【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及一种半导体制造的系统和方法，并且在特定实施例中，涉及一种用于用卤化磷气体蚀刻介电材料的系统和方法。
技术介绍
1、通常，半导体器件如集成电路(ic)是通过在衬底上依次沉积和图案化介电材料层、导电材料层和半导体材料层以形成集成在单片结构中的电子部件和互连元件(例如，晶体管、电阻器、电容器、金属线、触点和通孔)的网络来制造的。用于形成半导体器件的组成结构的许多处理步骤是使用蚀刻工艺进行的。
2、半导体行业一再将半导体器件中的最小特征尺寸降低到几纳米以增加部件的封装密度。因此，半导体行业越来越需要蚀刻技术以提供具有准确度、精确度和轮廓控制的图案化特征的工艺，通常在原子级尺寸上。应对这一挑战以及大容量ic制造所需的一致性和可重复性需要蚀刻技术的进一步创新。
技术实现思路
1、根据一个实施例，一种处理衬底的方法包括：对介电层上的掩模进行图案化，该介电层布置在该衬底上；在该介电层中蚀刻开口，该蚀刻包括使蚀刻剂、极性或含h气体和卤化磷气体流动；以及通过用导电材料填充这些开口来形成触点。
2、根据另一个实施例，一种处理衬底的方法包括：进行循环蚀刻工艺，其中该循环蚀刻工艺的每个循环包括：使蚀刻剂从该衬底上的介电层上流过，该衬底处于处理室中；在该处理室中通过使极性或含h气体和卤化磷气体从该介电层上流过而在该处理室中形成催化剂；以及将该催化剂从该处理室中吹扫出。
3、根据又另一个实施例，一种在处理室中处理衬底的方法包括：使蚀刻剂和极性或含h气体从介
4、应当理解，前面的一般性描述和以下详细描述均仅为示例性和说明性的，并且不限制所要求保护的本披露内容。
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1.一种处理衬底的方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻剂是HF或HCl。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该极性或含H气体包括水蒸气(H2O)、过氧化氢(H2O2)、氢气(H2)、氢气(H2)和氧气(O2)的混合物、或溴化氢(HBr)。
4.如权利要求1所述的方法，其中，该卤化磷气体包括三氟化磷(PF3)、三氯化磷(PCl3)、磷酰氟(POF3)、或磷酰氯(POCl3)。
5.如权利要求1所述的方法，其中，该介电层包括氧化硅或氮化硅。
6.如权利要求5所述的方法，其中，该介电层包括O/N/O/N叠层。
7.如权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻在各向异性蚀刻工艺中各向异性地蚀刻这些开口。
8.如权利要求7所述的方法，其中，该各向异性蚀刻工艺作为等离子体处理系统中的等离子体工艺进行。
9.如权利要求1所述的方法，其中，这些触点具有大于50:1的相应纵横比。
10.一种处理衬底的方法，该方法包括：
11.如权利要求10所述的方法，其中，该蚀刻
12.如权利要求10所述的方法，其中，该卤化磷气体是三氟化磷(PF3)。
13.如权利要求10所述的方法，其中，该催化剂包括PF2OH。
14.如权利要求10所述的方法，其中，该循环蚀刻工艺是等离子体工艺。
15.如权利要求10所述的方法，其中，该循环蚀刻工艺是各向异性的。
16.一种在处理室中处理衬底的方法，该方法包括：
17.如权利要求16所述的方法，其中，该极性或含H气体包括H2O。
18.如权利要求16所述的方法，其中，该卤化磷气体包含磷和氟。
19.如权利要求16所述的方法，其中，该介电层包括氧化硅。
20.如权利要求16所述的方法，其进一步包括在该介电层中形成开口，该开口具有大于50:1的纵横比。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种处理衬底的方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻剂是hf或hcl。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该极性或含h气体包括水蒸气(h2o)、过氧化氢(h2o2)、氢气(h2)、氢气(h2)和氧气(o2)的混合物、或溴化氢(hbr)。
4.如权利要求1所述的方法，其中，该卤化磷气体包括三氟化磷(pf3)、三氯化磷(pcl3)、磷酰氟(pof3)、或磷酰氯(pocl3)。
5.如权利要求1所述的方法，其中，该介电层包括氧化硅或氮化硅。
6.如权利要求5所述的方法，其中，该介电层包括o/n/o/n叠层。
7.如权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻在各向异性蚀刻工艺中各向异性地蚀刻这些开口。
8.如权利要求7所述的方法，其中，该各向异性蚀刻工艺作为等离子体处理系统中的等离子体工艺进行。
9.如权利要求1所述的方法，其中，这些触点具有大于50...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宇浩，张度，王明美，大类贵俊，高桥基，横井雅彦，田中康基，木原嘉英，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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