透明电极复合体制造技术

本发明专利技术涉及一种透明电极复合体包含：透明电极层；聚硅氧烷类高分子层，形成于所述透明电极层上，对水的接触角为60°以上；及光敏树脂层，形成于所述聚硅氧烷类高分子层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本申请要求于2014年07月08日提交韩国特许厅，申请号为10-2014-0085142的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本专利技术涉及一种透明电极复合体。
技术介绍
透明电极膜被定义为对可见光透明并具有导电性的薄膜，用于等离子显示面板、液晶显示元件、发光二极管元件、有机电子发光元件、触控面板、太阳能电池等多种领域。这种透明电极膜的制造方法广泛使用如下方法：在PET膜等基材上放置干膜阻焊剂，并按曝光、显影及蚀刻的工艺顺序制造形成有预定图案的电极。但是，使用干膜阻焊剂时，存在难以实现线宽40μm以下的局限性，为消除此局限性，使用了在导电性基材上涂布光阻剂，并进行曝光及显影以制造透明电极膜的方法。如此制造的透明电极膜在所述导电性基材和光阻层之间形成预定保护层，已知保护层对所述导电性基材及光阻层所具有的结合力不仅要大，还要具有低电阻值，而且相邻层之间的界面电阻也应达到较低水平。
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的在于提供一种透明电极复合体，其各层之间具有高结合力且具有低的片电阻(sheetresistance)及界面电阻，同时通过简化步骤还能够具有高集成度或是形成超微细化图案。技术方案本专利技术可提供一种透明电极复合体包含：透明电极层，包含选自导电性高分子、碳纳米管、石墨烯、纳米银线(AgNw)、纳米铜颗粒、氧化铟锡(IndiumTinOxide)及氧化锡锑(AntimonyTinoxide)中的一种以上的化合物；聚硅氧烷类高分子层，形成于所述透明电极层上，对水的接触角为60°以上；及光敏树脂层，形成于所述聚硅氧烷类高分子层上。以下，进一步详细说明具体示例性实施方案的透明电极复合体。本专利技术的本专利技术人们通过实验了解到经溶胶-凝胶反应形成于透明电极层上的聚硅氧烷类高分子层，即使不进行其他后续处理也具有高疏水性，而且对光敏树脂层也能够确保高涂覆性及附着性，从而完成了专利技术。具体地，在所述透明电极上涂布包含硅氧烷类单体的溶胶-凝胶反应溶液，并在50℃以上或者100℃以上的温度下进行反应或者干燥，就能够形成具有疏水性表面的聚硅氧烷类高分子层，这种聚硅氧烷类高分子层对光敏高分子树脂组合物可具有高涂覆性及附着性。因此，对由所述光敏高分子树脂组合物形成的光敏树脂层进行曝光及显影的过程中，可容易形成更微细化的图案。具体地，所述聚硅氧烷类高分子层对水的接触角可为60°以上或者65°至90°。而且，如上所述，所述聚硅氧烷类高分子层可通过在所述透明电极上涂布包含硅氧烷类单体的溶胶-凝胶反应溶液，并在50℃以上或者100℃以上、50℃至200℃的温度下反应或者干燥而成。所述聚硅氧烷类高分子层可包含选自烷氧基硅烷类单体、氨基硅烷类单体、乙烯基硅烷类单体、环氧基硅烷类单体、甲基丙烯酰氧基硅烷类(methacryloxysilane)单体、异氰酸酯基硅烷类(isocyanatesilane)单体及氟硅烷类单体中的一种聚合物或者两种以上共聚物。具体地，所述聚硅氧烷类高分子层可包含选自四乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-脲丙基三乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、聚环氧乙烷改性硅烷单体、聚甲基乙氧基硅氧烷(polymethylethoxysiloxane)及六甲基二硅氮烷(Hexamethyldisilazane)中的一种聚合物或者两种以上共聚物。为了确保所述聚硅氧烷类高分子层对相邻另一层具有更高的结合力或者粘附力且具有低的片电阻，所述聚硅氧烷类高分子层可包含60至90重量％的四乙氧基硅烷；及10至40重量％的选自乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-脲丙基三乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、聚环氧乙烷改性硅烷单体、聚甲基乙氧基硅氧烷、六甲基二硅氮烷中的一种以上的化合物；这些化合物的共聚物。