【技术实现步骤摘要】
本专利技术例示的实施方式涉及等离子体处理装置和电源系统。
技术介绍
1、等离子体处理装置在对基片的等离子体处理中使用。在等离子体处理装置中，为了从腔室内生成的等离子体将离子引入基片，使用高频偏置电功率。下述的专利文献1公开了对高频偏置电功率的功率水平和频率进行调制的等离子体处理装置。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2009-246091号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供能够抑制为了生成等离子体而使用的高频电功率的反射的技术。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、在一个例示的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具有腔室、基片支承部、高频电源和偏置电源。基片支承部设置在腔室内。高频电源构成为供给高频电功率以在腔室内从气体生成等离子体。偏置电源构成为向基片支承部供给电偏置能量，以将离子引入基片支承部上的基片。电偏置能量具有以具有偏置频率的倒数的时...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
9.如权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其
<...【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
9.如权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
【专利技术属性】
技术研发人员：舆水地盐，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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