像素结构制造技术

本发明专利技术公开了一种像素结构，包括设置在彩膜基板上的各个色阻上的第一透明导电膜，与第一透明导电膜相对应的设置在阵列基板上的子像素区域上的第二透明导电膜，各第一透明导电膜相连。其中，各第一透明导电膜在第二透明导电膜上的正投影面积等于相应第二透明导电膜的面积。本发明专利技术的像素结构具有更高的光透过率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于液晶显示
，具体涉及一种像素结构。
技术介绍
UV2A的名称来源于紫外线(UV)与液晶面板的VA方式相乘。其关键是利用作为配向膜的特殊高分子材料，高精度地控制液晶分子沿着紫外线方向倾斜。其基本原理是在玻璃基板上涂覆对紫外线具有反应的特殊配相膜，当该配相膜受到紫外线照射后，配相膜就会沿着照射方向发生偏转，从而能够高精度地控制液晶分子沿着紫外线照射的角度和方向倾斜。UV2A技术具有高开口率、高对比、快速响应等特性。结合图6和图7所示，现有技术中的像素结构100’在采用UV2A技术下，以图6所示的配向方式为例(如图中实线箭头方向所示)，会形成如图7所示的黑纹10’。如图7所示，由于像素结构100’的四周由于边缘电场(如图中实线箭头所示)的作用，使液晶的方向均由边缘朝向子像素结构100’的内部(如图中虚线箭头所示)。当边缘电场的作用力方向与液晶分子转动方向的夹角小于90度时，像素结构100’的边缘不会被液晶分子遮挡而产生黑纹12’ ；当边缘电场的作用力方向与液晶分子转动方向的夹角大于90度时，像素结构100’的边缘会被液晶分子遮挡而产生暗纹12’。通常情况下，在一个像素结构100’中，黑纹10’的中间为呈十字状的垂直黑纹11’，四周为占像素结构100’边缘的一半的边缘黑纹12’。在该黑纹10’的形状中，垂直黑纹11’由于UV2A特殊的正交垂直光配向方式客观存在，因而无法消除，而边缘黑纹12’通过对像素结构100’的改变可以进行调整，对边缘黑纹12’的消除可大大地提高像素结构100’的光透过率。针对上述技术存在的问题，在本领域中希望寻求一种像素结构，在该像素结构的四周边缘处能够产生更少的黑纹，从而提高像素结构的光透过率，以解决现有技术中的不足之处。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的不同之处，提出了一种像素结构。根据本专利技术提供的一种像素结构，包括:设置在彩膜基板上的各个色阻上的第一透明导电膜，与第一透明导电膜相对应的设置在阵列基板上的子像素区域上的第二透明导电膜，各第一透明导电膜相连。其中，各第一透明导电膜在第二透明导电膜上的正投影面积等于相应第二透明导电膜的面积。在现有技术的像素结构中，第一透明导电膜的面积通常情况下大于第二透明导电膜的面积，当采用UV2A技术时，由于UV2A的边缘电场效应，在第一透明导电膜的边缘上会形成额外的黑纹，而在本专利技术提供的像素结构中，将各第一透明导电膜在第二透明导电膜上的正投影面积设置成等于相应第二透明导电膜的面积，从而减小了第一透明导电膜的开口区，这便大大减轻了在第一透明导电膜边缘处黑纹的产生，从而提高了像素结构的光透过率。在一些实施方案中，第一透明导电膜与第二透明导电膜构造成相同的矩形。该设置以最简洁的方式实现了第一透明导电膜较高的光透过率。在一些实施方案中，第一透明导电膜的四条矩形边中的一条或多条构造成弧形边。形成的弧形边可更好地适应由于边缘电场效应在第一透明导电膜边缘处产生的黑纹的形状，即该弧形边可对边缘处产生的黑纹作进一步遮挡，使边缘处产生的黑纹继续移出第一透明导电膜的开口区，从而进一步减少黑纹的产生。在一些实施方案中，第一透明导电膜的各矩形边均构造成弧形边。该方案有利于减小第一透明导电膜的各个矩形边处产生的黑纹，从而进一步减少黑纹的产生。