透明电极的形成方法及透明电极层压体技术

本发明专利技术涉及一种可以更稳定地形成具有微细的线宽且纵横比较大的透明电极图案的透明电极的形成方法及由此形成的透明电极层压体。所述透明电极的形成方法，包括以下步骤：将包含选自导电性聚合物、导电性碳系材料、金属纳米结构物及导电性金属氧化物中的一种以上导电性物质的透明电极层形成于基板上；将包含选自聚硅氧烷系聚合物、丙烯酸系聚合物及胺基甲酸酯系聚合物中的一种以上聚合物的保护层形成于所述透明电极层上；将光阻图案形成于所述保护层上；以及对所述光阻图案所露出之区域的保护层及透明电极层用氧化剂进行表面处理，以使所述透明电极层非导电化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种可以更稳定地形成具有更微细的线宽且纵横比(aspectratio)较大的透明电极图案的透明电极的形成方法，以及由此方法形成的透明电极层压体。
技术介绍
透明电极被定义为对可见光透明且具有导电性的薄膜，用于等离子显示面板、液晶显示元件、发光二极管元件、有机电子发光元件、触控面板、太阳电池等诸多领域。近来，随着各种元件或者触控面板被超微细化及高灵敏化的趋势，需要形成具有更微细的线宽且纵横比较大的透明电极图案，例如具有更薄的线宽及具有较大高度的线条与间隙(lineandspace)形状的透明电极图案。以往，将透明导电性物质形成于基板上后，通过使用光阻图案的包含曝光、显影及蚀刻的光刻工艺(photolithography)，对所述透明导电性物质进行蚀刻及图案化，通常以此方法形成具有线条与间隙形状等的透明电极图案。然而，依靠这种已知方法时，由于将光阻图案作为光罩的蚀刻工艺的边界等，出现了具有微细线宽的透明电极图案的上部或下部受到损伤等问题，因而有时难以形成具有优秀导电性的透明电极图案。这些问题在透明电极图案具有更微细的线宽以及具有更大纵横比时更为显著，甚至还会出现透明电极图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明电极的形成方法，包括以下步骤：将包含选自导电性聚合物、导电性碳系材料、金属纳米结构物及导电性金属氧化物中的一种以上导电性物质的透明电极层形成于基板上；将包含选自聚硅氧烷系聚合物、丙烯酸系聚合物及胺基甲酸酯系聚合物中的一种以上聚合物的保护层形成于所述透明电极层上；将光阻图案形成于所述保护层上；以及对所述光阻图案所露出之区域的保护层及透明电极层用氧化剂进行表面处理，以使所述透明电极层非导电化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.13 KR 10-2014-01053101.一种透明电极的形成方法，包括以下步骤：将包含选自导电性聚合物、导电性碳系材料、金属纳米结构物及导电性金属氧化物中的一种以上导电性物质的透明电极层形成于基板上；将包含选自聚硅氧烷系聚合物、丙烯酸系聚合物及胺基甲酸酯系聚合物中的一种以上聚合物的保护层形成于所述透明电极层上；将光阻图案形成于所述保护层上；以及对所述光阻图案所露出之区域的保护层及透明电极层用氧化剂进行表面处理，以使所述透明电极层非导电化。2.根据权利要求1所述的透明电极的形成方法，其中，所述导电性物质为选自聚苯胺系聚合物、聚吡咯系聚合物、聚噻吩系聚合物、碳纳米管、石墨烯、纳米银线、铜纳米粒子、氧化铟锡及氧化锑锡中的一种以上物质。3.根据权利要求1所述的透明电极的形成方法，其中，所述聚硅氧烷系聚合物包含60重量％至90重量％的四乙氧基硅烷和10重量％至40重量％的选自乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、γ-胺丙基三乙氧基硅烷、N-β-(胺乙基)-γ-胺丙基三甲氧基硅烷、γ-脲丙基三乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、聚氧化乙烯改性硅烷单体、聚甲基乙氧基硅氧烷及六甲基二硅氮烷中的一种以上化合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：李政烈，安民石，边滋勋，李承埈，车荣哲，洪宇成，朴圣然，郑载勋，裵珉英，金东敏，
申请(专利权)人：株式会社东进世美肯，
类型：发明
国别省市：韩国;KR