等离子体处理方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

提供一种在等离子体处理装置中进行的等离子体处理方法。等离子体处理方法包括工序(a)，在该工序(a)中，在向等离子体处理装置的腔室内供给气体的状态下，向基板支承部的下部电极施加电压。基板支承部被设置在腔室内。等离子体处理方法还包括工序(b)，在该工序(b)中，在工序(a)中开始向下部电极施加电压之后，通过供给高频来生成等离子体。在基板支承部的基板支承面上未载置物体的状态下进行工序(a)和工序(b)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开的实施方式涉及一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。

技术介绍

1、等离子体处理装置被用于对基板进行处理。当在等离子体处理装置中处理基板时，腔室内的壁面被副生成物污染。因此，进行腔室的清洁。专利文献1公开了腔室的清洁方法。该清洁方法为了在清洁中生成等离子体而使用了微波。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2021-34515号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、本公开提供一种在基板支承部的基板支承面上未载置物体的状态下进行的等离子体处理中缩短点火生成等离子体所需的时间并减小其偏差的技术。

3、用于解决问题的方案

4、在一个例示性的实施方式中，提供一种在等离子体处理装置中进行的等离子体处理方法。等离子体处理方法包括工序(a)，在该工序(a)中，在向等离子体处理装置的腔室内供给气体的状态下，向基板支承部的下部电极施加电压。基板支承部被设置在腔室内。等离子体处理方法还包括工序(b)，在该工序(b)中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种等离子体处理方法，是在等离子体处理装置中进行的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，所述工序(b)包括：

3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理方法，其中，

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理方法，其中，

6.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理方法，其中，

7.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理方法，其中，

8.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种等离子体处理方法，是在等离子体处理装置中进行的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包括：

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，所述工序(b)包括：

3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理方法，其中，

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理方法，其中，

6.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理方法，其中，

7.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理方法，其中，

8.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理方...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村纮一郎，清藤规久，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：