在一些实施方案中，弧形边构造成介于第一透明导电膜的一条矩形边的端点与第一透明导电膜的一条矩形边的中点之间。由于在第一透明导电膜的边缘处均会产生占第一透明导电膜边缘的一半的边缘黑纹，因此通过在产生该边缘黑纹的位置设置弧形边即可使黑纹无法显现在第一透明导电膜上。然而，值得注意的是，由于黑纹的形成与配向的区域的多少密切相关，在同一个区域内，液晶分子的初始配向角度都是一样的，在加电压后，就可以向着初始配向角度的方向倾倒。但是不同的区域内初始配向角度不同，因此弧形边的具体弧度和形状需要根据具体的配向方式进行设定。在一些实施方案中，各弧形边互不相连。由于在第一透明导电膜的边缘产生互不干涉的黑纹，因此该方案将弧形边也对应设置成互不干涉，从而进一步消除像素结构边缘处的黑纹。在一些实施方案中，各第一透明导电膜通过与透明导电膜相同的材料连接在一起。例如可通过对现有的像素结构中的第一透明导电膜进行部分材料的去除，即可实现该方案。在一些实施方案中，相邻两个第一透明导电膜的相对的边的中点对应相连。该方案易于实现，并且能够使各第一透明导电膜彼此之间的连接达到较优的稳定性。在一些实施方案中，在任意呈矩阵分布的四个第一透明导电膜中，四个第一透明导电膜彼此相对的四个端点交叉相连。该方案中各第一透明导电膜的连接方式简单，仅需连接两次即可一次性完成对四个第一透明导电膜的连接。在一些实施方案中，相邻两个第一透明导电膜的相对的边的中点也对应相连。该设置可提高各第一透明导电膜彼此连接的稳定性。与现有技术相比，本专利技术的像素结构通过将各第一透明导电膜在第二透明导电膜上的正投影面积设置成等于相应第二透明导电膜的面积，从而减小了第一透明导电膜的开口区，这便大大减轻了在第一透明导电膜边缘处黑纹的产生，从而提高了像素结构的光透过率。本专利技术的像素结构可在现有像素结构的基础上进行改进处理，这便提高了像素结构的生产效率，节约了像素结构的生产成本。【附图说明】在下文中将基于实施例并参考附图来对本专利技术进行更详细的描述。其中:图1是根据本专利技术的像素结构的部分结构示意图；图2是根据本专利技术的像素结构的第一透明导电膜的示意图；图3是各个第一透明导电膜相互连接的第一实施例的结构示意图；图4是各个第一透明导电膜相互连接的第二实施例的结构示意图；图5是各个第一透明导电膜相互连接的第三实施例的结构示意图；图6是现有技术中像素结构上的UV2A配向方式示意图；图7是现有技术中的像素结构上形成的黑纹的示意图。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。【具体实施方式】下面将结合附图对本专利技术作进一步说明。这里所介绍的细节是示例性的，并仅用来对本专利技术的实施例进行例证性讨论，它们的存在是为了提供被认为是对本专利技术的原理和概念方面的最有用和最易理解的描述。关于这一点，这里并没有试图对本专利技术的结构细节作超出于基本理解本专利技术所需的程度的介绍，本领域的技术人员通过说明书及其附图可以清楚地理解如何在实践中实施本专利技术的几种形式。图1显示了根据本专利技术提供的一种像当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，包括：设置在彩膜基板上的各个色阻上的第一透明导电膜，与所述第一透明导电膜相对应的设置在阵列基板上的子像素区域上的第二透明导电膜，各所述第一透明导电膜相连，其中，各所述第一透明导电膜在所述第二透明导电膜上的正投影面积等于相应所述第二透明导电膜的面积。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚晓慧，彭邦银，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44