本发明专利技术提供一种像素结构，包括一扫描线、一数据线、一第一栅极、一第二栅极、一第三栅极、一半导体层、一源极、一第一漏极、一第二漏极、一第一像素电极以及一第二像素电极。数据线与扫描线交错。半导体层配置于扫描线上以定义出第一栅极与第二栅极。源极直接连接数据线，且位于第一栅极与第二栅极之间。第一栅极位于第一漏极与源极之间。第二栅极位于第二漏极与源极之间。第三栅极电性连接扫描线。第一像素电极与第二像素电极分别电性连接第一漏极与第二漏极。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种像素结构，尤其涉及一种具有双重有源元件的像素结构。
技术介绍
目前在液晶显示器中，能够达到广视角要求的技术有扭转向列型液晶(TN)加上广视角膜(wide viewing film)、平面切换式(in-plane switching，IPS)液晶显示器、边际场切换式(fringe field switching, FFS)液晶显示器与多域垂直配向式(multi-domain vertically alignment，MVA)薄膜电晶体液晶显示器等方式。以多域垂直配向式液晶显示器为例，由于形成于彩色滤光基板或薄膜电晶体阵列基板上的配向凸起物(alignment protrusion)或狭缝(slit)可以使得液晶分子呈多方向排列，而得到多个不同配向区域 (domains)，因此多域垂直配向式液晶显示器能够达到广视角的要求。虽然垂直配向式液晶显示器通过多配向区域的设计能够达到广视角的要求，然而随着观察视角的改变，多域垂直配向式液晶显示器所显示出的亮度会产生变化。也就是说，多域垂直配向式液晶显示器存在色偏(color shift)等问题。为了解决色偏或色饱和度不足的问题，已有多种技术相继被提出。这些技术主要是使在单一像素单元中的二像素电极产生不同的电场。如此一来，不同像素电极上方的液晶分子会呈现不同的排列 (alignment)，以达到改善色偏的目的。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，有助于解决垂直配向式液晶显示器的色偏问题。本专利技术提供一种像素结构，包括一扫描线、一数据线、一第一栅极、一第二栅极、一第三栅极、一半导体层、一源极、一第一漏极、一第二漏极、一第一像素电极以及一第二像素电极。扫描线具有一主线以及一分支。数据线与主线交错。半导体层配置于主线以及分支以分别定义出第一栅极以及第二栅极。源极直接连接数据线。源极配置于半导体层上，且位于第一栅极与第二栅极之间。第一漏极接触半导体层，且第一栅极位于第一漏极以及源极之间。第二漏极接触半导体层，且第二栅极位于第二漏极以及源极之间。第三栅极电性连接扫描线。第一像素电极电性连接第一漏极。第二像素电极电性连接第二漏极。基于上述，本专利技术的像素结构中设置有两个有源元件，且其中一个有源元件具有双栅极而使两个有源元件的特性不同。如此一来，在相同的驱动信号下，同一个像素结构可以呈现不同的显示电压。因此，本专利技术的像素结构应用于垂直配向式液晶显示器时，有助于改善色偏的问题。另外，本专利技术采用既有的材料层制作双栅极有源元件而不会增加制程步骤或是材料成本。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图IA为本专利技术的一实施例的像素结构的俯视示意图。图IB为沿图IA的剖线1-1，的剖面图。图IC为沿图IA的剖线11-11，的剖面图。图2A为本专利技术的一实施例的像素结构中，第一有源元件与第二有源元件的驱动 电压与通道电流的关系趋势图。图2B为本专利技术的一实施例的像素结构中，第一有源元件与第二有源元件的开启 时间与写入电压的关系趋势图。主要附图标记说明10 基板；12 第一绝缘层；14 第二绝缘层； 100 像素结构；110:扫描线；112:主线；114:分支；116:第一栅极；118:第二栅极； 122:数据线；124:源极；126:第一漏极；128 第二漏极； 130 半导体层；142:第三栅极； 144:第一像素电极；146:第二像素电极;210、220、230、240 曲线；B:凸出部；C1、C2、C3、C4 接触开ロ；I-I，、11-11，剖线。具体实施例方式图IA为本专利技术的一实施例的像素结构的俯视示意图。