本发明的电功率供给系统包括：电功率分配单元；与所述电功率分配单元连接的多个供电设备；多个半导体制造系统，各个半导体制造系统包括多个基片处理腔室、和能够以无线的方式从所述多个供电设备中的任一个供电设备接收电功率的受电设备；和控制部，其能够...

本发明的数据计算方法包括：获取规定期间中的第一数据群的处理；根据第一数据群所包含的各数据的值的范围，将获取到的第一数据群分割为多个组的处理；提取分割得到的多个组中的有效组所包含的第二数据群的处理；和基于提取到的第二数据群，输出每个组的统...

本公开提供一种蚀刻方法、等离子体处理装置以及基板处理系统，能够抑制蚀刻的形状异常。所提供的蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，提供具有层叠膜和层叠膜上的掩模的基板，所述层叠膜包含至少两种不同的含硅膜；工序(b)，使用从第一处理气体生成的等...

本发明涉及基板处理装置。提供一种能够抑制气体喷射器的倾倒的技术。本公开的一形态的基板处理装置具备：纵型的反应管；以及气体喷射器，其向所述反应管内供给气体，所述气体喷射器具有贯穿所述反应管的侧壁且水平地延伸的第1管状部，所述反应管具有在比...

本发明提供一种可容易地探测瓶内的液体的余量的瓶的液探测器具、半导体制造装置、以及控制方法。瓶的液探测器具(90)的保持部(91)具有：底面部(91a)，其用于载置处理液容器(51)的底部(51e)；和第1限制部(91b)，其与底面部(9...

本发明提供一种接合装置、接合系统以及接合方法，能够抑制在基板彼此接合时产生的接合不良。本公开的一个方式的接合装置具备第一保持部、第二保持部、撞击件以及离子发生器。第一保持部从第一基板的上方吸附保持所述第一基板。第二保持部配置在比所述第一...

基板处理方法包括准备基板的工序、以及进行基板的蚀刻处理的工序。在准备基板的工序中，准备具有层叠膜的基板，该层叠膜包括膜厚不同的多个硅氧化膜。在进行基板的蚀刻处理的工序中，用添加了盐酸的蚀刻液进行基板的蚀刻处理。

本发明提供能够使被收纳在处理容器的内部的基片的温度高效率地升温、并且能够降低加热时的电功率量的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：处理容器，其能够在内部收纳多个基片，来对该多个基片进行基片处理；气体供给喷嘴，其用于向处理容器的...

经由处理液阀向喷出喷嘴输送处理液，并从喷出喷嘴朝向基板喷出处理液。处理液阀根据被供给的工作流体的压力来控制与喷出喷嘴相连的流路中的处理液的流动。流体压力调整部根据能够可变地设定的调整参数来调整向处理液阀供给的工作流体的压力的变动行为。限...

本公开提供基板定位装置、基板定位方法及接合装置，提高基板的定位精度。基板定位装置具备用于保持基板的保持部、以及用于使保持部旋转的旋转机构。旋转机构具备旋转轴部、轴承部、基底部、第一驱动部、衰减机构、锁定机构以及第二驱动部。旋转轴部固定于...

本发明的基片处理装置包括处理容器、流体供给部、加热机构、温度测量部和控制部，使用超临界流体使具有液膜的基片干燥。控制部获取在将基片送入处理容器的内部起至送出该基片为止的期间由温度测量部测量出的处理容器的内部的温度信息，存储将该温度信息与...

一种用于对基板进行处理的基板处理方法，该基板处理方法包括：向所述基板的外周区域脉冲状地照射使来自激光头的激光束分支得到的多个分支激光束；以及向所述外周区域的径向内侧的中央区域脉冲状地照射所述激光束不进行分支的单独激光束。一种对基板进行处...

提供一种在等离子体处理装置中进行的等离子体处理方法。等离子体处理方法包括工序(a)，在该工序(a)中，在向等离子体处理装置的腔室内供给气体的状态下，向基板支承部的下部电极施加电压。基板支承部被设置在腔室内。等离子体处理方法还包括工序(b...

一种处理衬底的方法包括对介电层上的掩模进行图案化以及在该介电层中蚀刻开口。该介电层布置在该衬底上。该蚀刻包括使蚀刻剂、极性或含H气体和卤化磷气体流动。该方法可以进一步包括通过用导电材料填充这些开口来形成触点。

本公开提供一种成膜装置和成膜方法，能够抑制成膜的制造成本和基板的热历程并且使膜质进一步提高。成膜装置包括：处理容器；基板保持部，其在所述处理容器内保持基板；气体供给部，其能够向所述处理容器内供给处理气体和吹扫气体；以及控制部，其控制所述...

本发明公开的等离子体处理装置中，高频电源在电偏置能量的偏置周期内调节高频电功率的频率。高频电源使用基本时间序列作为偏置周期内的高频电功率的频率的时间序列。高频电源以基于评价值改善匹配状态的方式，反复进行作为偏置周期内的高频电功率的频率的...

本发明涉及基板处理装置。提供能够提高抗震性的技术。本公开的一技术方案的基板处理装置具备：旋转台，其固定于旋转轴；基板保持件，其载置在所述旋转台上，将基板以水平姿势保持为多层；以及第1紧固构件，其将所述基板保持件固定在所述旋转台上，所述基...

本公开提供一种处理方法和处理装置，能够通过干法工艺来去除金属氧化膜。基于本公开的一个方式的处理方法包括去除金属氧化膜的工序，在所述去除金属氧化膜的工序中，向处理容器内供给含卤素的气体来去除所述处理容器内的金属氧化膜。

本发明提供能够调节从处理容器排出的气体的流量的基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器主体，其能够收纳保持基片的基片保持件；设置于上述处理容器主体的侧壁的气体排气室；从上述气体排气室在水平方向上延伸的排气侧配管；以及配置在上述气体排气室...

本发明提供能够调节向处理容器内供给的气体的基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器主体，其能够收纳保持基片的基片保持件；设置于上述处理容器主体的侧壁的气体供给室；从上述气体供给室在水平方向上延伸的供给侧配管；以及配置在上述气体供给室和上...