用于合成包含在所述聚硅氧烷类高分子层的共聚物的单体中，四乙氧基硅烷的含量若低于60重量％，则所述聚硅氧烷类高分子层的片电阻可能会显著增加。而且，用于合成包含在所述聚硅氧烷类高分子层的共聚物的单体中，四乙氧基硅烷的含量若超过90重量％，则所述聚硅氧烷类高分子层的密度会变得过高或者可能会产生表面碎裂的现象，耐水性会显著降低。包含所述聚硅氧烷类高分子层的所述透明电极复合体，于形成所述光敏树脂层前，在没有进一步赋予疏水性的情况下，可维持高涂覆性及附着性，因此可在所述光敏树脂层形成更微细化的图案。所述聚硅氧烷类高分子层的厚度可为0.050μm至0.300μm或者0.120μm至0.200μm。而且，所述聚硅氧烷类高分子层的片电阻可为80Ω/sq至400Ω/sq或者150Ω/sq至280Ω/sq。另外，所述透明电极层可包含已知可用于透明电极的各种材料，具体可包含选自导电性高分子、碳纳米管、石墨烯、纳米银线(AgNw)、纳米铜颗粒、氧化铟锡(IndiumTinOxide)及氧化锡锑(AntimonyTinOxide)中的一种以上的化合物。所述导电性高分子可以使用已知可用于透明电极的高分子，所述导电性高分子具体可包含选自聚苯胺类高分子、聚吡咯类高分子、聚噻吩类高分子及其衍生物中的一种以上，具体也可以使用聚3,4-二氧乙基噻吩:聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS，Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):Polystyrenesulfonate)。所述透明电极层的厚度可为0.20μm至3.00μm或者0.30μm至1.0μm。当所述透明电极层的厚度变得过薄，则有效片电阻也会大大降低，从而可能导致薄层电阻不均匀，当所述透明电极层的厚度变得过厚，则透明度或光学特性会降低。另外，所述透明电极层的片电阻可为80Ω/sq至400Ω/sq或者150Ω/sq至280Ω/sq。如上所述，由于所述聚硅氧烷类高分子层的固有特性，所述光敏树脂层可以均匀且坚固地结合于所述聚硅氧烷类高分子层，如此一来，在所述光敏树脂层上可以形成更微细化的图案。为了形成所述光敏树脂层，可以使用公知的光敏树脂组合物或者光阻剂组合物，所述光敏树脂层具体可以由包含碱溶性树脂的正型光阻剂组合物，或者包含具有一个以上反应性官能基的单体或寡聚物及光引发剂的负型光阻剂组合物所形成，优选可以由正型光阻剂组合物形成。所述光敏树脂层的厚度可为1μm至5μm或者2μm至4μm。若所述光敏树脂层的厚度太薄，则在曝光、显影及蚀刻过程中所述光敏树脂层及/或聚硅氧烷类高分子层上会产生斑点或外形损坏，从而出现白浊现象。若所述光敏树脂层的厚度太厚，则由于不易曝光而导致显影不充分或者线宽不一致。另外，所述电极膜还可以包含脱模本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明电极复合体，包含：透明电极层，包含选自导电性高分子、碳纳米管、石墨烯、纳米银线、纳米铜颗粒、氧化铟锡及氧化锡锑中的一种以上的化合物；聚硅氧烷类高分子层，形成于所述透明电极层上，对水的接触角为60°以上；及光敏树脂层，形成于所述聚硅氧烷类高分子层上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.08 KR 10-2014-00851421.一种透明电极复合体，包含：透明电极层，包含选自导电性高分子、碳纳米管、石墨烯、纳米银线、纳米铜颗粒、氧化铟锡及氧化锡锑中的一种以上的化合物；聚硅氧烷类高分子层，形成于所述透明电极层上，对水的接触角为60°以上；及光敏树脂层，形成于所述聚硅氧烷类高分子层上。2.根据权利要求1所述的透明电极复合体，其中，所述聚硅氧烷类高分子层包含60至90重量％的四乙氧基硅烷；及10至40重量％的选自乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-脲丙基三乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、聚环氧乙烷改性硅烷单体、聚甲基乙氧基硅氧烷、六甲基二硅氮烷中的一种以上的化合物；这些化合物的共聚物。3.根据权利要求1所述的透明电极复合体，其中，所述聚硅氧烷类高分子层对水的接触角为65°至...

【专利技术属性】
技术研发人员：李政烈，裴珉英，李承埈，边滋勋，安民石，车荣哲，洪宇成，朴圣然，郑载勋，金东敏，
申请(专利权)人：东进世美肯株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR