显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：基板；半导体层，形成在基板上；有机绝缘层，形成在半导体层上；多条导线，形成在有机绝缘层上。有机绝缘层具有开口槽，所述开口槽形成在所述多条导线之间。

【技术实现步骤摘要】

所描述的技术总体涉及一种。更具体地，所描述的技术总体涉及一种，其用于改善显示装置的性能并抑制在显示装置中产生缺陷。
技术介绍
诸如有机发光二极管(OLED)显示器和液晶显示器(LCD)的大多数平板显示装置使用有机绝缘层和薄膜晶体管。当形成接触孔或将导电层图案化时，有机绝缘层暴露于多个蚀刻工艺。然而，当有机绝缘层暴露于蚀刻工艺(特别是干法蚀刻工艺)时，有机绝缘层的表面粗糙度明显增大。 如果导电层形成在表面粗糙度增大的有机绝缘层上并被图案化，则导电层的导电材料容易留在有机绝缘层的表面上。留在有机绝缘层上的导电材料阻碍导线彼此电绝缘，从而导致短路。
技术介绍
部分公开的上述信息仅是为了强化对所描述的技术的背景的理解，因此，其可包括对本领域普通技术人员来说不形成在本国已知的现有技术的信息。
技术实现思路
示例性实施例提供一种用于防止内部短路的显示装置。另一示例性实施例提供用于制造所述显示装置的方法。根据示例性实施例，所述显示装置包括基板；半导体层，形成在基板上；有机绝缘层，形成在半导体层上；多条导线，形成在有机绝缘层上。有机绝缘层具有开口槽，所述开口槽形成在所述多条导线之间。所述多条导线可彼此分开地设置。所述显示装置还可包括栅极绝缘层，形成在半导体层上；栅极电极，形成在栅极绝缘层上。所述显示装置还可包括设置在有机绝缘层和栅极电极之间的无机绝缘层。无机绝缘层可具有开口槽。有机绝缘层的开口槽和无机绝缘层的开口槽可一起排列以暴露栅极绝缘层或栅极电极。无机绝缘层可包括含有氢的氮化硅膜。半导体层可以是通过图案化多晶硅层形成的。所述多条导线可包括源极电极和漏极电极。所述显示装置还可包括第一电容器电极，形成在基板上；第二电容器电极，形成在栅极绝缘层上。第一电容器电极可与半导体层处于基本相同的高度。第二电容器电极可与源极电极和漏极电极处于基本相同的高度。所述显示装置还可包括像素电极，形成在栅极绝缘层上；有机发射层，形成在像素电极上；共电极，形成在有机发射层上。像素电极可结合到半导体层的漏极区。栅极电极可形成为包括栅极透明层和形成在栅极透明层上的栅极金属层的双层结构。像素电极可由与栅极电极的栅极透明层的材料相同的材料形成在与栅极透明层相同的高度。所述显示装置还可包括像素电极，形成在栅极绝缘层上；液晶层，形成在像素电极上；共电极，形成在液晶层上。像素电极可结合到半导体层的漏极区。根据另一示例性实施例，制造显示装置的方法包括以下步骤准备基板；在基板上形成半导体层；在半导体层上形成有机绝缘层；在有机绝缘层上形成开口槽；在有机绝缘层上形成多条导线。所述多条导线彼此分开地设置，所述开口槽形成在所述多条导线之间。所述制造方法还可包括以下步骤在半导体层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅极电极。所述有机绝缘层被形成在栅极电极上。所述多条导线可包括源极电极和漏极电极。所述制造方法还可包括以下步骤在基板上在与半导体层基本相同的高度形成第一电容器电极，所述多条导线包括形成在与源极电极和漏极电极基本相同的高度处的第二电容器电极。所述制造方法还可包括在栅极电极和有机绝缘层之间形成无机绝缘层的步骤。在有机绝缘层上形成开口槽的步骤还可包括以下步骤在有机绝缘层、无机绝缘层和栅极绝缘层的每层上形成接触孔。有机绝缘层的接触孔、无机绝缘层的接触孔和栅极绝缘层的接触孔可一起排列，以暴露半导体层的一部分。在有机绝缘层、无机绝缘层和栅极绝缘层的每层上形成接触孔的步骤还可包括以下步骤去除有机绝缘层和无机绝缘层的将要形成多个接触孔的部分；利用半色调曝光通过光刻去除有机绝缘层的将要形成所述开口槽的部分的一部分；通过蚀刻工艺去除栅极绝缘层的将形成所述多个接触孔的部分以暴露半导体层；去除有机绝缘层的留在将形成所述开口槽的区域中的部分。形成开口槽的步骤可包括将有机绝缘层和无机绝缘层一起图案化的步骤。无机绝缘层可包括氮化硅膜和氧化硅膜中的至少一种。无机绝缘层可包括利用硅烷、氨和氢通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成的氮化硅膜。所述制造方法还可包括在栅极电极上形成无机绝缘层之后退火的步骤。所述退火可包括在高于250°C的温度执行热处理。根据示例性实施例，所述显示装置可防止内部短路。此外，用于显示装置的薄膜晶体管的半导体层可被有效地退火。此外，可有效地制造所述显示装置。附图说明当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，对本专利技术及其许多附带优点更完整的理解将是容易明白的，且本专利技术及其许多附带优点变得更好理解，附图中，相同的标号表示相同或相似的组件，其中图1是概略地示出根据第一示例性实施例的显示装置的结构的俯视图；图2是示出图1中示出的显示装置的像素区域的布局图；图3是图2中示出的薄膜晶体管、电容器和有机发光二极管的剖视图；图4至图9是顺序示出图2中示出的显示装置的制造工艺的剖视图；图10是示出根据第二示例性实施例的显示装置的结构的剖视图；图11是示出根据第三示例性实施例的显示装置的结构的剖视图。具体实施例方式诸如有机发光二极管(OLED)显示器和液晶显示器(LCD)的大多数平板显示装置使用有机绝缘层和薄膜晶体管。当形成接触孔或将导电层图案化时，有机绝缘层暴露于多个蚀刻工艺。然而，当有机绝缘层暴露于蚀刻工艺(特别是干法蚀刻工艺)时，有机绝缘层的表面粗糙度明显增大。如果导电层形成在表面粗糙度增大的有机绝缘层上并被图案化， 则导电层的导电材料容易留在有机绝缘层的表面上。留在有机绝缘层上的导电材料阻碍导线彼此电绝缘，从而导致短路。在下文中将参照附图更充分地描述本专利技术，在附图中示出了本专利技术的示例性实施例。在全部不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，所描述的实施例可以以各种不同的方式来修改。在整个说明书中，相同的标号表示相同的元件。针对与第一示例性实施例的构造不同的构造来描述除了第一示例性实施例之外的示例性实施例。附图中，元件的尺寸和厚度表现为更好地理解且容易描述，本专利技术不限于此。在附图中，为清晰起见，放大了层和区域的厚度。此外，为容易描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，其可直接在所述另一元件上，或者也可存在中间元件。现在将参照图1、2和3解释根据第一示例性实施例的显示装置101。如图1所示， 显示装置101包括基板111，基板111分为显示区域DA和非显示区域NA。多个像素区域PE 布置在基板111的显示区域DA中以显示图像，一个或更多个驱动电路910和920形成在非显示区域NA上。这里，像素区域PE代表形成像素(显示图像的最小单位)的区域。在第一示例性实施例中，没有必要在非显示区域NA中形成驱动电路910和920两者，可以省略驱动电路910和920中的一个或两个。如图2所示，根据第一示例性实施例的显示装置101是具有两个晶体管-一个电容器(2Tr-lCap)结构的有机发光二极管(OLED)显示器，在该结构中，在每个像素区域PE 中布置有单个OLED 70、两个薄膜晶体管10和20及单个电容器90。然而，第一示例性实施例不限于此。因此，显示装置101可以是具有在每个像素区域PE中布置有至少三个薄膜晶体管和至少两个电容器的结构的OLED显示器。此外，显示装置101可包括额外的连接线， 使得显示装置101具有各种结构。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种显示装置，包括：基板；半导体层，形成在基板上；有机绝缘层，形成在半导体层上，有机绝缘层具有开口槽；多条导线，形成在有机绝缘层上，所述开口槽形成在所述多条导线之间。

【技术特征摘要】
2010.06.09 KR 10-2010-00544071.一种显示装置，包括 基板；半导体层，形成在基板上；有机绝缘层，形成在半导体层上，有机绝缘层具有开口槽；多条导线，形成在有机绝缘层上，所述开口槽形成在所述多条导线之间。2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述多条导线彼此分开地设置。3.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括 栅极绝缘层，形成在半导体层上；栅极电极，形成在栅极绝缘层上。4.如权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在有机绝缘层和栅极电极之间的无机绝缘层。5.如权利要求4所述的显示装置，其中，无机绝缘层具有开口槽，有机绝缘层的开口槽和无机绝缘层的开口槽一起排列以暴露栅极绝缘层或栅极电极。6.如权利要求4所述的显示装置，其中，无机绝缘层包括含有氢的氮化硅膜。7.如权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括像素电极，形成在栅极绝缘层上，像素电极结合到半导体层的漏极区； 有机发射层，形成在像素电极上； 共电极，形成在有机发射层上。8.如权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括像素电极，形成在栅极绝缘层上，像素电极结合到半导体层的漏极区； 液晶层，形成在像素电极上； 共电极，形成在液晶层上。9.如权利要求3所述的显示装置，其中，栅极电极形成为包括栅极透明层和形成在栅极透明层上的栅极金属层的双层结构，像素电极由与栅极电极的栅极透明层的材料相同的材料形成在与栅极透明层相同的高度。10.如权利要求1所述的显示装置，其中，半导体层是通过图案化多晶硅层形成的。11.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述多条导线中的一条导线为连接到半导体层的源极区的源极电极，所述多条导线中的另一条导线为连接到半导体层的漏极区的漏极电极。12.如权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括第一电容器电极，形成在基板上，第一电容器电极与半导体层处于基本相同的高度； 第二电容器电极，形成在栅极绝缘层上，第二电容器电极与源极电极和漏极电极处于基本相同的高度。13.一种制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹圭湜，崔埈厚，崔宝京，文相皓，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR