阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。所述阵列基板包括：基板；形成在所述基板上的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线绝缘交叉限定多个像素单元；所述像素单元包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极与所述像素单元的像素电极电连接；所述薄膜晶体管的有源层具有至少一个沟道区；至少一个所述沟道区包括第一子沟道区和至少一个第二子沟道区；其中，沿与所述沟道区的延伸方向垂直的方向，所述第一子沟道区具有第一宽度，所述第二子沟道区具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。本发明专利技术实施例降低了显示面板的漏电流，提升了低频驱动时的显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示产品的显示效果不断地得到改善，从而使液晶显示产品的应用越来越广泛。显示产品的功耗与显示驱动频率成正比，为降低产品的功耗需要降低显示驱动频率。然而，目前的显示产品在降低驱动频率后，由于漏电流的存在，在保持阶段，像素电极电压不断减小，显示画面容易出现闪烁，影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，以实现降低显示面板的漏电流，提升低频驱动显示效果。本专利技术实施例一方面提供了一种阵列基板，所述阵列包括：基板；形成在所述基板上的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线绝缘交叉限定多个像素单元；所述像素单元包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极与所述像素单元的像素电极电连接；所述薄膜晶体管的有源层具有至少一个沟道区；至少一个所述沟道区包括第一子沟道区和至少一个第二子沟道区；其中，沿与所述沟道区的延伸方向垂直的方向，所述第一子沟道区具有第一宽度，所述第二子沟道区具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。本专利技术实施例另一方面还提供了一种显示面板，所述显示面板包括本专利技术任意实施例所述的阵列基板。本专利技术实施例又一方面还提供了一种显示装置，所述显示面板包括本专利技术任意实施例所述的显示面板。本专利技术实施例提供的阵列基板，薄膜晶体管的有源层具有至少一个沟道区，至少一个所述沟道区包括第一子沟道区和至少一个第二子沟道区，其中，沿与所述沟道区的延伸方向垂直的方向，第一子沟道区具有第一宽度，第二子沟道区具有第二宽度，第二宽度小于第一宽度，通过设置至少一个宽度较小的第二子沟道区，增大了薄膜晶体管的阻值，而薄膜晶体管两端的压差一定，从而降低了薄膜晶体管中的漏电流，使得像素电极电压变化减小，避免了显示画面出现闪烁，提升了低频驱动时的显示效果。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一帧画面内像素电极电压变化示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的示意图；图3是图2中阵列基板沿剖面线A-A的剖面图；图4是图2中阵列基板的局部放大图；图5是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的局部放大图；图6是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的示意图；图7是图6中阵列基板沿剖面线B-B的剖面图；图8是本专利技术实施例提供的一种显示面板的示意图；图9是本专利技术实施例提供的一种显示面板的局部透视图；图10是本专利技术实施例提供的一种显示装置的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1是本专利技术实施例提供的一帧画面内像素电极电压变化示意图，参考图1，Vg为施加到扫描线的栅极驱动信号，Vp为像素电极电压，现有技术中将每一帧画面分为画面充电阶段c和画面保持阶段e，在画面充电阶段c，栅极驱动信号Vg为高电平，与像素电极连接的薄膜晶体管导通，对像素电极充电，使像素电极电压Vp达到相应的灰阶电压，即将整个画面所要显示的信息完成写入；在画面保持阶段e，扫描线线给定某一直流信号或不给信号，薄膜晶体管关闭，直到下一帧信号开始。由于漏电流的影响，在保持阶段e，像素电极会通过薄膜晶体管漏电，像素电极电压Vp随着时间不断减小。若降低显示面板的驱动频率，则保持阶段e的时间变长，像素电极电压Vp的减小量较大，在保持阶段像素电极电压Vp无法满足画面显示要求，容易出现闪烁，影响显示效果。为解决上述问题，本专利技术提供了一种阵列基板，图2是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的示意图，图3是图2中阵列基板沿剖面线A-A的剖面图，参考图2和图3，所述阵列基板包括：基板10，形成在基板10上的多条扫描线110和多条数据线120，多条扫描线110和多条数据线120绝缘交叉限定多个像素单元130。像素单元130包括薄膜晶体管131，薄膜晶体管131的栅极210与扫描线110电连接，源极220与数据线120电连接，漏极230与像素单元130的像素电极132电连接。