TFT-LCD像素结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种TFT-LCD像素结构及其制作方法，所述TFT-LCD像素结构包括形成于基板上的栅极线、TFT开关及像素电极。所述TFT开关包括圆形漏极、环形半导体层、环形源极及保护层。所述圆形漏极绝缘地形成于所述栅极线上。所述环形半导体层环设于所述圆形漏极的周围。所述环形源极环设于所述环形半导体层的周围。所述保护层形成于所述圆形漏极、环形半导体层及环形源极上，其中所述保护层在所述圆形漏极上形成一过孔，且所述像素电极经由所述过孔与所述圆形漏极电性连接。本发明专利技术的TFT-LCD像素结构可提升开口率并提高像素电极的充电能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，特别涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystal display,TFT-LCD)像素结构及其制作方法。
技术介绍
随着液晶显示技术的进步，薄膜晶体管阵列(TFT array)基板上的像素数量逐步提升，也就是说，显示面板上的每英寸像素(Pixels Per Inch,PPI)也同步提升。因此，控制每一像素亮度的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的数量也日益增加。然而，在同样的面积下，需要设置越来越多的TFT开关以及多条栅极线及数据线，使得液晶面板的透光的开口率逐渐下降。为提升开口率，TFT开关的制作尺寸也越来越小，这将造成像素电极充电能力越受考验。图1为现有TFT-LCD像素结构的剖面示意图，如图1所示，TFT开关10包括了栅极11、与数据线连接的源极12及与像素电极15的漏极13。TFT开关10上需设有一预定厚度的保护层，简称OC(Over Coat)层17。像素电极15与源极12需要通过过孔19电性连接。然而，缩小的TFT开关10的漏极13同样也缩小了，因此使得像素电极15与漏极13连接的区域也同步缩小。此将影响到像素电极15的导电度，而降低了像素电极15的充电能力。同时，由于OC层17过大而导致过孔19较大，也会的阻碍到像素开口率的提升。
技术实现思路
r>本专利技术的一个目的在于提供一种TFT-LCD像素结构，其将TFT开关的源极及漏极设置在栅极线上，而提升了开口率。另外，本专利技术将漏极设计为圆形，而源极设置为围绕漏极的环形，使得像素电极与漏极的接触面积增加，而提高了像素电极的充电能力。本专利技术的另一个目的在于提供一种TFT-LCD阵列基板，其将TFT开关的源极及漏极设置在栅极线上，而提升了开口率，同时将漏极设计为圆形，使得像素电极与漏极的接触面积增加，而提高了像素电极的充电能力。本专利技术的再另一个目的在于提供一种TFT-LCD像素结构的制作方法，其提供制作上述TFT-LCD像素结构的具体步骤，以解决现有面板的问题。为解决上述问题，本专利技术的优选实施例提供了一种TFT-LCD像素结构，其包括形成于基板上的栅极线、TFT开关及像素电极。所述TFT开关包括圆形漏极、环形半导体层、环形源极及保护层。所述圆形漏极绝缘地形成于所述栅极线上。所述环形半导体层环设于所述圆形漏极的周围。所述环形源极环设于所述环形半导体层的周围。所述保护层形成于所述圆形漏极、环形半导体层及环形源极上，其中所述保护层在所述圆形漏极上形成一过孔，且所述像素电极经由所述过孔与所述圆形漏极电性连接。在本专利技术优选实施例中，所述过孔的大小约等于所述圆形漏极的大小。优选地，所述过孔为圆形。在本专利技术优选实施例中，所述栅极线具有预定宽度，且定义出条状遮蔽区。进一步来说，所述圆形漏极、环形半导体层及环形源极皆位于所述条状遮蔽区内。另外，所述栅极线上设置有栅绝缘层，且所述圆形漏极、环形半导体层及环形源极皆形成于所述栅绝缘层上。在本专利技术优选实施例中，所述圆形漏极的中心定义有一开孔，所述开孔与所述过孔连接。在本专利技术优选实施例中，所述环形半导体层包括环形有源层、第一环形欧姆接触层及第二环形欧姆接触层。所述第一环形欧姆接触层设置于所述环形有源层的内缘，用于与所述圆形漏极接触。所述第二环形欧姆接触层设置于所述环形有源层的外缘，用于与所述环形源极接触。本专利技术的另一优选实施例提供了一种TFT-LCD阵列基板，其包括形成于基板上的多条栅极线、多条数据线、多个TFT开关及多个像素电极。每个TFT开关包括：圆形漏极，绝缘地形成于所述栅极线上；环形半导体层，环设于所述圆形漏极的周围；环形源极，环设于所述环形半导体层的周围；以及保护层，形成于所述圆形漏极、环形半导体层及环形源极上，其中所述保护层在所述圆形漏极上形成过孔，且所述像素电极经由所述过孔与所述圆形漏极电性连接。