【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基片处理装置。
技术介绍
1、在专利文献1中公开了一种立式的成膜装置，其具有：反应管；从下方侧支承反应管的凸缘部；气体注入器，其从凸缘部插入到反应管的内部，在反应管内在高度方向上延伸；和形成于凸缘部的排气口。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2012-169307号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、在一个方面，本专利技术提供能够调节向处理容器内供给的气体的基片处理装置。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、为了解决上述技术问题，根据一个方式，提供一种基片处理装置，其包括：处理容器主体，其能够收纳保持基片的基片保持件；设置于上述处理容器主体的侧壁的气体供给室；从上述气体供给室在水平方向上延伸的供给侧配管；以及配置在上述气体供给室和上述供给侧配管的可拆装的注入器。
5、专利技术效果
6、根据一个方面，可提供能够调节向处理容器内供给的气体的基片处理装置。
【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
8.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：
10.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥真实，门部雅人，山口达也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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