图4是图2中阵列基板的局部放大图，图4为图2中C区域的局部放大图，参考图3和图4，薄膜晶体管131的有源层240具有至少一个沟道区241。至少一个沟道区241包括第一子沟道区310和至少一个第二子沟道区320。其中，沿与沟道区241的延伸方向垂直的方向，第一子沟道310区具有第一宽度D1，第二子沟道320区具有第二宽度D2，第二宽度D2小于第一宽度D1。其中，薄膜晶体管131的栅极210与扫描线110在同一工艺中形成，栅极210可以为属于扫描线110的一部分，图2和图4中并未进行区分，栅极210与有源层240之间相互交叠。薄膜晶体管131的沟道区241即薄膜晶体管131的有源层240与扫描线110或栅极210的交叠部分。参考图3，像素单元130还包括公共电极133(并未在图2中示出)。具体的，薄膜晶体管131的沟道区241的宽度与薄膜晶体管131的阻值具有一定的反比例关系，沟道区241的宽度减小，薄膜晶体管131的阻值相应的增大。本实施例通过设置薄膜晶体管131的沟道区241具有至少一个宽度较小的第二子沟道区320，增大了薄膜晶体管131的阻值，而薄膜晶体管131两端的电压一定，从而降低了薄膜晶体管131的漏电流，使得像素电极电压的变化减小，避免了像素电极电压减小量过大使显示画面出现闪烁，从而提升了低频驱动显示效果，使得薄膜晶体管131可以采用更低的驱动频率，降低了显示面板的功耗。可选的，第二宽度D2与第一宽度D1的比值小于或等于0.6。具体的，在第一宽度D1固定的情况下，第二宽度D2与第一宽度D1的比值越小，薄膜晶体管131的阻值越大，通过设置D2与D1的比值小于或等于0.6，保证了第二子沟道区320具有较小的宽度，从而保证了薄膜晶体管131具有较大的阻值，降低了薄膜晶体管131的漏电流。另外，第二子沟道区320在沟道区241延伸方向上的长度L与第一宽度D1的比值可以为大于0.25，且小于2。具体的，在第二子沟道区320的宽度D2一定的情况下，第二子沟道区320的长度L越大，薄膜晶体管131的阻值越大。通过设置L与D1的比值为大于0.25，且小于2，在满足了现有工艺要求的前提下，保证了第二子沟道区320具有较大的长度，最大限度的降低了薄膜晶体管131的阻值，降低了漏电流，避免了像素电极电压减小量过大使显示画面出现闪烁，从而提升了低频驱动显示效果。可选的，第一宽度D1的取值范围为2-4微米。具体的，将第一宽度D1设置为2-4微米，保证了薄膜晶体管131的沟道区241的具有较小的宽度，整体上增大了薄膜晶体管131的阻值，减小了薄膜晶体管131的漏电流，提升了低频驱动显示效果。需要说明的是，上述实施方式中D1、D2和L的取值仅仅是在现有工艺条件下给出的最优取值，并非对本专利技术的限定，在工艺条件允许的情况下，D1和D2可以设置的更小，L可以设置的更大。可选的，沿与沟道区241的延伸方向垂直的方向，薄膜晶体管131的有源层240的非沟道区具有第一宽度D1。具体的，非沟道区即有源层240除沟道区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线绝缘交叉限定多个像素单元；所述像素单元包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极与所述像素单元的像素电极电连接；所述薄膜晶体管的有源层具有至少一个沟道区；至少一个所述沟道区包括第一子沟道区和至少一个第二子沟道区；其中，沿与所述沟道区的延伸方向垂直的方向，所述第一子沟道区具有第一宽度，所述第二子沟道区具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上的多条扫描线和多条数据线，所述多条扫描线和所述多条数据线绝缘交叉限定多个像素单元；所述像素单元包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极与所述像素单元的像素电极电连接；所述薄膜晶体管的有源层具有至少一个沟道区；至少一个所述沟道区包括第一子沟道区和至少一个第二子沟道区；其中，沿与所述沟道区的延伸方向垂直的方向，所述第一子沟道区具有第一宽度，所述第二子沟道区具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二宽度与所述第一宽度的比值小于或等于0.6。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二子沟道区在所述沟道区延伸方向上的长度与所述第一宽度的比值大于0.25，且小于2。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一宽度的取值范围为2-4微米。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿与所述沟道区的延伸方向垂直的方向，所述薄膜晶体管的有源层的非沟道区具有第一宽度。6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子沟道区与所述第二子沟道区相连接。7.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子沟道区与所述第二子沟道区之间具有第三子沟道区；沿所述沟道区的延伸方向，所述第三子沟道区沿与所述沟道区的延伸方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：简守甫，曹兆铿，夏志强，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31