【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的例示性的实施方式涉及基片处理方法和等离子体处理装置。
技术介绍
1、在基片处理中，有时会对掩模的形状进行调整。下述的专利文献1公开了在掩模上形成膜，接着在基片的表面形成反应层，之后将反应层除去的技术。
2、专利文献2公开了利用从含碳氟化合物的气体生成的等离子体，对含硅膜进行蚀刻的方法。在该方法中，首先，将含硅膜蚀刻至中途。之后，在含硅膜上不生成等离子体地形成含碳膜。之后，对形成有含碳膜的含硅膜进一步进行蚀刻。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2020-088355号公报
6、专利文献2：日本特开2016-21546号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供用于对基片的提供开口的区域的形状进行调整的技术。
3、用于解决技术问题的手段
4、在一个例示性的实施方式中，提供一种基片处理方法。基片处理方法包括准备基片的工序(a)。基片具有：第...
【技术保护点】
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：
4.如权利要求3所述的基片处理方法，其特征在于：
5.如权利要求2～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
6.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
7.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：
9.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：<...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：
4.如权利要求3所述的基片处理方法，其特征在于：
5.如权利要求2～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
6.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
7.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：
...【专利技术属性】
技术研发人员：胜沼隆幸，本田昌伸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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