本公开涉及一种基板载置台、基板处理装置以及基板载置台的制造方法，即使是在‑20℃以下对基板载置台上的基板实施处理的情况，也抑制基板载置台中覆盖膜产生裂纹、剥离。提供一种基板载置台，配置在基板处理装置的腔室内，所述基板载置台在所载置的基板...

本公开的一个方式的基板处理方法包括蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向形成有SiCN膜的基板供给蚀刻液来对SiCN膜进行蚀刻。在蚀刻工序中，将氢氟酸与氧化剂的混合液作为蚀刻液供给到基板。

本发明提供基片处理装置和基片处理方法，其对于将至少含有硫酸的处理液与含有纯水的蒸气或雾的流体混合而得到的混合流体的基片处理，实现其最优化。基片处理装置包括基片保持部、喷嘴、流体供给部、处理液供给部、气体供给部和气体流量调节部。基片保持部...

本发明提供一种抑制异常放电的基板支撑器和基板支撑器的再生方法。一种基板支撑器，其具备本体部、上侧多孔塞和下侧多孔塞、以及多个流动性粒子，所述本体部具有基板支撑面和位于所述基板支撑面的相反侧的背面，具有从所述背面延伸至所述基板支撑面的贯通...

本公开提供一种接合装置和接合方法，能够适当地校正基板的外周部的高度。本公开的接合装置具备第一保持部、第二保持部、推动部以及控制部。第一保持部从第一基板的下方保持所述第一基板。第二保持部配置在比第一保持部靠上方的位置，从第二基板的上方保持...

提供了一种控制预涂层的膜质量的技术。提供了一种等离子体处理方法。该方法包括：(a)在腔室内的构成部件上形成包括含碳膜的预涂层的工序；(b)在腔室内的基板支撑部上提供第一基板的工序；和(c)对第一基板进行等离子体处理的工序，(a)包括：(...

本发明提供处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法。实施方式的处理液释放喷嘴是释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴。处理液释放喷嘴包括喷嘴主体部和角度改变机构。喷嘴主体部包括：形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体...

本发明提供一种配方设定装置（130），能够有效地减轻可有选择地使用多个模块的系统中的配方的管理负担。其包括：配方存储部（131），存储表示基片处理的条件的基准配方；偏移存储部（132），与基准配方关联地存储偏移表，其中，偏移表包括与多个...

本发明提供的蚀刻方法包括：(a)提供基片的工序，其中，基片包含第一层和在第一层上具有图案的第二层；(b)在第二层的表面，比第一层的表面优先地形成含硅层的工序；(c)在含硅层的表面形成含金属层的工序；和(d)将第二层、含硅层和含金属层作为...

本发明提供壁部件和等离子体处理装置。壁部件中，壁部件主体能够设置于处理容器的周向，构成为能够在内部沿着周向形成第一空腔。管部件配置在第一空腔内，由与壁部件主体相比热传导率低的部件形成，构成为能够在内部形成用于供冷却气体流动的第二空腔，形...

提供降低热阻，使热传导性提高的边缘环。提供一种等离子处理装置，其具备等离子处理腔室、基台和边缘环，所述基台设置于所述等离子处理腔室内，具有将静电吸盘设置于上表面的第1部分、和围着所述第1部分的周围，在上表面高于所述第1部分的第2部分，所...

载置台包括：用于支承基片的基片支承部；能够使所述基片支承部升降的一个以上的升降部；和控制所述一个以上的升降部的动作的控制部。所述一个以上的升降部包括：驱动电动机，其输出基于旋转使所述基片支承部升降的推力；和电磁制动器，其向所述升降部施加...

本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质，基片处理装置(1)包括：保持晶片(W)并使该晶片旋转的旋转保持部(30)，上述晶片在表面(Wa)具有有机覆膜；向晶片的表面照射有机覆膜的灰化用的光的光照射部(40)；以使气流能够通过晶片与...

本公开的研磨装置具有：处理容器，构成为提供真空气氛的处理空间；基板保持部，配置于处理容器内，且构成为保持处理对象的基板；垫保持部，配置为与基板保持部对置，且构成为保持对基板进行研磨的垫；浆料供给部，构成为向基板或垫的表面供给作为离子液体...

本发明提供适当地实施与含金属型抗蚀剂和化学放大型抗蚀剂这两者对应的处理的晶片处理系统。晶片处理系统是进行关于EUV图案化的处理的基片处理装置，其包括：进行被涂敷化学放大型抗蚀剂的晶片的处理的多个第一处理装置(161)；和进行被涂敷含金属...

成膜方法包括以下处理：在处理容器内设置基板；向处理容器内供给包含钛的原料气体和包含氮的反应气体，通过ALD法来在基板上形成氮化钛膜；以及在形成氮化钛膜时，使氮化钛膜含有镍。

提供了一种提高蚀刻控制性的技术。等离子体处理装置包括源射频生成部和偏压射频生成部。源射频信号在第一沉积优势期间和第二沉积优势期间具有第一源功率电平，在第一蚀刻优势期间和第二蚀刻优势期间具有低于第一源功率电平的第二源功率电平。第一沉积优势...

本技术涉及基板处理装置。抑制随着高生产率化而引起的基板处理装置的大型化。基板处理装置具备：送入送出模块，其具有载置多个构成为能够容纳基板的容器的容器载置部；和处理模块，其与送入送出模块沿宽度方向相邻地设置，并具有多个对基板实施处理的处理...

本技术涉及液处理装置。根据情况而以适合的方式监视多个喷嘴的状态。液处理装置具备：多个载物台，其分别载置基板；多个喷嘴，其共用于该多个载物台，用于向所述基板供给处理液；照相机，其共用于该多个喷嘴，用于监视该多个喷嘴的状态；以及拍摄条件变更...

本公开提供一种对于溶媒消耗的削减有效的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。基板处理装置具备：第一处理模块，其对晶圆(W)进行第一处理；第二处理模块，其对晶圆(W)进行与第一处理不同的第二处理；回收部(6)，其从自第一处理模块排出的排...