像素结构制造技术

本发明专利技术公开一种像素结构，包括第一像素单元、第二像素单元、第一绝缘层以及共用电极。第一像素单元配置于基板上，包括第一漏极与第一像素电极。第二像素单元配置于基板上，包括第二漏极与第二像素电极。第一绝缘层覆盖第一漏极与第二漏极。第一像素电极与第二像素电极配置于第一绝缘层上，第一绝缘层具有暴露第一漏极的一第一接触窗开口与暴露第二漏极的一第二接触窗开口。共用电极配置于第一绝缘层上且与第一像素电极与第二像素电极电性绝缘，共用电极具有共用开口，在基板的垂直投影上，第一接触窗开口与第二接触窗开口均落在共用开口的范围内。

【技术实现步骤摘要】
像素结构
本专利技术涉及一种像素结构，且特别是涉及一种相邻像素单元共同使用同一共用电极的共用开口的像素结构。
技术介绍
头戴式显示器(Head-mountDisplay,HMD)是一种配戴在身上的显示器。头戴式显示器是通过在离眼睛很近的位置处设置一透镜组来观看的小型显示器，因此实际上与观看远处大型显示器的效果相似。一般来说，观看显示器的方式包括双眼式和单眼式两种，而显示器的尺寸随着观看方式的不同而改变。为了要开发符合轻薄要求且接近双眼的头戴式显示器，需进一步缩小像素尺寸来提高显示器的分辨率，以达到缩减显示器尺寸的目的。然而，受限于制作工艺极限，像素中的导电结构可能因间隙缩小而短路，使得高分辨率的像素设计难以实现。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种像素结构，能避免像素单元中的导电结构短路。为达上述目的，本专利技术的像素结构包括第一像素单元、第二像素单元、第一绝缘层以及共用电极。第一像素单元配置于基板上，包括第一漏极与第一像素电极。第二像素单元配置于基板上，包括第二漏极与第二像素电极。第一绝缘层覆盖第一漏极与第二漏极。第一像素电极与第二像素电极配置于第一绝缘层上，第一绝缘层具有暴露第一漏极的一第一接触窗开口与暴露第二漏极的一第二接触窗开口。共用电极配置于第一绝缘层上且与第一像素电极与第二像素电极电性绝缘，共用电极具有共用开口，于基板的垂直投影上，第一接触窗开口与第二接触窗开口均落在共用开口的范围内。在本专利技术的一实施例中，于基板的垂直投影上，第一接触窗开口的边缘位于第一漏极的边缘内。在本专利技术的一实施例中，还包括第二绝缘层与第一信号线，第一漏极与第二漏极配置于第二绝缘层上且填入第二绝缘层的一第三接触窗开口与一第四接触窗开口中，第一信号线位于第一像素单元与第二像素单元之间。在本专利技术的一实施例中，在水平方向上，上述的第一接触窗开口的对称中心偏移于第一漏极的对称中心，第一接触窗开口的边缘位于第一漏极的边缘内。在本专利技术的一实施例中，还包括一第一信号线，第一信号线位于第一像素单元与第二像素单元之间，其中第一接触窗开口相对于第一漏极朝第一信号线靠近，第二接触窗开口相对于第二漏极朝第一信号线靠近。在本专利技术的一实施例中，上述的第一接触窗开口暴露部分第一漏极，且第一接触窗开口暴露第一漏极以外的区域。在本专利技术的一实施例中，还包括一第一信号线，第一信号线位于第一像素单元与第二像素单元之间，其中第一接触窗开口相对于第一漏极朝第一信号线靠近，第二接触窗开口相对于第二漏极朝第一信号线靠近，第一接触窗开口与第二接触窗开口暴露第二绝缘层的部分顶部。在本专利技术的一实施例中，还包括第三绝缘层，配置于第一绝缘层上且覆盖部分共用电极，具有第五接触窗开口与一第六接触窗开口，其中第五接触窗开口连通第一接触窗开口，第六接触窗开口连通第二接触窗开口。在本专利技术的一实施例中，上述的第一像素电极配置于第三绝缘层上且经由第五接触窗开口及第一接触窗开口与第一漏极电连接，第二像素电极配置于第三绝缘层上且经由第六接触窗开口及第二接触窗开口与第二漏极电连接。在本专利技术的一实施例中，上述的第一像素单元还包括第一源极与第一通道层，第一源极经由第七接触窗开口与第一通道层电连接。在本专利技术的一实施例中，还包括第三像素单元，具有第三漏极与第三像素电极，其中第三像素单元配置于第一像素单元与第二像素单元之间。在本专利技术的一实施例中，上述的第一绝缘层更覆盖第三漏极，第三像素电极配置于第一绝缘层上，第一绝缘层更具有暴露第三漏极的第八接触窗开口，于基板的垂直投影上，第一接触窗开口、第二接触窗开口以及第八接触窗开口均落在共用开口的范围内。在本专利技术的一实施例中，上述的基板的垂直投影上，第一接触窗开口与第一漏极部分重叠，第二接触窗开口与第二漏极部分重叠，且第八接触窗开口的边缘位于第三漏极的边缘内。在本专利技术的一实施例中，还包括第一信号线与第二信号线，第一信号线位于第一像素单元与第三像素单元之间，第二信号线位于第二像素单元与第三像素单元之间，其中第八接触窗开口与第一信号线与第二信号线之间的距离实质上相同，第一接触窗开口相对于第一漏极朝第一信号线靠近，第二接触窗开口相对于第二漏极朝第二信号线靠近。在本专利技术的一实施例中，还包括第三绝缘层，配置于第一绝缘层上且覆盖部分共用电极，具有第五接触窗开口、第六接触窗开口以及第九接触窗开口，其中第五接触窗开口连通第一接触窗开口，第六接触窗开口连通第二接触窗开口，第九接触窗开口连通第八接触窗开口。在本专利技术的一实施例中，上述的第一像素电极经由第五接触窗开口及第一接触窗开口与第一漏极电连接，第二像素电极经由第六接触窗开口及第二接触窗开口与第二漏极电连接，第三像素电极经由该九接触窗开口及第八接触窗开口与第三漏极电连接。基于上述，在本专利技术中，绝缘层具有分别暴露出像素单元的漏极的接触窗开口，而共用电极的共用开口同时暴露两相邻的像素单元的接触窗开口。如此一来，可以使得共用开口与接触窗开口之间具有足够的间隔，以避免共用电极与漏极短路。因此，像素结构具有良好的元件特性。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图1A是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的示意图，以及图1B是沿图1A的A-A’的剖面示意图；图2A是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的示意图，以及图2B是沿图2A的A-A’的剖面示意图；图3A是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的示意图，以及图3B是沿图3A的A-A’的剖面示意图；图4A是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的示意图，以及图4B是沿图4A的A-A’的剖面示意图；图5A是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的示意图，以及图5B是沿图5A的A-A’的剖面示意图；图6A是现有一种像素结构的局部示意图，以及图6B至图6D分别是图1A、图4A以及图5A的局部放大示意图。符号说明10：像素结构100、100a、100b、100c：像素单元110：基板120：通道层130：栅绝缘层132、152、154、182、182a、182b、182c、202：接触窗开口140：扫描线142：栅极150：第二绝缘层150a：顶部160、160a、160b：数据线162：源极164：漏极180：第一绝缘层190：共用电极191：开口192：共用开口200：第三绝缘层210：像素电极210a、210b：边212：电极条a：宽度b、d：距离c：尺寸θ：夹角具体实施方式图1A是依照本专利技术的一实施例的一种像素结构的示意图，以及图1B是沿图1A的A-A’的剖面示意图。请同时参照图1A与图1B，在本实施例中，像素结构10包括基板110、两相邻像素单元100a、100b、第一绝缘层180以及共用电极190。第三绝缘层200。数据线160例如是位于两相邻的像素单元100a、100b之间。在本实施例中，是以数据线160为直线为例，但本专利技术不以此为线，在其他实施例中，数据线160也可以是弯折线或其他形状的线。在本实施例中，像素单元100a、100b例如是位于基板110上。像素单元100a、100b例如是包括栅极142、通道层120、源极162与漏极164以及像素电极210。其中，源极162与漏极164电连接通道层120并与栅极142构成薄膜晶体管。在本实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，包括：第一像素单元，配置于一基板上，包括第一漏极与第一像素电极；第二像素单元，配置于该基板上，包括第二漏极与第二像素电极；第一绝缘层，覆盖该第一漏极与该第二漏极，其中该第一像素电极与该第二像素电极配置于第一绝缘层上，该第一绝缘层具有暴露该第一漏极的一第一接触窗开口与暴露该第二漏极的一第二接触窗开口；以及共用电极，配置于该第一绝缘层上且与该第一像素电极与该第二像素电极电性绝缘，该共用电极具有一共用开口，于该基板的垂直投影上，该第一接触窗开口与该第二接触窗开口均落在该共用开口的范围内。

