基板处理装置具备处理槽、盖体、药液供给部、加压部以及控制部。处理槽在上部具有开口部，用于将基板浸在药液中来对基板进行处理。盖体构成为能够将处理槽的开口部密闭。药液供给部向处理槽供给药液。加压部在比药液供给部靠上游侧的位置处将药液进行加压...

本发明提供一种提高基板的冷却性的基板支承台以及基板处理装置。本发明的基板支承台具备：基座，其具有下表面、与所述下表面相反侧的圆形状的第一上表面、作为与所述下表面相反侧的面的、形成在比所述第一上表面靠所述下表面侧且包围所述第一上表面的周围...

本发明提供基板载置台。将基板的温度分布控制为在分隔壁的内侧和外侧急剧变化。基板载置台包括：基部，其具有载置基板的载置面；环状的支承构件，其设于基部，沿着基板的外周侧支承基板；环状的分隔壁，其设于载置面，在载置于载置面的基板的径向上将载置...

本发明的等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基座、静电吸盘、第一电极、第二电极、电源和控制部。基座配置在等离子体处理腔室内。静电吸盘配置于基座的上部，具有基片支承面和环支承面。第一电极配置于静电吸盘内的基片支承面的下方，利用静电力吸附...

提供一种抑制反应生成物向整流壁附着的等离子体处理装置和基板处理方法。一种等离子体处理装置，其利用等离子体对基板进行处理，其中，该等离子体处理装置具备：等离子体生成部，其被供给有用于生成所述等离子体的第1高频电力；载置台，其在上表面具有用...

本发明提供计算机程序、信息处理装置以及信息处理方法。使计算机执行下述处理：从第一特征量提取模型获取第一特征量，其中，上述第一特征量提取模型构成为在输入了与基板处理相关的第一模态的数据的情况下输出第一特征量；从第二特征量提取模型获取第二特...

一种用于处理衬底的方法，该方法包括：图案化在电介质层上的碳基硬掩模层以在碳基硬掩模层中形成第一凹部，该第一凹部具有锥形轮廓，使得该第一凹部在第一高度处的宽度大于该第一凹部在低于第一高度的第二高度处的宽度；在该经图案化的碳基硬掩模层上沉积...

一种用于供给处理液的处理液供给装置，包括：处理液供给源、隔膜泵、向所述隔膜泵供给流体以使所述处理液吐出的流体供给机构、控制部，所述隔膜泵包括泵室、作动室和隔膜，所述泵室包括：用于导入所述处理液的导入口；用于吐出所述处理液的吐出口；和用于...

本发明提供一种基片处理装置，在不损害非接触供电的效率的情况下有效地防止磁通泄漏。基片处理装置包括：保持基片的旋转台；旋转驱动部，使旋转台绕旋转轴线旋转；至少1个电加热器，设置于旋转台；至少1个受电线圈，其设置于旋转台，与电加热器电连接；...

本发明提供一种热处理装置和热处理方法，能够使在基板形成膜时因泡引起的缺陷减少。本公开的热处理装置具备：载置部，形成于基板的膜固化前的该基板被载置于该载置部；以及加热部，其以低于所述膜中包含的溶剂的沸点的温度将载置于所述载置部的所述基板进...

本发明提供用于对使用学习完毕模型的预测的精度进行评价的计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置。使用模拟模型或者学习完毕模型来调整多个参数，以使得预测形状成为特定的形状，其中，该模拟模型使用与基板处理的条件相关的多个参数模拟基板处理，该...

本发明提供在对基片进行液处理时，防止因处理液的温度变化而产生不良情况的液处理装置、液处理方法和存储介质。液处理装置包括：向基片吐出从处理液供给源供给的处理液的喷嘴；将处理液供给源与喷嘴连接的第一流路；第二流路，一端与第一流路中的第一连接...

一种实施例等离子体加工设备包括：等离子体产生源；在等离子体室中的喷嘴，该喷嘴能够将等离子体从该等离子体产生源引导到待加工的晶片，该等离子体在该喷嘴的出口处具有等离子体束的形式；布置在该等离子体室中并且在该晶片上方的外环体，该外环体环绕该...

本发明提供一种热处理装置和热处理方法。所述热处理装置具备：加热部，其支承基板并以500℃以上的高温将该基板进行加热；腔室，其包括盖部，所述盖部通过覆盖所述加热部来在所述加热部上形成处理空间，所述盖部的靠所述处理空间侧的面由含金属材料构成...

本发明提供能够以高精度调整通量参数的计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置。模拟利用等离子体处理基板的处理装置中的等离子体的状态，从模拟结果获取表示由等离子体引起的粒子入射到基板的状态的通量参数的估计值，使用模拟模型或者学习完毕模型，...

本发明的目的在于适当地去除形成于基片的含金属涂敷膜的周边部。基片处理装置（1）依次执行：第一步骤，一边使形成有含金属涂敷膜的基片旋转，一边对从上述基片的端部起的第一宽度区域供给第一处理液来去除上述涂敷膜；第二步骤，对从上述基片的端部起宽...

一种等离子体处理装置，其特征在于：包括等离子体处理装置内部件，所述等离子体处理装置内部件包括气体供给路径和能够形成所述气体供给路径的形成部，在设所述气体供给路径在与所述气体供给路径的长度方向垂直的截面中的代表长度为d1、最长部长度为d2...

本发明提供一种基片处理装置，其包括运送区块和多个处理区块。运送区块配置有用于运送基片的运送装置。多个处理区块与运送区块相邻配置，处理由运送装置运送的基片。另外，各处理区块包含一个液处理组件和一个干燥组件。液处理组件进行在基片的上表面形成...

基板处理方法依次包括：准备基板，该基板具有第一主面以及朝向与所述第一主面的朝向相反的第二主面，并且在所述第一主面和所述第二主面分别具有起伏；进行所述第一主面的激光加工；进行所述第二主面的磨削加工或研磨加工；以及进行所述第一主面的磨削加工...

等离子体处理装置用部件包含基材和位于所述基材的表面的热喷涂膜。所述基材的表面具备主表面和在与所述热喷涂膜的终端部重叠的位置相对于所述基材的主表面凹陷的凹部。所述热喷涂膜具有在所述基材的主表面及所述凹部的内部的一部分上连续设置的第1热喷涂...