【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基片处理装置。
技术介绍
1、在专利文献1中公开了一种立式的成膜装置，其具有：反应管；从下方侧支承反应管的凸缘部；气体注入器，其从凸缘部插入到反应管的内部，在反应管内在高度方向上延伸；和形成于凸缘部的排气口。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2012-169307号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、在一个方面，本专利技术提供能够调节从处理容器排出的气体的流量的基片处理装置。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、为了解决上述技术问题，根据一个方式，提供一种基片处理装置，其包括：处理容器主体，其能够收纳保持基片的基片保持件；设置于上述处理容器主体的侧壁的气体排气室；从上述气体排气室在水平方向上延伸的排气侧配管；以及配置在上述气体排气室和上述排气侧配管的可拆装的排出器。
5、专利技术效果
6、根据一个方面，可提供能够调节从处理容器排出的气体的流量的基片处理装置。
【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
7.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：
9.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：
11.如权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于：
12.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
13.如权利要求12所述的基片处理装置，其特征在于：
14.如权利要求13所述的基片处理装置，其特征在于：
15.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
4.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
7.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
8.如权利要求7所述的基片处...
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥真实，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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