【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基片输送方法和基片输送装置。
技术介绍
1、在制造半导体器件时，对半导体晶片(下面，记载为晶片)进行光刻。作为在该光刻中使用的抗蚀剂，有使用含有金属的抗蚀剂的情况，专利文献1中公开了能够进行利用该抗蚀剂形成抗蚀剂膜和该抗蚀剂膜的曝光后的显影的装置。该装置为了在曝光后的加热处理时的各晶片间使抗蚀剂膜中包含的水分量的差缩小，包括能够使抗蚀剂膜形成后且曝光前的多个晶片在内部待机，并且能够调节内部的湿度(水分量)的基片收纳单元。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020-119961号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供种能够抑制在基片上形成的含金属抗蚀剂膜的变质的技术。
3、用于解决技术问题的手段
4、本专利技术的基片输送方法包括：待机步骤，在将形成有含金属抗蚀剂膜的基片从第一载置部向第二载置部输送的输送路径中，与所述输送路径中的异常相应地，不将所述基片向...
【技术保护点】
1.一种基片输送方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于：
3.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于：
4.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的基片输送方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于：
8.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于：
9.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于：
10....
【技术特征摘要】
1.一种基片输送方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于：
3.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于：
4.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的基片输送方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于：
8.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于：
9.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：松山健一郎，只友浩贵，酒田洋司，高木慎介，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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