【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子体处理装置、分析装置和分析程序。
技术介绍
1、专利文献1公开了对基片进行等离子体处理的等离子体处理装置中的、等离子体生成用的微波脉冲和偏置用的高频脉冲。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2019-36482号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、本专利技术提供能够使等离子体处理稳定化的等离子体处理装置、分析装置和分析程序。
3、用于解决技术问题的手段
4、本专利技术的一个方式的等离子体处理装置例如具有以下那样的结构。即，一种等离子体处理装置，其能够在第一高频电源和第二高频电源各自产生脉冲、且匹配器控制所述第二高频电源的负载侧的阻抗的同时执行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：计算部，其用于获取基于不同的设定参数使所述第一高频电源产生连续脉冲、且使所述第二高频电源产生间歇脉冲时的对应的反射波的功率，计算表示反射波的状态的指标值；和确定部，其用于...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其能够在第一高频电源和第二高频电源各自产生脉冲、且匹配器控制所述第二高频电源的负载侧的阻抗的同时执行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.如...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种等离子体处理装置，其能够在第一高频电源和第二高频电源各自产生脉冲、且匹配器控制所述第二高频电源的负载侧的阻抗的同时执行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
8.如权利要求1至7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：
9.如权利要求1所述的等离...
【专利技术属性】
技术研发人员：金子和史，石田洋平，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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