基片处理装置的颗粒除去方法和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在使用超临界状态的处理流体使基片干燥的基片处理装置中，抑制因附着于处理流体的供给管线的颗粒喷出到处理空间而污染产品基片的技术。本发明专利技术的基片处理装置的颗粒除去方法包括：升压工序、流通工序和颗粒除去工序。升压工序在第二开闭阀和第三开闭阀关闭的状态下从第一供给管线对处理空间供给清洁化后的流体，从而使处理空间的压力上升。流通工序在升压工序后通过打开第二开闭阀和第三开闭阀，将处理流体从第二供给管线供给到处理空间并将其从排出管线排出。颗粒除去工序在升压工序中通过打开后关闭第二开闭阀，使得在第二供给管线内产生抵抗处理空间的压力的清洁化后的流体的流动。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基片处理装置的颗粒除去方法和基片处理装置。

技术介绍

1、一直以来，已知有如下技术：在利用液体对半导体晶片等基片的正面进行了处理后的干燥工序中，使正面被液体润湿了的状态的基片与超临界状态的处理流体接触，来使基片干燥。

2、专利文献1公开了一种基片处理装置，其包括：收纳基片的腔室；上部供给口，其与腔室的上部连接并用于对基片的正面供给超临界流体；和下部供给口，其与腔室的下部连接并用于对基片的背面供给超临界流体。另外，专利文献1中记载了如下技术：为了防止从上部供给口供给的处理流体液化而落下到基片，首先从下部供给口对腔室供给处理流体来使腔室的内部压力达到临界压力。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2013-251550号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术问题

2、本专利技术提供一种技术，其在使用超临界状态的处理流体使基片干燥的基片处理装置中，抑制因附着于处理流体的供给管线的颗粒喷出到处理空间而污染产品基片的情况本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：

2.如权利要求1所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：

3.如权利要求1所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：

5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：

6.如权利要求5所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：

7.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：

8.如权利要求1～3中任一项所述的基片处...

【技术特征摘要】

1.一种基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：

2.如权利要求1所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：

3.如权利要求1所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置的颗粒除去方法，其特征在于：

5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处...

【专利技术属性】
技术研发人员：福井祥吾，五师源太郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：