极、第1高频电源以及第2高频电源。载置台设置于腔室的内部空间中。载置台支承载置于该载置台之上的基板。载置台提供有下部电极。上部电极设置于载置台的上方。第1高频电源向下部电极供给高频电力，以便生成等离子体。第2高频电源向下部电极供给高频电力(偏压用的高频电力)，以便吸引离子。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特许第5759718号说明书

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、为了提高在等离子体处理装置中所执行的等离子体蚀刻的蚀刻速度，有时采用增大偏压用的高频电力的电力水平的对策。在利用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子体处理装置，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述制冷剂是水。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，还包括布置在所述第2导体构件中的配管，

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，所述配管布置在所述第2导体构件中所形成的槽中。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述制冷剂是空气。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述第1导体构件由铝材料形成。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，所述加热器包括电阻加热元件。

8.根...

【技术特征摘要】

1.一种等离子体处理装置，包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述制冷剂是水。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，还包括布置在所述第2导体构件中的配管，

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其中，所述配管布置在所述第2导体构件中所形成的槽中。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述制冷剂是空气。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述第1导体构件由铝材料形成。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，所述加热器包括电阻加热元件。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中，所述第2导体构件由铝材料形成。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述第2导体构件暴露于大气压环境。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述第2导体构件...

【专利技术属性】
技术研发人员：早坂友辅，山边周平，田丸直树，吉村启佑，坪井恭，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：