请參照图1A，像素结构100 包括一扫描线110、一第一栅极116、一第二栅极118、一数据线122、一源极124、一第一漏极 126、一第二漏极128、一半导体层130、一第三栅极142、一第一像素电极144以及ー第二像 素电极146。尤其是，扫描线110具有ー主线112以及一分支114，且分支114实质上平行主线 112。数据线122则与主线112交错。半导体层130横跨主线112以及分支114以分别定 义出第一栅极116以及第ニ栅极118。也就是说，第一栅极116与第二栅极118实际上为扫 描线110的一部份。第一栅极116位于第一漏极126以及源极IM之间。第二栅极118位 于第二漏极128以及源极IM之间。具体而言，本实施例的扫描线110具有一凸出部B，且 凸出部B连接于分支114与主线112之间而使第一栅极116以及第ニ栅极118彼此电性连 接。不过，扫描线110的设计并不限于此。在其他实施例中，扫描线110可以具有其他的图 案设计以定义出对应的第一栅极116与第二栅极118。源极IM直接连接数据线122，且位于第一栅极116与第二栅极118之间。具体来 说，源极1 可以是由数据线122所延伸出来的元件，且源极IM例如是位于凸出部B以及 数据线122之间。不过，源极124的图案不限于此，在其他实施例中源极124的图案设计可 以视不同需求而改变。另外，第三栅极142位于源极124与第一漏极1 之间。第一像素 电极144与第二像素电极146分別位于主线112的相对两侧。图IB为沿图IA的剖线1-1’的剖面图。请參照图1B，由剖面来看，像素结构100例如由多个膜层依序地形成于一基板10上所构成，其中这些膜层包括一第一导电层(未示出)、一第一绝缘层12、半导体层130、一第二导电层(未示出)、一第二绝缘层14以及一第三导电层(未示出)。第一导电层(未示出)例如构成扫描线110、第一栅极116以及第二栅极118。第二导电层(未示出)例如构成数据线122、源极124、第一漏极126以及第二漏极128。另外，第三导电层(未示出)则构成第三栅极142、第一像素电极144以及第二像素电极146。在本实施例中，第三栅极142由这些膜层中最远离基板10的一层所构成，因此在剖面图中半导体层130配置于第一栅极116以及第三栅极142之间。值得一提的是，第三栅极142、第一像素电极144以及第二像素电极146是由相同的一材质所构成，且此材质可以是一透明导电材质或是其他的导电材质。所以，第三栅极142的配置不需增加制程成本或是增加额外的制程步骤。此外，源极124、第一漏极126以及第二漏极1 接直接接触半导体层130。如此一来，第一栅极116、第三栅极142、半导体层130、源极124以及第一漏极 126共同构成一第一有源元件TFT1。第二栅极118、半导体层130、源极124以及第二漏极 128则共同构成一第二有源元件TFT2。图IC为沿图IA的剖线11-11，的剖面图。请同时参照图1A、图IB与图1C，在本实施例中，第一绝缘层12具有一第一栅极接触开口 Cl，以局部地暴露扫描线110。第二绝缘层14具有一第二栅极接触开口 C2、一第一漏极接触开口 C3以及一第二漏极接触开口 C4。 第二栅极接触开口 C2对齐第一栅极接触开口 Cl，所以第三栅极142可通过第一栅极接触开口 Cl以及第二栅极接触开口 C2电性连接扫描线110。另外，第一漏极接触开口 C3局部地暴露第一漏极126，而第二漏极接触开口 C4局部地暴露第二漏极128本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种像素结构，包括：一扫描线，具有一主线以及一分支；一半导体层，配置于该主线以及该分支上，以分别定义出一第一栅极以及一第二栅极；一数据线，与该主线交错；一源极，直接连接该数据线，配置于该半导体层上，且位于该第一栅极与该第二栅极之间；一第一漏极，接触该半导体层，且该第一栅极位于该第一漏极以及该源极之间；一第二漏极，接触该半导体层，且该第二栅极位于该第二漏极以及该源极之间；一第三栅极，电性连接该扫描线；一第一像素电极，电性连接该第一漏极；以及一第二像素电极，电性连接该第二漏极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘锦璋，詹建廷，苏国彰，
申请(专利权)人：胜华科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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