本发明提供一种流体控制装置和基板处理装置，能够在短时间内供给大流量的处理气体。基于本公开的一个方式的流体控制装置用于控制向处理容器内供给的流体，所述流体控制装置具备：流路块；以及流体控制设备，其安装于所述流路块，其中，所述流路块具有：气...

本发明提供一种基板处理装置。本发明还提供一种提高设置于静电吸盘内的加热器的温度控制的精度的等离子体处理装置。在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中，按照以第一频率规定的周期向基板支承器的下部电极供给脉冲状的高频电力。按照该周期...

本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够在不使用等离子体的情况下以比较高的蚀刻速率对设置于基板的周缘部的硬度比较高的膜进行蚀刻。基板处理装置具备：照射部，其构成为朝向基板的周缘部照射具有185nm以下的波长的蚀刻用的能量射线；供给...

本公开涉及基板处理装置。提供一种能够缩短绝热单元的升降温时间的技术。本公开的一技术方案的基板处理装置具备：处理容器，其收纳用于保持多个基板的基板保持件，并且在下端具有开口；盖体，其对所述开口进行开闭；以及绝热单元，其设于所述盖体之上，对...

本技术提供一种在形成有MOR膜的基板获得良好的图案的基板处理装置和基板处理方法。晶圆处理系统(1)具备：第1输送路径，其是MOR膜形成后且曝光处理实施前的晶圆(W)的输送路径；和第2输送路径，其是曝光处理实施后的晶圆(W)的输送路径。晶...

本技术提供基板热处理装置。当经由在热板的上表面设置的多个抽吸口对基板进行抽吸时，容易地连接用于进行该抽吸的抽吸路径和各抽吸口。基板热处理装置具备：热板；抽吸口，其在热板的上表面开设有多个；排气路径形成部，其具备、在热板的下方与该热板分离...

本公开提供一种成膜方法和成膜装置，能够减少硅膜中包含的缺陷。本公开的一个方式的成膜方法用于在基板进行硅膜的成膜，该成膜方法包括以下工序：向所述基板同时供给硅烷系气体和封端气体，所述封端气体包含电负性比氢的电负性小的元素，进行所述同时供给...

本发明涉及基板支承体的制造方法和等离子体处理装置的结构部件的制造方法。提供对等离子体处理装置的结构部件进行再利用的技术。提供基板支承体的制造方法。该方法包括以下工序：工序a，准备第1支承体，该第1支承体具有第1基台、静电保持盘以及将第1...

本发明提供处理条件修正方法和基片处理系统，在摄像装置少的基片处理系统中能够不损害生产率地对处理条件进行适当修正。处理条件修正方法包括：监视用拍摄步骤，在一连串处理开始前和结束后拍摄各基片；装置确定步骤，基于监视用拍摄步骤的拍摄结果和处理...

本发明提供一种载置被实施规定处理的基片的载置台，其包括：静电吸附上述基片的静电吸盘；配置在上述基片的周围的可输送的第一边缘环；固定在上述第一边缘环的周围的第二边缘环；使上述第一边缘环升降的升降销；配置在上述静电吸盘的与上述第一边缘环相对...

基板处理装置具备基板清洗部、芯片清洗部、芯片贴合部、搬送区域、第一基板搬送臂以及第一框架搬送臂。所述基板清洗部对基板进行清洗。所述芯片清洗部在多个芯片借助带安装于框架的状态下对多个所述芯片进行清洗。所述芯片贴合部对所述基板的主面的不同的...

蚀刻方法包括：(a)提供基板的工序，基板具有第1区域和第2区域，所述第1区域具有开口，所述第2区域位于第1区域的下方，第2区域包括与开口连通的凹部，从与基板的主面垂直的方向观察，第2区域包括位于开口内的肩部，肩部包括凹部的侧壁的上端，第...

本发明的基片处理装置包括：从释放口对下方的基片释放处理液的液喷嘴；对液喷嘴的释放口的附近的全周进行拍摄的拍摄部；和控制部，控制部执行：图像获取控制，其获取在拍摄部中拍摄到的液喷嘴的释放口附近的全周的检查图像；和评价控制，其根据液喷嘴的释...

所公开的方法包括在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序(a)。等离子体处理装置包括设置于腔室内的基板支撑部。基板支撑部包括支撑基板的第1区域和支撑边缘环的第2区域。第1区域包括第1电极，第2区域包括第2电极，方法进一步包括工序(b...

本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法，用于去除附着于基板的微粒。基板处理装置通过处理液来对基板进行处理。基板处理装置具备：保持部，其用于保持所述基板；液供给部，其向被保持于所述保持部的所述基板的表面供给所述处理液；以及电压施加部，其...

提供一种接合装置和接合方法，该接合装置具备：保持部，其在用于吸附基板的吸附面具有：外侧吸附部，其对所述基板的外周部进行吸附；以及内侧吸附部，其对所述基板的比所述外侧吸附部靠径向内侧的部分进行吸附；相对保持部，其与所述保持部相对配置，对所...

一种处理方法，是第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，所述处理方法包括：获取第一基板与第二基板之间的偏心量；沿着所述第一基板的周缘部与所述第一基板的中央部之间的边界照射内部用激光，来形成成为所述周缘部的剥离的基点的周缘改性层；...

本发明能够在等离子体处理装置的联锁机构动作时，保护搭载在等离子体处理装置中的电子器件。一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理腔室；配置在等离子体处理腔室内的基座，其具有传热介质流路和空间；配置在基座上的静电卡盘；配置在静电...

本发明提供一种求出消耗部件的消耗度的等离子体处理装置。在载置台设置有能够调整载置会由于等离子体处理而被消耗的消耗部件的载置面的温度的加热器。加热器控制部控制向加热器供给的供给电力，以使加热器成为所设定的设定温度。在通过加热器控制部控制向...

本发明提供能够抑制在基片上形成的含金属抗蚀剂膜的变质的基片输送方法和基片输送装置。本发明的基片输送方法包括：待机步骤，在将形成有含金属抗蚀剂膜的基片从第一载置部向第二载置部输送的输送路径中，与所述输送路径中的异常相应地，不将所述基片向所...