蚀刻方法及等离子体处理装置制造方法及图纸

所公开的蚀刻方法包括：工序(a)，在腔室内准备基板；工序(b)，在基板上形成沉积物；工序(c)，通过从由处理气体生成的等离子体向沉积物供给离子，对沉积物进行改性；及工序(d)，在工序(c)之后，使用等离子体对电介质膜进行蚀刻。基板包括电介质膜和掩模。沉积物从由处理气体生成的等离子体被供给，该处理气体包含含有氟及碳的气体成分。工序(c)中的源高频电力的功率水平为工序(b)中的源高频电力的功率水平以下。工序(c)中的电偏压的水平高于工序(b)中的电偏压的水平，或者在工序(b)中不供给电偏压。工序(d)中的电偏压的水平高于工序(c)中的电偏压的水平。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的示例性实施方式涉及一种蚀刻方法及等离子体处理装置。

技术介绍

1、等离子体处理装置在对基板的膜进行等离子体蚀刻时使用。等离子体处理装置具备腔室及基板支撑部。基板支撑部设置于腔室内。在进行等离子体蚀刻时，为了生成等离子体而供给源高频电力。并且，为了将离子引入到基板，向基板支撑部供给偏置高频电力。下述专利文献1中公开了在等离子体蚀刻中控制源高频电力的脉冲波与偏置高频电力的脉冲波的相位差的内容。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016-157735号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术课题

2、本专利技术提供一种抑制因蚀刻而导致金属硬掩模减少的技术。

3、用于解决技术课题的手段

4、在一示例性实施方式中，提供一种蚀刻方法。蚀刻方法包括：工序(a)，在等离子体处理装置的腔室内，在基板支撑部上准备基板。基板包括含有硅及氧的电介质膜和设置于该电介质膜上的金属硬掩模。蚀刻方法还包括：工序(b)，在基板上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种蚀刻方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其还包括：

5.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，

6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其中，

7.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其中，

8.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，

9.一种等离子体处理装置，其用于对基板的电介质膜进行蚀刻，该基板包括包含硅及氧的所述电介质膜和设置于该电介质膜上的金属硬掩模，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种蚀刻方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其还包括：

5.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，

6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其中，

7.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其中，

8.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，

9.一种等离子体处理装置，其用于对基板的电介质膜进行蚀刻，该基板包括包含硅及氧的所述电介质膜和设置于该电介质膜上的金属硬掩模，

10.一种蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木凛，细谷正德，千叶祐毅，伊藤骏，西出大亮，大类贵俊，斋藤悠人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：