本发明提供一种有效地抑制通过光刻而形成的图案的偏差的基片处理方法、基片处理装置、基片处理系统和程序产品。基片处理方法包括：对基片的表面进行感光性覆膜的成膜处理的步骤；将成膜处理完毕的基片收纳于第一腔室，在第一腔室内对感光性覆膜进行曝光处...

本发明提供可容易地检测泄漏的阀及泄漏检测方法。阀（1）具备：形成有流入路（11b）及流出路（11c），并具备座体（11E）的主体（11）；相对于鞘管（22）进行抵接及从阀座分离，将流入路（11b）与流出路（11c）连通及遮断的隔膜（12...

本发明提供一种等离子体处理系统和边缘环的更换方法。该等离子体处理系统包括等离子体处理装置、输送装置和控制装置，控制装置进行控制以执行以下步骤：将支承着边缘环的覆盖环向升降部件交接的步骤；使被支承部支承的治具在环状部件载置面与覆盖环之间移...

本发明在一个例示的实施方式中，提供一种基片处理装置。基片处理装置包括：包含顶面的第一部件；和包含侧壁且支承第一部件的第二部件。第二部件与以包围载置基片的载置台的方式设置的被接地的接地部电连接。第一部件和第二部件构成为相互独立的部件，形成...

等离子体处理装置具备：等离子体处理腔室；可变阻抗元件；基板支撑部，配置在等离子体处理腔室内，包括：导电性基台；静电吸盘；边缘环；基板偏压电极；环偏压电极；附加电极，经由可变阻抗元件与接地电位电连接；和至少一个连接器，与边缘环和导电性基台...

本发明提供一种基片处理方法、存储介质和基片处理装置。本公开的一个方面的基片处理方法包括：膜形成工序，在基片的背面形成能够因曝光而产生应力的背面膜，其中，所述基片具有形成有图案或器件结构的正面和与所述正面反向的所述背面；和曝光工序，在形成...

本发明提供能够抑制反应管的消耗的等离子体处理装置和反应管壁保护部件。等离子体处理装置能够在反应管内对基片进行等离子体处理，包括：筒状的反应管；能够相对于反应管插入取出的基片保持件，其能够将多个基片载置在多层；配置在反应管的外侧的一对电极...

本发明提供一种等离子体处理装置，其能够生成电感耦合等离子体。等离子体处理装置包括：处理容器；基片保持件，其保持基片，并能够收纳于所述处理容器内；和等离子体生成机构，其生成电感耦合等离子体，所述等离子体生成机构具有：具有环形形状的放电室；...

本公开说明能够以简易的结构高效地更换处理器具的基板处理装置、处理器具的更换方法以及更换器具。基板处理装置具备：保持部；旋转部，其构成为使保持部旋转；处理器具，其构成为对保持于保持部的基板的表面进行处理；更换器具，其构成为能够装卸地安装于...

一种基板处理方法，用于对基板进行处理，所述基板处理方法包括朝向所述基板脉冲状地照射激光束的处理，在所述基板处理方法中，在照射所述激光束时，根据所述基板的预先设定的区域进行分支元件相对于从激光头照射的所述激光束的光路的进入和离开。此时，通...

本发明的课题在于提高腔室内的部件的清洁效率。提供一种由具有等离子体处理腔室以及支承等离子体处理腔室内的部件的支承部的等离子体处理装置执行的清洁方法。清洁方法具有：（A）将所述等离子体处理腔室内的部件从所述支承部取下，并从所述等离子体处理...

本公开的接合装置(41)具备第一保持部(230)、第二保持部(231)、可动构件(281a)以及马达(281c)。第一保持部(230)从第一基板(W1)的上方吸附保持第一基板(W1)。第二保持部(231)配置在比第一保持部(230)靠下...

本发明提供维护装置、真空处理系统和维护方法。维护装置包括：形成有开口部的壳体，开口部具有与在处理容器设置有第一开闭门和第二开闭门的真空处理装置的第二开闭门对应的尺寸，第一开闭门用于基片的送入送出，第二开闭门与第一开闭门不同，能够将开口部...

本发明提供一种进行基片的显影处理的显影方法，其特征在于，包括：对所述基片供给包含有机溶剂的显影液的步骤，其中，所述基片具有被曝光成规定的图案的含金属涂敷膜；和对被供给了所述显影液的所述基片供给包含有机溶剂的第一清洗液的步骤，所述含金属涂...

本发明提供提高硅氮化物膜相对于掩模的蚀刻选择比的技术。蚀刻方法包括：（a）将包含层叠膜、层叠膜上的含有硅和氮的单层膜、以及单层膜上的掩模的基片，提供到腔室内的基片支承部上的步骤，其中，层叠膜包含两种以上不同的含硅膜，掩模具有规定至少一个...

本发明的技术问题在于改善金属氧化物抗蚀剂图案的表面粗糙度。其解决方案在于一种基片处理方法，其包括：工序(A)，准备基片；工序(B)，将金属氧化物抗蚀剂材料和包含金属的抑制剂供给至上述基片，其中，上述金属氧化物抗蚀剂材料包含三维地结合有金...

本发明提供基片支承器和等离子体处理装置。本发明的基片支承器包括电介质部和至少一个电极。至少一个电极设置于电介质部之中，用于对载置于电介质部上的物体供给偏置电功率。本发明能够对搭载于基片支承器上的物体高效地供给偏置电功率。

等离子体处理装置包括：腔室；基片支承部，其配置在腔室内，用于支承包含含硅膜的基片；气体供给部，其能够向腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；和等离子体生成部，其能够从处理气体生成等离子体，腔室或配置在腔室内的内部部件中的至少一者含有磷。

本发明提供基片支承器和等离子体处理装置。本发明的基片支承器包括电介质部和至少一个电极。至少一个电极设置于电介质部之中，用于对载置于电介质部上的物体供给偏置电功率。本发明能够对搭载于基片支承器上的物体高效地供给偏置电功率。

本发明提供一种阀和基板处理装置，提供一种在能够使大流量的流体流通的同时能够减少阀芯的滑动量的技术。阀包括：壳体，其在内部具有流体的流路；以及阀芯，其以能够相对于所述壳体旋转的方式设于该壳体，能够开闭所述流路。所述壳体具有包围所述流路的壳...