像素结构制造技术

本发明专利技术公开了一种像素结构，用以驱动发光二极管。像素结构包括：驱动晶体管、耦合开关、扫描开关、电容、激光开关以及设定开关。驱动晶体管耦接至发光二极管或操作电源并接收偏压电压。耦合开关依据扫描信号以导通或断开。扫描开关受控于扫描信号以导通或断开。电容的第一端耦接扫描开关的第二端，电容的第二端提供偏压电压至驱动晶体管的控制端。激光开关依据激光控制信号以导通或断开。设定开关依据激光控制信号以导通或断开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种驱动发光二极管的像素结构。
技术介绍
发光二极管(light emitting d1de, LED)由于具有省电、使用寿命长、启动快速、体积小等多种优点，因此近年来被广泛的应用在平面显示器中。其中，有机发光二极管(organic light emitting d1de, OLED)又因为高亮度、高对比度、自发光、无视角限制、无需背光结构等优点，在目前已逐渐成为平面显示器中最具有发展潜力的一种技术。而在现有技术的平面显示器中，常见有主动式发光二极管显示面板以及被动式发光二极管显示面板。在现有技术的主动式发光二极管面板中，常通过驱动晶体管以接收驱动电压来产生驱动电流以驱使发光二极管发光。为了可以稳定的控制发光二极管的亮度，驱动晶体管通常被操作在饱和区以提供稳定的驱动电流。然而，依据晶体管饱和区的电流公式可以得知，驱动电流会随着驱动晶体管的临界电压的改变而发生变化。另外，随着像素结构的设计，驱动晶体管所产生的电流，也可能随着其所驱动的负载(发光二极管)的临界电压而改变，亦有可能随着面板中的电流电阻电压降(IR drop)所造成的接地电压的漂移而生改变。因此，要在长时间的工作下，稳定发光二极管产生的亮度，为本领域的技术人员的重大课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，补偿因电路元件的电气特性发生变异时，所产生的显示不均匀现象。本专利技术的像素结构用以驱动发光二极管，包括:驱动晶体管、耦合开关、扫描开关、电容、激光开关以及设定开关。驱动晶体管具有第一端、第二端以及控制端，其第二端耦接至发光二极管或操作电源，其控制端接收偏压电压。耦合开关耦接在驱动晶体管的控制端与第一端间，依据扫描信号以导通或断开。扫描开关的第一端接收显示数据电压，扫描开关受控于扫描信号以导通或断开。电容的第一端耦接扫描开关的第二端，电容的第二端提供偏压电压至驱动晶体管的控制端。激光开关耦接在操作电源以及驱动晶体管的第一端间，或耦接在驱动晶体管的第一端与发光二极管间，依据激光控制信号以导通或断开。设定开关耦接在参考电压以及扫描开关的第二端间，依据激光控制信号以导通或断开。基于上述，本专利技术提供的像素结构针对于现有技术其功效在于，可以适当的设定驱动晶体管所接收的偏压电压，使驱动晶体管所产生的驱动电流的电流大小与驱动晶体管的临界电压、发光二极管的临界电压以及因电流电阻电压降(IR drop)所产生的参考接地电压的变异无关，可有效控制发光二极管的亮度，提升其效能。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。【附图说明】图1绘示本专利技术一实施例的像素结构的示意图；图2绘示本专利技术另一实施例的像素结构的示意图；图3绘示本专利技术实施例的像素架构的动作波形图；图4A以及4B分别绘示本专利技术图2实施例的驱动电流误差率与电流电阻压降以及驱动晶体管临界电压变化的关系图；图5绘示本专利技术再一实施例的像素结构的示意图；图6A以及图6B绘示本专利技术不同实施例的像素结构的示意图；图7绘示本专利技术更一实施例的像素结构的示意图；图8绘示本专利技术实施例的像素架构的动作波形图；图9A以及图9B绘示本专利技术不同实施例的像素结构的示意图。其中，附图标记:100、200、500、600、700、900:像素结构LED:发光二极管Tl:驱动晶体管CSW:耦合开关SCSff:扫描开关C1、C2:电容ESff:激光开关SESff:设定开关G:控制端OVDD:操作电源EM:激光控制信号VSUS:参考电压OVSS:参考接地电压 DATA:显示数据电压SCAN:扫描信号TC、TSC、TE、TSE、TA:晶体管RESET:重置时间周期COMPl、COMP2:补偿时间周期410、420:曲线ASff:辅助开关EMN:辅助控制信号EMISS:激光时间周期【具体实施方式】请参照图1，图1绘示本专利技术一实施例的像素结构的示意图。