像素结构与其制造方法技术

本发明专利技术公开一种像素结构与其制造方法，像素结构的制造方法包括下列步骤。在基板上形成栅极以及与栅极连接的扫描线。于基板上形成绝缘层，并且图案化绝缘层以形成对应于栅极的开口。形成栅极绝缘层以覆盖栅极及扫描线。于栅极绝缘层上形成通道层，且通道层位于开口中。于通道层上形成第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层，且第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层位于开口中。在第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层上形成源极、漏极以及与源极连接的数据线。形成第一电极，其中第一电极与漏极电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种像素结构与其制造方法，且特别是涉及一种具有较低的栅极-漏极的寄生电容与栅极-源极的寄生电容的像素结构及其制造方法。
技术介绍
随着现代资讯科技的进步，各种不同规格的显示器已被广泛地应用在消费者电子产品的荧幕之中，例如手机、笔记型电脑、数字相机以及个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)等。在这些显示器中，由于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电激发光显示器(Organic Electro-luminescent Display，OELD或称为OLED)具有轻薄以及消耗功率低的优点，因此在市场中成为主流商品。LCD与OLED的制作工艺包括将半导体元件阵列排列于基板上，而半导体元件包含薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。随着LCD与OLED的分辨率越来越高，单位面积下薄膜晶体管所占的比例也越来越多。也因为薄膜晶体管的栅极与源极以及栅极与漏极之间有部分区域重叠，导致薄膜晶体管的栅极-漏极与栅极-源极的寄生电容(parasitic capacitance，亦即：Cgd与Cgs)相对于储存电容的比例也随之升高。因此，以上述的薄膜晶体管来作为驱动电路中的晶体管时，在信号的传输上往往会产生相当大的电阻电容负载(RC loading)，导致显示器的显示品质下降。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构及其制造方法，其可以避免因高栅极-漏极的寄生电容与高栅极-源极的寄生电容等现象而导致显示器的显示品质下降的问题。本专利技术提供一种像素结构。像素结构包括扫描线、数据线、栅极、绝缘层、栅极绝缘层、通道层、第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、源极、漏极以及第一电极。扫描线以及数据线互相交错设置于基板上。栅极位于基板上
与扫描线电连接。绝缘层位于栅极上且具有开口对应栅极设置。栅极绝缘层位于栅极上。通道层位于栅极绝缘层上，且通道层位于开口中。第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层位于通道层上且设置于开口中。源极位于第一欧姆接触层上，其中源极与数据线电连接。漏极位于第二欧姆接触层上。第一电极位于绝缘层上且与漏极电连接。本专利技术另提供一种像素结构的制造方法，此制造方法包括以下步骤。在基板上形成栅极以及与栅极连接的扫描线。在基板上形成绝缘层，并且图案化绝缘层以形成对应于栅极的开口。形成栅极绝缘层以覆盖栅极及扫描线。在栅极绝缘层上形成通道层，且通道层位于绝缘层开口中。在通道层上形成第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层，且第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层位于绝缘层开口中。在第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层上形成源极、漏极以及与源极连接的数据线。形成第一电极，其中第一电极与漏极电连接。基于上述，由于绝缘层配置于栅极与源极及与源极电连接的数据线以及栅极与漏极及与漏极电连接的第一电极之间，因此可以增加栅极与源极及与源极电连接的数据线以及栅极与漏极及与漏极电连接的第一电极之间的距离，使得栅极-漏极的寄生电容Cgd与栅极-源极的寄生电容Cgs降低，如此一来便可减少电阻电容负载(RC loading)，以确保显示器的显示品质。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明图1A、图2A、图3A、图4A、图5A及图6A为本专利技术一实施例的像素结构的制造方法的流程上视图；图1B、图2B、图3B、图3C、图4B、图5B以及图6B为图1A、图2A、图3A、图4A、图5A及图6A的像素结构的制造方法的沿着剖线AA’的流程剖视图；图7A及图8A为本专利技术另一实施例的像素结构的制造方法的流程上视图；图7B及图8B为图7A及图8A的像素结构的制造方法的沿着剖线AA’的流程剖视图；图9A、图10A、图11A、图12A及图13A为本专利技术另一实施例的像素
