【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及处理条件修正方法和基片处理系统。
技术介绍
1、专利文献1公开了一种用于形成均匀的线宽的基片处理系统。在该基片处理系统中,在图案曝光前利用摄像部拍摄形成了抗蚀剂膜的基片,基于拍摄结果来测量图案曝光前的基片上的抗蚀剂膜的膜厚分布。另外,在图案曝光接着加热处理之后由摄像部拍摄同一基片,基于拍摄结果测量加热处理后的基片上的抗蚀剂膜的膜厚分布。然后,根据图案曝光前的抗蚀剂膜的膜厚分布和加热处理后的抗蚀剂膜的膜厚分布,生成膜厚差数据,基于膜厚差数据推算抗蚀剂图案的线宽。通过基于该推算结果的抗蚀剂膜的修正条件,对抗蚀剂膜进行修正处理。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本特开2017-28086号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术的技术能够在摄像装置少的基片处理系统中不损害生产率地对处理条件进行适当修正。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、本专利技术的一个方式是一种处理
...【技术保护点】
1.一种异常判断方法,其对基片处理系统中的处理条件进行修正,所述异常判断方法的特征在于:
2.如权利要求1所述的异常判断方法,其特征在于:
3.如权利要求2所述的异常判断方法,其特征在于:
4.如权利要求2或3所述的异常判断方法,其特征在于:
5.如权利要求4所述的异常判断方法,其特征在于:
6.一种对基片进行处理的基片处理系统,其特征在于:
7.如权利要求6所述的基片处理系统,其特征在于:
8.如权利要求7所述的基片处理系统,其特征在于:
9.如权利要求6或7所述的基片处
...【技术特征摘要】
1.一种异常判断方法,其对基片处理系统中的处理条件进行修正,所述异常判断方法的特征在于:
2.如权利要求1所述的异常判断方法,其特征在于:
3.如权利要求2所述的异常判断方法,其特征在于:
4.如权利要求2或3所述的异常判断方法,其特征在于:
5.如权利要求4所述的异常判断方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:森拓也,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。