【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
1、在制造半导体装置时，有时在形成于作为基板的半导体晶圆(以下记载为晶圆)的表面的si膜和sige膜中选择性地蚀刻si膜。例如在专利文献1中记载了如下内容：将f2气体和nh3气体用作蚀刻气体，通过将nh3气体相对于蚀刻气体的比率设定为规定的值来进行上述的选择性的蚀刻。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本专利第6426489号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开提供一种能够抑制形成凹部的硅膜的蚀刻后的表面的粗糙度并且控制该凹部的形状的技术。
3、用于解决问题的方案
4、本公开的基板处理方法包括以下工序：
5、第一工序，向形成有侧壁由硅膜形成且底壁由含锗膜形成的凹部的基板供给包含含卤素气体和碱性气体的处理气体，以使所述硅膜的表面改性来生成反应生成物；
6、第二工序，去除所述反应生成物来扩大所述凹部的宽度；p>
7、将由所本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板处理方法，包括以下工序：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
5.根据权利要求3或4所述的基板处理方法，其中，
6.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
9.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
10.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
<...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理方法，包括以下工序：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
5.根据权利要求3或4所述的基板处理方法，其中，
6.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
8.根据权利要求1所述的基...
【专利技术属性】
技术研发人员：新藤尚树，松永淳一郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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