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SOI晶圆的制造方法技术
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文档序号:15343719
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一种SOI晶圆的制造方法具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的薄膜化处理步骤。该SOI晶圆的制造方法包含:(A1)测定步骤,将形成有SOI层的SOI晶圆在薄膜化处理前的SOI膜厚度予以测定;(A2)旋转步骤,基于借由在(A...
该专利属于信越半导体株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过信越半导体株式会社授权不得商用。
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