像素结构制造技术

本发明专利技术公开了一种像素结构，其包括：像素电极；主动开关，耦接于所述像素电极；共通线，跟所述像素电极之间形成有一第一存储电容；以及L形导电线，跟所述像素电极之间形成有一第二存储电容。本发明专利技术像素结构具有并列的多个存储电容同时保持像素结构的像素电压大小，减小多个寄生电容的影响，改善耦合效应的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种像素结构，更具体的说，涉及一种可改善改善耦合效应的像素结构的制造方法。
技术介绍
近年来，随着科技的进步，许多不同的显示设备，例如液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)或电激发光(ElectroLuminenscence，EL)显示设备已广泛地应用于平面显示器。以液晶显示器为例，液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其是由液晶显示面板及背光模块(backlightmodule)所组成。液晶显示面板是由两片透明基板以及被封于基板之间的液晶所构成。现有的液晶显示器，通常是根据图像信息通过多个像素(pixel)电极分别提供数据信号，并且控制多个像素单元的透光率来显示所需图像。具体的是，每一个像素电极都分别耦合有数据线和扫描线，扫描线通过TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)和像素电极耦合。通过扫描线控制TFT打开，数据线为像素电极充电。但是，数据线在充电过程中产生多个寄生电容，多个寄生电容会因为耦合效应(Crosstalk)使像素电极的电压被share(分压)，导致像素电极的电压不足进而造成显示产色异常。而且随着分辨率越来越高，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：像素电极；主动开关，耦接于所述像素电极；共通线，跟所述像素电极之间形成有一第一存储电容；以及L形导电线，跟所述像素电极之间形成有一第二存储电容。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：像素电极；主动开关，耦接于所述像素电极；共通线，跟所述像素电极之间形成有一第一存储电容；以及L形导电线，跟所述像素电极之间形成有一第二存储电容。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一存储电容的一端是耦接于所述主动开关，所述第一存储电容的另一端是耦接于一共通线。3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一存储电容的一端是耦接于所述主动开关，所述第一存储电容的另一端是耦接于所述扫描线的其中之一。4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一存储电容及第二存储电容是由第一导电层、第二导电层及第三导电层所形成，所述第一导电层和所述主动开关的漏极耦合；所述第二导电层和第一电压线耦合；所述第三导电层和第二电压线耦合，以形成所述L形导电线；所述第一导电层、第二导电层和第三导电层三者叠放且间隔设置，所述第一导电层、第二导电层和第三导电层三者在垂直空间上相互覆盖。5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述第一电压线包括共通线。6.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述第二电压线和共通线在第一导电层覆盖区域内重叠设置。7.如权利要求4所述的像素电路结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈猷仁，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，重庆惠科金渝光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44