在本专利技术优选实施例中，所述数据线耦接所述环形源极的外缘。同样地，为解决上述问题，本专利技术的另一优选实施例提供了一种TFT-LCD像素结构的制作方法，包括下列步骤：在基板上形成栅极线；在所述栅极线上形成栅绝缘层；采用光罩工艺在所述栅绝缘层上形成圆形漏极及环设于所述圆形漏极周围的环形源极；在所述栅绝缘层上形成位于所述圆形漏极及所述环形源极之间的环形半导体层；形成位于所述圆形漏极、环形半导体层及环形源极上的保护层，其中所述保护层在所述圆形漏极上形成一过孔；以及在所述保护层上形成像素电极，其中所述像素电极经由所述过孔与所述圆形漏极电性连接。在本专利技术优选实施例中，形成所述环形半导体层的步骤包括：采用镀膜工艺形成欧姆接触层；图形化所述欧姆接触层，以形成与圆形漏极的外缘接触的第一环形欧姆接触层，以及与所述环形源极的内缘接触的第二环形欧姆接触层；以及形成位于所述第一环形欧姆接触层及所述第二环形欧姆接触层之间的环形有源层。相对于现有技术，本专利技术将TFT开关的源极、漏极及半导体层设置在同一平面上，且漏极、半导体层及源极呈现为同心圆的设计。而本专利技术的圆形漏极、环形半导体层及环形源极设置在栅极线上，而过孔直接做在圆形漏极之上，而提升了开口率。另外，本专利技术圆形漏极与环形源极增大了导电沟道面积，从而提高了像素电极的充电能力。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：【附图说明】图1为现有TFT-LCD像素结构的剖面示意图；图2为本专利技术一优选实施例的TFT-LCD像素结构的局部俯视示意图；图3为图1沿AA线段的俯视示意图；图4为本专利技术一优选实施例的TFT-LCD像素结构的剖面示意图；图5为另一实施例的局部剖面示意图；图6为本专利技术一优选实施例的TFT-LCD像素结构的制作方法的流程图。【具体实施方式】以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。请参阅图2至图4，图2为本专利技术一优选实施例的TFT-LCD像素结构的局部俯视示意图，图3为图1沿AA线段的俯视示意图，图4为本专利技术一优选实施例的TFT-LCD像素结构的剖面示意图。需注意的是，上述图式仅是用来说明，并未以实际比例绘制。如图所示，本实施例的TFT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT‑LCD像素结构，包括形成于基板上的栅极线、TFT开关及像素电极，其特征在于，所述TFT开关包括：圆形漏极，绝缘地形成于所述栅极线上；环形半导体层，环设于所述圆形漏极的周围；环形源极，环设于所述环形半导体层的周围；以及保护层，形成于所述圆形漏极、环形半导体层及环形源极上，其中所述保护层在所述圆形漏极上形成一过孔，且所述像素电极经由所述过孔与所述圆形漏极电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种TFT-LCD像素结构，包括形成于基板上的栅极线、TFT
开关及像素电极，其特征在于，所述TFT开关包括：
圆形漏极，绝缘地形成于所述栅极线上；
环形半导体层，环设于所述圆形漏极的周围；
环形源极，环设于所述环形半导体层的周围；以及
保护层，形成于所述圆形漏极、环形半导体层及环形源极上，
其中所述保护层在所述圆形漏极上形成一过孔，且所述像素电极
经由所述过孔与所述圆形漏极电性连接。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所
述过孔的大小约等于所述圆形漏极的大小。
3.根据权利要求2所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所
述过孔为圆形。
4.根据权利要求1所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所
述栅极线具有预定宽度，且定义出条状遮蔽区。
5.根据权利要求4所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所
述圆形漏极、环形半导体层及环形源极皆位于所述条状遮蔽区
内。
6.根据权利要求5所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所
述栅极线上设置有栅绝缘层，且所述圆形漏极、环形半导体层及
环形源极皆形成于所述栅绝缘层上。
7.根据权利要求1所述的TFT-LCD像素结构，其特征在于，所

\t述圆形漏极的中心定义有一开孔，所述开孔与所述过孔连接。

【专利技术属性】
技术研发人员：唐岳军，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44