求出边缘环的消耗量的方法、等离子体处理装置及基板处理系统制造方法及图纸

所公开的方法包括在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序(a)。等离子体处理装置包括设置于腔室内的基板支撑部。基板支撑部包括支撑基板的第1区域和支撑边缘环的第2区域。第1区域包括第1电极，第2区域包括第2电极，方法进一步包括工序(b)，所述工序(b)分别对第1电极及第2电极周期性地施加电压的脉冲，以便将离子从等离子体引入到基板支撑部。方法进一步包括工序(c)，所述工序(c)为根据电压的脉冲分别被施加到第1电极及第2电极时的第1电极的第1电压值及第2电极的第2电压值，求出边缘环的消耗量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的例示性实施方式涉及一种求出边缘环的消耗量的方法、等离子体处理装置及基板处理系统。

技术介绍

1、等离子体处理装置用于对基板进行等离子体处理。等离子体处理装置在腔室内具备基板支撑部。基板支撑部支撑被载置于其上的基板。基板支撑部可以进一步支撑边缘环。基板配置于基板支撑部上且由边缘环包围的区域内。等离子体处理装置如下述专利文献1所记载，有时构成为对边缘环施加电压。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利申请公开第2021/0175110号说明书

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术课题

2、本专利技术提供一种求出边缘环的消耗量的技术。

3、用于解决技术课题的手段

4、在一例示性实施方式中，提供一种求出边缘环的消耗量的方法。方法包括在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序(a)。等离子体处理装置包括设置于腔室内的基板支撑部。基板支撑部包括支撑被载置于其上的基板的第1区域及支撑被载置于其上的边缘环的第2区域。第1本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种求出边缘环的消耗量的方法，其特征在于，包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的求出边缘环的消耗量的方法，其中，

3.根据权利要求1所述的求出边缘环的消耗量的方法，其中，

4.根据权利要求3所述的求出边缘环的消耗量的方法，其进一步包括以下工序：

5.根据权利要求1至4中任一项所述的求出边缘环的消耗量的方法，其中，

6.根据权利要求1所述的求出边缘环的消耗量的方法，其进一步包括以下工序：

7.根据权利要求1所述的求出边缘环的消耗量的方法，其进一步包括以下工序：

8.根据权利要求6或7所述的求出边缘环的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种求出边缘环的消耗量的方法，其特征在于，包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的求出边缘环的消耗量的方法，其中，

3.根据权利要求1所述的求出边缘环的消耗量的方法，其中，

4.根据权利要求3所述的求出边缘环的消耗量的方法，其进一步包括以下工序：

5.根据权利要求1至4中任一项所述的求出边缘环的消耗量的方法，其中，

6.根据权利要求1所述的求出边缘环的消耗量的方法，其进一步包括以下工序：

7.根据权利要求1所述的求出边缘环的消耗量的方法，其进一步包括以下工序：

8.根据权利要求6或7所述的求出边缘环的消耗量的方法，其中，

9.根据权利要求6或7所述的求出边缘环的消耗量的方法，其进一步包括以下工序：

10.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中一光，寺泽淳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：