【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及分析装置、基片处理系统、基片处理装置、分析方法和分析程序。
技术介绍
1、已知有如下的基片处理装置：在处于真空环境下的腔室内，在静电吸盘(支承基片的基片支承部)的各区域设置温度调节元件(例如加热器)，按每个区域进行基片的温度调节(例如，参照专利文献1等)。在该基片处理装置中，要求进行适当的温度调节，以使基片的温度接近目标温度。
2、另一方面，即使将各区域的温度调节元件的设定温度设定为目标温度，也存在基片整体的温度不均匀地成为目标温度的情况。例如，由于机械误差等，局部地产生温度不均，从而可能引起基片的面内平均温度偏离目标温度这样调节精度降低的情况。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2020-009795号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供一种使进行基片的温度调节时的调节精度提高的分析装置、基片处理系统、基片处理装置、分析方法和分析程序。
3、用于解决...
【技术保护点】
1.一种分析装置，其特征在于，具有：
2.如权利要求1所述的分析装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的分析装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的分析装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的分析装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的分析装置，其特征在于：
7.如权利要求3所述的分析装置，其特征在于：
8.如权利要求3所述的分析装置，其特征在于：
9.如权利要求1所述的分析装置，其特征在于：
10.如权利要求3所述的分析装置，其特征在于：
...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种分析装置，其特征在于，具有：
2.如权利要求1所述的分析装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的分析装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的分析装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的分析装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的分析装置，其特征在于：
7.如权利要求3所述的分析装置，其特征在于：
8.如权利要求3所述的分析装置，其特征在于：
9.如权利要求1所述的分析装置，其特征在于：
10.如权利要求3所...
【专利技术属性】
技术研发人员：平野贤，山本能吏，久保敬，大岭治树，狐塚正树，北尾俊博，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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