【技术特征摘要】
2016.03.14 TW 1051077441.一种像素结构，包括：第一像素单元，配置于一基板上，包括第一漏极与第一像素电极；第二像素单元，配置于该基板上，包括第二漏极与第二像素电极；第一绝缘层，覆盖该第一漏极与该第二漏极，其中该第一像素电极与该第二像素电极配置于第一绝缘层上，该第一绝缘层具有暴露该第一漏极的一第一接触窗开口与暴露该第二漏极的一第二接触窗开口；以及共用电极，配置于该第一绝缘层上且与该第一像素电极与该第二像素电极电性绝缘，该共用电极具有一共用开口，于该基板的垂直投影上，该第一接触窗开口与该第二接触窗开口均落在该共用开口的范围内。2.如权利要求1所述的像素结构，其中于该基板的垂直投影上该第一接触窗开口的边缘位于该第一漏极的边缘内。3.如权利要求2所述的像素结构，还包括第二绝缘层与第一信号线，该第一漏极与该第二漏极配置于该第二绝缘层上且填入该第二绝缘层的一第三接触窗开口与一第四接触窗开口中，该第一信号线位于该第一像素单元与该第二像素单元之间。4.如权利要求1所述的像素结构，其中在水平方向上，该第一接触窗开口的对称中心偏移于该第一漏极的对称中心，该第一接触窗开口的边缘位于该第一漏极的边缘内。5.如权利要求4所述的像素结构，还包括第一信号线，该第一信号线位于该第一像素单元与该第二像素单元之间，其中该第一接触窗开口相对于该第一漏极朝该第一信号线靠近，该第二接触窗开口相对于该第二漏极朝该第一信号线靠近。6.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一接触窗开口暴露部分该第一漏极，且该第一接触窗开口暴露该第一漏极以外的区域。7.如权利要求6所述的像素结构，还包括第二绝缘层与第一信号线，该第一信号线位于该第一像素单元与该第二像素单元之间，其中该第一接触窗开口相对于该第一漏极朝该第一信号线靠近，该第二接触窗开口相对于该第二漏极朝该第一信号线靠近，该第一接触窗开口与该第二接触窗开口暴露该第二绝缘层的部分顶部。8.如权利要求1所述的像素结构，还包括第三绝缘层，配置于该第一绝缘层上且覆盖部分该共用电极，具有第五接触窗开口与第六接触窗开口，其中该第五接触窗开口连通该第一接触窗开口，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕思慧，苏志中，李明贤，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71