【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,尤其是一种有机发光二极管ITO电极的制备方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)在实现全彩色平板显示设备中有着巨大的潜力,铟锡氧化物(ITO)被广泛地用作其透明电极,而OLED的光电特性对ITO表面条件非常敏感。目前已有很多种处理ITO表面的方法,来改善其器件性能,如湿法刻蚀、紫外臭氧处理、自组装膜覆层处理、O2等离子处理、CF4等离子体处理等。CF4等离子体处理是至今为止比较有效的办法。在室温条件下分别用Ar、H2、CF4和O2等离子体对ITO表面进行处理,其射频频率13.56MHz,功率600W,压强维持在30Pa,借助现代仪器设备测试可获得经等离子体处理后的材料和器件性能,如AFM(atomic force microscopy)测试可得到表面平整度信息,XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)可分析表面化学组分,UPS(UV photoelectron spectroscopy)可获得材料的功函数,L-V(亮度-电压)曲线可反应器件特性等。然而,CF4等离子体处理有许多缺点,CF4气体不仅 ...
【技术保护点】
一种有机发光二极管ITO电极的制备方法,其特征在于:包括有以下步骤:A、在玻璃基板上均匀涂布ITO膜,分别在去离子水、丙酮、洗涤剂和异丙醇中用超声波清洗,然后用高纯度氮气吹干;B、将上述步骤得到的样品在等离子体增强化学气相沉积设备中利用等离子体的气体N2O或N2处理;C、在ITO膜表面先后旋涂PEDOT‑PSS薄膜层和P‑PPV薄膜层;D、在真空室内通过热蒸发方式在P‑PPV薄膜层上沉积Al阴极。
【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管ITO电极的制备方法,其特征在于:包括有以下步骤:A、在玻璃基板上均匀涂布ITO膜,分别在去离子水、丙酮、洗涤剂和异丙醇中用超声波清洗,然后用高纯度氮气吹干;B、将上述步骤得到的样品在等离子体增强化学气相沉积设备中利用等离子体的气体N2O或N2处理;C、在ITO膜表面先后旋涂PEDOT-PSS薄膜层和P-PPV薄膜层;D、在真空室内通过热蒸发方式在P-PPV薄膜层上沉积Al阴极。2.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管ITO电极的制备方法,其特征在于:所述步骤A中,ITO膜的厚度为150nm,表面电阻率为18-20Ω/□。3.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管ITO电极的制备方法,其特征在于:所述步骤A中,涂布ITO膜的玻璃基板分别在去离子水、丙酮、洗涤剂和异丙醇中用超声波清洗10分钟。4.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管...
【专利技术属性】
技术研发人员:何苗,黄波,陈雪芳,刘翠,郑树文,李述体,
申请(专利权)人:华南师范大学,
类型:发明
国别省市:广东;44
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