结构的制造方法的流程上视图；图9B、图10B、图11B、图12B及图13B为图9A、图10A、图11A、图12A及图13A的像素结构的制造方法的沿着剖线AA’的流程剖视图；图14A及图15A为本专利技术另一实施例的像素结构的制造方法的流程上视图；图14B及图15B为图14A及图15A的像素结构的制造方法的沿着剖线AA’的流程剖视图；图16A、图17A、图18A、图19A、图20A、图21A、图22A为本专利技术一实施例的像素结构的制造方法的流程上视图；图16B、图17B、图18B、图19B、图20B、图21B以及图22B分别为图16A、图17A、图18A、图19A、图20A、图21A及图22A的像素结构的制造方法的沿着剖线AA’的流程剖视图；图23为本专利技术另一实施例的像素结构的上视示意图。符号说明10a、10a’、10b、10b’、20a、20a’、20b、20b’：像素结构100a、100a’、200a：薄膜晶体管110：基版120：栅极130：绝缘层140：栅极绝缘层150a：通道材料层150：通道层160a：欧姆接触材料层160：欧姆接触层161：第一欧姆接触材料层162：第二欧姆接触材料层170：第一电极180：保护层190、190’：第二电极200：图案化光致抗蚀剂层AA’：剖线C1：第一接触窗C2：第二接触窗CL：共用电极线D：漏极DL：数据线O：开口S：源极SL：扫描线W1、W2：宽度具体实施方式图1A、图2A、图3A、图4A、图5A及图6A为本专利技术一实施例的像素结构的制造方法的流程上视图。图1B、图2B、图3B、图3C、图4B、图5B以及图6B分别为图1A、图2A、图3A、图4A、图5A及图6A的像素结构的制造方法的沿着剖线AA’的流程剖视图。请参照图1A与图1B，提供基板110。基板110的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶片、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。在基板110上形成栅极120以及与栅极120连接的扫描线SL。在本实施例中，栅极110以及扫描线SL的制造方法例如是先沉积金属材料层(未绘示)并对其进行图案化制作工艺以形成栅极110以及扫描线SL。上述图案化制作工艺例如是光刻蚀刻制作工艺，但本专利技术不限于此。栅极120以及扫描线SL的材料例如是包含金属、金属氧化物、有机导电材料或上述的组合。请参照图2A与图2B，在基板110上形成绝缘层130，其中绝缘层130的厚度约介于1微米至4微米，但不以此为限。在本实施例中，绝缘层130例如是直接在栅极120上沉积绝缘材料层(未绘示)来形成。绝缘层130的材料例如是包括聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类等无机材料或硅氧烷(Siloxane)等有机材料或其它合适的材料、或上述的组合。接着，以一道图案化制作工艺，对绝缘层130进行图案化以形成暴露出栅极120的开口O，其中沿着扫
描线SL的延伸方向，开口O具有宽度W1。宽度W1约介于5微米至15微米之间，但不以此为限。上述图案化制作工艺例如是光刻蚀刻制作工艺，但本专利技术不限于此。请参照图3A至图3C，在基板110上形成栅极绝缘层140以覆盖栅极120、扫描线SL、绝缘层130以及开口O。在本实施例中，栅极绝缘层140的材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构的制造方法，包括：在一基板上形成一栅极以及与该栅极连接的一扫描线；在该基板上形成一绝缘层，并且图案化该绝缘层以形成对应于该栅极的一开口；形成一栅极绝缘层以覆盖该栅极及该扫描线；在栅极绝缘层上形成一通道层，且该通道层位于该开口中；在该通道层上形成一第一欧姆接触层及一第二欧姆接触层，且该第一欧姆接触层及该第二欧姆接触层位于该开口中；在该第一欧姆接触层及该第二欧姆接触层上形成一源极、一漏极以及与该源极连接的一数据线；以及形成一第一电极，该第一电极与该漏极电连接。

【技术特征摘要】
2016.03.14 TW 1051077201.一种像素结构的制造方法，包括：在一基板上形成一栅极以及与该栅极连接的一扫描线；在该基板上形成一绝缘层，并且图案化该绝缘层以形成对应于该栅极的一开口；形成一栅极绝缘层以覆盖该栅极及该扫描线；在栅极绝缘层上形成一通道层，且该通道层位于该开口中；在该通道层上形成一第一欧姆接触层及一第二欧姆接触层，且该第一欧姆接触层及该第二欧姆接触层位于该开口中；在该第一欧姆接触层及该第二欧姆接触层上形成一源极、一漏极以及与该源极连接的一数据线；以及形成一第一电极，该第一电极与该漏极电连接。2.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其中在形成该栅极之后，依序在该栅极上先形成该绝缘层，接着于该绝缘层中形成该开口以暴露出部分的该栅极，再形成该栅极绝缘层以覆盖该绝缘层及该开口。3.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其中在形成该栅极之后，依序在该栅极上先形成该栅极绝缘层及该通道层，接着形成该绝缘层以覆盖该栅极绝缘层及该通道层，再于该绝缘层中形成该开口以完全暴露出该通道层。4.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其中该源极与部分的该漏极形成于该开口中，且另一部分的该漏极自该开口内朝远离该开口的该绝缘层的一表面延伸。5.如权利要求4所述的像素结构的制造方法，其中部分的该源极与部分的该漏极形成于该开口中，且另一部分的该源极与另一部分的该漏极自该开口内朝远离该开口的该绝缘层的一表面延伸。6.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其中在形成该栅极的步骤中，还包括形成一共用电极线，且在形成该栅极与该共用电极线之后，依序在该栅极上先形成该绝缘层，接着于该绝缘层中形成该开口以暴露出部分的该栅极以及一第一接触窗以暴露出部分的该共用电极线，再形成一第二电极电连接该共用电极线。7.如权利要求6所述的像素结构的制造方法，其中形成该第二电极之后，先形成该栅极绝缘层以覆盖该绝缘层、该开口、该第一接触窗以及该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：张吉和，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71