长寿命高可靠性透明导电薄膜制造技术

本实用新型专利技术提供一种防止柔性透明基底内的水分、气体逸出，保证透明导电薄膜使用性能和使用寿命的长寿命高可靠性透明导电薄膜，它是在柔性基底一侧的凹凸不平的表面上具有SiO2薄膜层，在SiO2薄膜层上具有透明导电层。由于SiO2薄膜层与柔性基底的紧密结合，对水分与气体的外泄起到了阻隔的作用，减缓或阻止了柔性透明基底内含水分与气体的逸出，有效降低了水分与气体对表面透明导电层的腐蚀作用，保证了透明导电薄膜的使用寿命和使用性能。同时，由于该致密的SiO2薄膜层与柔性基底的紧密结合，提高了沉积薄膜的附着性能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种柔性透明导电薄膜。
技术介绍
柔性透明导电薄膜由于其特有的柔性、轻薄、高透射率等特性，广泛应用于柔性显示、薄膜太阳能电池、智能窗膜、触摸屏等领域。柔性透明导电薄膜一般包括柔性透明基底和通过磁控溅射附着在柔性透明基底上的透明导电层。由于柔性透明基底内不可避免地存在一定数量的水分、气体。在透明导电层在的磁控溅射沉积镀膜过程中，柔性透明基底内的水分、气体由于高真空的作用不断挥发出来，从而对透明导电层的沉积过程、沉积质量产生影响。另外，在柔性透明导电薄膜使用过程中，随着时间的推移，柔性透明基底内仍残留的水分、气体也将逐渐逸出来，对表面透明导电层起到腐蚀作用，轻者使导电层性能发生变化。重者，影响导电层的附着力。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种防止柔性透明基底内的水分、气体逸出，保证透明导电薄膜使用性能和使用寿命的长寿命高可靠性透明导电薄膜。本技术的长寿命高可靠性透明导电薄膜，是在柔性基底一侧的凹凸不平的表面上具有SiO2薄膜层，在SiO2薄膜层上具有透明导电层。本透明导电薄膜的有益效果：该SiO2薄膜层与柔性基底的紧密结合，对水分与气体的外泄起到了阻隔的作用，减缓或阻止了柔性透明基底内含水分与气体的逸出，有效降低了水分与气体对表面透明导电层的腐蚀作用，保证了透明导电薄膜的使用寿命和使用性能。由于该致密的SiO2薄膜层与柔性基底的紧密结合，提高了沉积薄膜的附着性能。上述的长寿命高可靠性透明导电薄膜，柔性基底凹凸不平表面的凹处最深为0.8-1.2nm。上述的长寿命高可靠性透明导电薄膜，柔性基底为PET层，透明导电层为AZO层。上述的长寿命高可靠性透明导电薄膜，柔性基底一侧的凹凸不平的表面是通过辉光放电得到的。辉光放电操作简单，容易控制。上述的长寿命高可靠性透明导电薄膜，透明导电层厚度为20-30nm。本技术同时提供了一种长寿命高可靠性透明导电薄膜的制备方法，该方法制备的透明导电薄膜，透明导电层沉积的质量较高，形成薄膜厚度一致性较好，同时能够保证透明导电薄膜使用性能和使用寿命。本技术所述的长寿命高可靠性透明导电薄膜的制备方法，是对柔性基底的一侧表面进行辉光放电处理，使得柔性基底一侧表面形成凹凸不平状；通过反应磁控溅射将Si材料在凹凸不平的柔性基底一侧表面形成SiO2薄膜层；将透明导材料通过磁控溅射在SiO2薄膜层上。本制备方法的有益效果：由于在溅射导电层时，柔性基底上已经附着了SiO2薄膜层，致密的SiO2薄膜层起到了阻隔的作用，降低或阻止了柔性透明基底内含水分与气体的外泄，所以能够提高透明导电层沉积的质量，形成薄膜厚度一致性较好。上述的长寿命高可靠性透明导电薄膜的制备方法，对柔性基底表面进行辉光放电处理时，氧气流量50sccm，氩气流量350sccm，功率2KW/cm2，真空度达到4*10-3torr，处理时间10-20秒。采用辉光放电对柔性基底表面进行处理，方法简单可控，使得柔性基底表面形成0.8-1.2nm深的连续凹槽。上述的长寿命高可靠性透明导电薄膜的制备方法，对Si进行磁控溅射时，氩气流量500sccm，磁控溅射功率12.0KW/cm2，引入的氧气流量为12sccm，溅射时间10-20秒。上述的长寿命高可靠性透明导电薄膜的制备方法，对透明导材料磁控溅射时，氧气流量2sccm，氩气流量450sccm，磁控溅射功率5.0KW/cm2。附图说明图1是长寿命高可靠性透明导电薄膜的示意图。具体实施方式参见图1所示的长寿命高可靠性透明导电薄膜，在PET柔性基底1一侧的凹凸不平的表面上具有SiO2薄膜层2，在SiO2薄膜层上具有透明导电AZO层3。柔性基底凹凸不平表面的凹处最深约为1nm。该长寿命高可靠性透明导电薄膜的制备方法是对PET柔性透明基底材料表面电离辉光处理，形成无数的微观凹槽；再将Si材料通过常温磁控溅射在柔性透明基底材料表面的凹槽及基底表面形成一薄层透明SiO2，依次将透明导材料（TCO）常温磁控溅射在上述形成的透明SiO2层面上。具体处理方法如下：对PET柔性透明基底材料表面辉光放电离处理，氧气流量50sccm、氩气流量350sccm、功率2KW/cm2，真空度达到4*10-3torr，处理时间10-20秒；在柔性基底表面形成深约1nm的无数的微观凹槽。在独立的磁控溅射舱内，以Si靶为阴极，柔性透明基底为阳极，氩气流量500sccm、磁控溅射功率12.0KW/cm2，通过Ar+轰击Si靶，溅射出的Si向基底运动；同时引入氧气流量为12sccm，使高速运动的Si原子与氧碰撞结合，形成短暂高温的SiO2分子撞击在处理后的柔性透明基底材料表面凹槽内，溅射时间10-20秒，并逐渐形成一层致密的SiO2薄膜。在独立的磁控溅射舱内，以AZO靶为阴极，柔性透明基底为阳极，氧气流量2sccm、氩气流量450sccm、磁控溅射功率5.0KW/cm2，通过Ar+轰击AZO靶，并向基底运动，在SiO2薄膜层上沉积形成一20-30nm的透明导电层。本技术的优点：1、该致密的SiO2薄膜层与柔性基底的紧密结合，对柔性透明基底内含水分与气体的外泄起到了阻隔的作用。2、由于致密的SiO2薄膜层阻隔的作用，降低或阻止柔性透明基底内含水分与气体的外泄，提高了透明导电层沉积的质量，形成薄膜厚度一致性较好。3、由于该致密的SiO2薄膜层与柔性基底的紧密结合，提高了沉积薄膜的附着性能。4、本技术改变了柔性透明基底表面形貌、材料成分，提高了表面透明导电层质量，延长了使用寿命。本文档来自技高网...

【技术保护点】
长寿命高可靠性透明导电薄膜，其特征是：在柔性基底一侧的凹凸不平的表面上具有SiO2薄膜层，在SiO2薄膜层上具有透明导电层。

【技术特征摘要】
1.长寿命高可靠性透明导电薄膜，其特征是：在柔性基底一侧的凹凸不平的表面上具有SiO2薄膜层，在SiO2薄膜层上具有透明导电层。2.如权利要求1所述的长寿命高可靠性透明导电薄膜，其特征是：柔性基底凹凸不平表面的凹处最深为0.8-1.2nm。3.如权利要求1所述的长寿命高可...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鲁南，朱丽萍，叶志镇，李锺允，朴勝一，全武贤，朴翰镇，王建华，窦立峰，
申请(专利权)人：南京汇金锦元光电材料有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32