【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
1、在专利文献1中公开了一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括：加热工序，从半导体基板的背面照射co2激光来将剥离氧化膜局部地进行加热；以及转印工序，使在剥离氧化膜中、以及/或者剥离氧化膜与半导体基板之间的边界产生剥离，来将半导体元件转印于转印目标基板。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2007-220749号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开所涉及的技术在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中将形成于第二基板的表面的器件层适当地转印于第一基板。
3、用于解决问题的方案
4、本公开的一个方式是一种在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中将形成于所述第二基板的表面的器件层转印于所述第一基板的方法，在所述方法中，从所述第二基板的背面侧对形成于所述第二基板与所述器件层之间的激光吸收层脉冲状地照射激光。
...【技术保护点】
1.一种基板处理方法，是在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中将形成于所述第二基板的器件层转印于所述第一基板的方法，
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
8.根据权利要求1或2所述的基板处理...
【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，是在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中将形成于所述第二基板的器件层转印于所述第一基板的方法，
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
6.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：山下阳平，田之上隼斗，沟本康隆，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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