像素结构100可用以驱动发光二极管LED，其中的发光二极管LED可以是有机的也可以是无机的发光二极管。像素结构100包括驱动晶体管Tl、耦合开关CSW、扫描开关SCSW、电容Cl、激光开关ESW以及设定开关SESW。驱动晶体管Tl具有第一端、第二端以及控制端G，其第二端耦接至发光二极管LED的阳极，其控制端G接收偏压电压。耦合开关CSW耦接在驱动晶体管Tl的控制端G与第一端间，親合开关CSW并依据扫描信号SCAN以导通或断开。扫描开关SCSW的第一端接收显示数据电压DATA，扫描开关SCSW并受控于扫描信号SCAN以导通或断开。电容Cl的第一端耦接扫描开关SCSW的第二端，另外，电容Cl的第二端提供偏压电压至驱动晶体管的控制端G。激光开关ESW耦接在操作电源OVDD以及驱动晶体管Tl的第一端间，并依据激光控制信号EM以导通或断开。设定开关SESW耦接在参考电压VSUS以及扫描开关CSW的第二端间，设定开关SESW依据激光控制信号EM以导通或断开。此外，发光二极管LED的阴极耦接至参考接地电压OVSS。 值得注意的是，在本实施例中，参考电压VSUS的电压值不大于操作电源OVDD的电压值，且参考电压VSUS的电压值大于显示数据电压DATA的电压值。另外，激光开关ESW以及设定开关SESW实质上是会同时被导通或被断开，而扫描开关SCSW以及耦合开关CSW则实质上同时被导通或被断开。以下请参照图2，图2绘示本专利技术另一实施例的像素结构的示意图。像素结构200包括驱动晶体管Tl、耦合开关CSW、扫描开关SCSW、电容Cl、激光开关ESW以及设定开关SESW。其中，耦合开关CSW、扫描开关SCSW、激光开关ESW以及设定开关SESW分别为由晶体管TC、TSC、TE以及TSE所建构的晶体管开关。在本实施例中，晶体管TC、TSC、TE以及TSE皆为N型晶体管。在电路的动作方面，请同步参照图3以及图2，其中图3绘示本专利技术实施例的像素架构的动作波形图。其中，在重置时间周期RESET中，激光控制信号EM以及扫描信号SCAN为高准位信号(例如逻辑高准位)，激光开关ESW以及设定开关SESW依据激光控制信号EM被导通，同时，扫描开关SCSW以及耦合开关CSW依据扫描信号SCAN被导通。此时，驱动晶体管Tl的控制端G上所接收的偏压电压实质上等于操作电源OVDD (通过导通的激光开关ESff以及耦合开关CSW)。另外，显示数据电压DATA通过扫描开关SCSW传送至电容Cl与扫描开关SCSW连接的端点。接着，在第一补偿时间周期COMPl中，激光控制信号EM转态为低准位信号(例如逻辑低准位)，扫描信号SCAN维持为高准位信号。相对应的，激光开关ESW及设定开关SESW被断开，扫描开关SCSW以及耦合开关CSW维持被导通。并使偏压电压实质上等于Vth+VOLED+OVSS，其中，Vth为驱动晶体管Tl的临界电压，VOLED为发光二极管LED的临界电压。接着，在第二补偿时间周期C0MP2中，扫描信号SCAN转态为低准位信号，激光控制信号EM维持在低准位信号，并使激光开关ESW、设定开关SESW、扫描开关SCSW以及耦合开关CSW被断开。在激光时间周期EMISS中，激光控制信号EM转态为高准位信号，扫描信号SCAN则维持为低准位信号，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，用以驱动一发光二极管，其特征在于，包括：一驱动晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第二端耦接至该发光二极管或一操作电源，其控制端接收一偏压电压；一耦合开关，耦接在该驱动晶体管的控制端与第一端间，依据一扫描信号以导通或断开；一扫描开关，其第一端接收一显示数据电压，该扫描开关受控于该扫描信号以导通或断开；一电容，其第一端耦接该扫描开关的第二端，该电容的第二端提供该偏压电压至该驱动晶体管的控制端；一激光开关，耦接在该操作电源以及该驱动晶体管的第一端间，或耦接在该驱动晶体管的第一端与该发光二极管间，依据一激光控制信号以导通或断开；以及一设定开关，耦接在一参考电压以及该扫描开关的第二端间，依据该激光控制信号以导通或断开。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄建中，刘立伟，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71