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本发明提供了低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该低温多晶硅薄膜晶体管的有源层包括多个子单元，所述多个子单元中低温多晶硅的迁移率不同。该低温多晶硅薄膜晶体管可以有效降低漏电流同时迁移率保持较高水平。...
该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。

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