阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，所述阵列基板的公共电极和有源层位于同一层，为通过一次构图工艺同时形成。本发明专利技术的技术方案能够减少制备ADS阵列基板时构图工艺的次数，提高生产效率，减少制作成本。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示
。其中，所述阵列基板的公共电极和有源层位于同一层，为通过一次构图工艺同时形成。本专利技术的技术方案能够减少制备ADS阵列基板时构图工艺的次数，提高生产效率，减少制作成本。【专利说明】阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
随着TFT产业的进步及工艺的改善，AD_ADS(ADvancedSuper Dimension Switch,高级超维场转换，简称ADS)广视角技术已被应用到越来越多的产品当中，包括手机、数码相机、平板电脑、笔记本电脑、及液晶电视等，其优良的显示特性已被越来越多的用户所推崇，市场竞争力很强。ADS技术是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高 TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。由于ADS自身的特点，其Array阵列工艺较传统的TN (扭曲向列)产品复杂，构图及Tact Time (节拍时间)均有所增加，因此成本较高。现有ADS产品的阵列基板需要6次或7次构图工艺制作，构图工艺复杂，制作成本较高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够减少制备ADS阵列基板时构图工艺的次数，提高生产效率，减少制作成本。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下:—方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板的公共电极和有源层位于同一层，为通过一次构图工艺同时形成。进一步地，所述阵列基板的公共电极和有源层为采用透明金属氧化物半导体材料制成。进一步地，所述透明金属氧化物半导体材料为非晶IGZO、HIZO、IZO、InZnO, ZnO,TiO2, SnO, CdSnO中的一种或多种。进一步地，所述阵列基板具体包括:衬底基板；所述衬底基板上的栅电极和栅线；所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；所述栅绝缘层上的公共电极和有源层；所述公共电极和有源层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极连接；所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。进一步地，所述阵列基板具体包括:衬底基板；所述衬底基板上的栅电极和栅线；所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；所述栅绝缘层上的公共电极和有源层；所述公共电极和有源层上的沟道保护层；所述沟道保护层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极连接；所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。进一步地，所述阵列基板具体包括:衬底基板；所述衬底基板上的公共电极和有源层；所述公共电极和有源层上的栅绝缘层；所述栅绝缘层上的栅电极和栅线；所述栅电极和所述栅线上的层间绝缘层，所述层间绝缘层包括有对应所述有源层的源电极过孔和漏电极过孔、对应所述公共电极的公共电极线过孔；所述源电极过孔、漏电极过孔、公共电极线过孔还贯穿栅绝缘层；所述层间绝缘层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述源电极和漏电极分别通过所述源电极过孔和漏电极过孔与所述有源层连接，所述公共电极线通过所述公共电极线过孔与所述公共电极连接；所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，通过一次构图工艺同时形成公共电极和有源层的图形。进一步地,所述制作方法包括:在衬底基板上沉积透明金属氧化物半导体层；通过一次构图工艺利用所述透明金属氧化物半导体层同时形成所述公共电极和所述有源层的图形。进一步地，所述在衬底基板上沉积透明金属氧化物半导体层，通过一次构图工艺利用所述透明金属氧化物半导体层同时形成所述公共电极和所述有源层的图形包括:通过溅射方法在衬底基板上沉积一层厚度为20-1000A的透明金属氧化物半导体层；在所述透明金属氧化物半导体层上涂覆光刻胶，曝光显影之后刻蚀所述透明金属氧化物半导体层，并剥离光刻胶，形成由所述透明金属氧化物半导体层组成的所述公共电极和有源层的图形。进一步地,所述制作方法具体包括:提供一衬底基板；通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线的图形；通过一次构图工艺在形成有所述栅电极和栅线的衬底基板上形成所述公共电极和有源层的图形；通过一次构图工艺在形成有所述公共电极和有源层的衬底基板上形成数据线、源电极、漏电极和公共电极线的图形，所述公共电极线与所述公共电极连接；通过一次构图工艺在形成有所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线的衬底基板上形成包括有钝化层过孔的钝化层的图形；通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的衬底基板上形成像素电极的图形，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。进一步地，所述制作方法具体包括:提供一衬底基板；通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线的图形；通过一次构图工艺在形成有所述栅电极和栅线的衬底基板上形成所述公共电极和有源层的图形；通过一次构图工艺在形成有所述公共电极和有源层的衬底基板上形成沟道保护层的图形；通过一次构图工艺在形成有所述沟道保护层的衬底基板上形成数据线、源电极、漏电极和公共电极线的图形，所述公共电极线与所述公共电极连接；通过一次构图工艺在形成有所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线的衬底基板上形成包括有钝化层过孔的钝化层的图形；通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的衬底基板上形成像素电极的图形，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。进一步地,所述制作方法具体包括:提供一衬底基板；通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成所述公共电极和有源层的图形；通过一次构图工艺在形成有所述公共电极和有源层的衬底基板上形成栅电极和栅线的图形；通过一次构图工艺在形成有所述栅电极和栅线的衬底基板上形成包括有源电极过孔、漏电极过孔和公共电极线过孔的层间绝缘层的图形；所述源电极过孔、漏电极过孔、公共电极线过孔还贯穿栅绝缘层；通过一次构图工艺在形成有所述层间绝缘层的衬底基板上形成数据线、源电极、漏电极和公共电极线的图形，所述源电极和漏电极分别通过所述源电极过孔和漏电极过孔与所述有源层连接，所述公共电极线通过所述公共电极线过孔与所述公共电极连接；通过一次构图工艺在形成有所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线的衬底基板上形成包括有钝化层过孔的钝化层的图形；通过一次构图工艺在形成有所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的公共电极和有源层位于同一层，为通过一次构图工艺同时形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程鸿飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：