【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基片支承器和等离子体处理装置。
技术介绍
1、在专利文献1中公开了包括用于支承基片和边缘环的静电吸盘的载置台。专利文献1所公开的静电吸盘具有吸附电极，当对吸附电极施加直流电压时产生静电引力，利用该静电引力保持基片。另外，静电吸盘具有能够被施加离子引入用的偏置功率的偏置电极。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020-205379号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术的技术在具有静电吸盘和传热气体的流路的基片支承器中抑制异常放电的产生。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、本专利技术的一个方式是基片支承器，其包括：用于支承基片和边缘环的静电吸盘；和支承上述静电吸盘的基座，上述静电吸盘包括：第一区域，其构成为具有第一上表面，能够支承载置在上述第一上表面之上的基片；第二区域，其构成为具有第二上表面，设置于上述第一区域的周围，能够支承载置在上述第二上表面之上的边缘环；第一电极，其设置于上述第一区域，能够被施加直流电压；第二电极，其设置于上述第一电极的下部，能够被供给第一偏置功率；第三电极，其设置于上述第二电极的下部，能够被供给上述第一偏置功率；和第一气体供给路径，其配置于上述第二电极与上述第三电极之间，上述基片支承器还具有第一功率供给路径，上述第一功率供给路径与上述第二电极和上述第三电极电接触，供给上述第一偏置功率。
5、专利技术效果
...【技术保护点】
1.一种基片支承器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片支承器，其特征在于：
3.如权利要求2所述的基片支承器，其特征在于：
4.如权利要求3所述的基片支承器，其特征在于：
5.如权利要求4所述的基片支承器，其特征在于：
6.如权利要求4所述的基片支承器，其特征在于：
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
8.如权利要求7所述的基片支承器，其特征在于：
9.如权利要求8所述的基片支承器，其特征在于：
10.如权利要求9所述的基片支承器，其特征在于：
11.如权利要求9所述的基片支承器，其特征在于：
12.如权利要求7～11中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
13.如权利要求7～12中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
14.如权利要求13所述的基片支承器，其特征在于：
15.如权利要求7～14中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
16.如权利要求7～15中任一项所
17.如权利要求1～16中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
18.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基片支承器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片支承器，其特征在于：
3.如权利要求2所述的基片支承器，其特征在于：
4.如权利要求3所述的基片支承器，其特征在于：
5.如权利要求4所述的基片支承器，其特征在于：
6.如权利要求4所述的基片支承器，其特征在于：
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片支承器，其特征在于：
8.如权利要求7所述的基片支承器，其特征在于：
9.如权利要求8所述的基片支承器，其特征在于：
10.如权利要求9所述的基片支承器，...
【专利技术属性】
技术研发人员：山口伸，佐藤大树，金泽和志，加藤诚人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。