像素结构与其制造方法技术

一种像素结构包含栅极、栅极介电层、硅通道层、源极硅欧姆接触层、漏极硅欧姆接触层、源极辅助欧姆接触层、漏极辅助欧姆接触层、透明导电部、透明像素电极、源极与漏极。栅极介电层覆盖栅极。硅通道层置于栅极介电层上，且置于栅极上方。源极硅欧姆接触层与漏极硅欧姆接触层分开设置于硅通道层上。源极辅助欧姆接触层、透明导电部与源极依序置于源极硅欧姆接触层上。漏极辅助欧姆接触层置于漏极硅欧姆接触层上。至少部分透明像素电极置于漏极辅助欧姆接触层上。漏极置于透明像素电极上，并置于漏极辅助欧姆接触层上方。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种像素结构包含栅极、栅极介电层、硅通道层、源极硅欧姆接触层、漏极硅欧姆接触层、源极辅助欧姆接触层、漏极辅助欧姆接触层、透明导电部、透明像素电极、源极与漏极。栅极介电层覆盖栅极。硅通道层置于栅极介电层上，且置于栅极上方。源极硅欧姆接触层与漏极硅欧姆接触层分开设置于硅通道层上。源极辅助欧姆接触层、透明导电部与源极依序置于源极硅欧姆接触层上。漏极辅助欧姆接触层置于漏极硅欧姆接触层上。至少部分透明像素电极置于漏极辅助欧姆接触层上。漏极置于透明像素电极上，并置于漏极辅助欧姆接触层上方。【专利说明】【
】本专利技术是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种节省光罩的像素结构。【
技术介绍
】基于显示面板的普遍化与大众化，在半导体业界中无不寻求高显示品质与降低制程成本考量的方法。在显示装置的制造过程当中，其像素结构可使用多道光罩以定义出欲沉积或去除的区域，以形成图案化层状结构。其中，如何降低硅半通道层跟透明导电电极之间电阻，增进显示品质，为目前业界亟需解决的问题之一。另外，因显示装置是经过重复多道光罩制程而制成，因此减光罩技术对于改善显示装置的制造而言为有效的方法之一。然而如何降低光罩的使用次数，直接减少制造成本，为目前业界亟需解决的问题之一。【
技术实现思路
】本专利技术提供一种可节省光罩的像素结构。本专利技术的一态样提供一种像素结构，置于基板上。像素结构包含栅极、栅极介电层、硅通道层、源极硅欧姆接触层、漏极硅欧姆接触层、源极辅助欧姆接触层、漏极辅助欧姆接触层、透明导电部、透明像素电极、源极与漏极。栅极置于基板上。栅极介电层覆盖栅极与基板。硅通道层置于栅极介电层上，且置于栅极上方。源极硅欧姆接触层与漏极硅欧姆接触层分开设置于硅通道层上。源极辅助欧姆接触层与漏极辅助欧姆接触层分别置于源极硅欧姆接触层与漏极硅欧姆接触层上。透明导电部置于源极辅助欧姆接触层上。至少部分透明像素电极置于漏极辅助欧姆接触层上。源极置于透明导电部上。漏极置于透明像素电极上，并置于漏极辅助欧姆接触层上方。在一或多个实施方式中，源极辅助欧姆接触层与漏极辅助欧姆接触层的材质为金属。在一或多个实施方式中，硅通道层的材质为非晶硅、微晶硅、多晶硅或磊晶硅。在一或多个实施方式中，源极硅欧姆接触层与漏极硅欧姆接触层的材质为N型掺杂硅。在一或多个实施方式中，像素结构更包含栅极线与数据线。栅极线置于基板与栅极介电层之间，并电性连接栅极。数据线置于栅极介电层上并电性连接源极。在一或多个实施方式中，像素结构，更包含保护层与共通电极。保护层至少覆盖源极、漏极、硅通道层与透明像素电极。共通电极置于保护层上。共通电极与透明像素电极重叠，且共通电极具有多个开口。在一或多个实施方式中，像素结构，更包含共通电极，置于基板与栅极介电层之间，并置于透明像素电极的下方，且共通电极与透明像素电极重叠。 在一或多个实施方式中，透明像素电极具有多个开口。 本专利技术的另一态样提供一种像素结构，置于基板上。像素结构包含栅极、栅极介电层、硅通道层、源极硅欧姆接触层、漏极硅欧姆接触层、源极辅助欧姆接触层、漏极辅助欧姆接触层、透明导电部、透明像素电极、源极、漏极与共通电极。栅极置于基板上。栅极介电层覆盖栅极与基板。硅通道层置于栅极介电层上，且置于栅极上方。源极硅欧姆接触层与漏极硅欧姆接触层分开设置于硅通道层上。源极辅助欧姆接触层与漏极辅助欧姆接触层分别置于源极硅欧姆接触层与漏极硅欧姆接触层上。透明导电部置于源极辅助欧姆接触层上。至少部分透明像素电极置于漏极辅助欧姆接触层上。源极置于透明导电部上。漏极置于透明像素电极上，并置于漏极辅助欧姆接触层上方。共通电极置于基板上，且共通电极与透明像素电极重叠。本专利技术的再一态样提供一种像素结构的制造方法包含下列步骤。于基板上形成栅极。依序形成栅极介电层、硅半导体层、硅欧姆接触层与辅助欧姆接触层覆盖栅极与基板。依序去除部分的辅助欧姆接触层、硅欧姆接触层与硅半导体层，以在栅极上方形成图案化辅助欧姆接触层、图案化硅欧姆接触层与硅通道层。依序形成透明导电材料层与金属层覆盖栅极介电层与图案化辅助欧姆接触层。去除部分的金属层，以分别于图案化辅助欧姆接触层上方形成互相分离的源极与漏极，并去除部分的透明导电材料层，以形成互相分离的透明像素电极与透明导电部，至少部分的透明像素电极形成于漏极与图案化辅助欧姆接触层之间，且透明导电部形成于源极与图案化辅助欧姆接触层之间。去除部分的图案化辅助欧姆接触层，以分别形成源极辅助欧姆接触层与漏极辅助欧姆接触层于源极与漏极下方。去除部分的图案化硅欧姆接触层，以分别形成源极硅欧姆接触层与漏极硅欧姆接触层于源极辅助欧姆接触层与漏极辅助欧姆接触层下方。在一或多个实施方式中，去除部分的金属层与透明导电材料层的步骤包含下列步骤。形成光阻层覆盖金属层。以半色调光罩制程使光阻层图案化，形成图案化光阻层。以图案化光阻层为罩幕，去除暴露的金属层以及暴露部分的金属层下方的部分透明导电材料层，以形成源极、透明导电部与透明像素电极。去除另一部分的光阻层，以暴露另一部分的金属层。以剩下的图案化光阻层为罩幕，去除另一部分的金属层，以形成漏极，并暴露透明像素电极。在一或多个实施方式中，辅助欧姆接触层的材质为金属。在一或多个实施方式中，硅欧姆接触层的材质为N型掺杂硅。在一或多个实施方式中，制造方法更包含下列步骤。形成栅极线于基板与栅极介电层之间。形成数据线于栅极介电层上。在一或多个实施方式中，制造方法更包含下列步骤。形成栅极垫于基板与栅极介电层之间。形成数据垫于栅极介电层上。形成保护层以至少覆盖源极、漏极、硅通道层、透明像素电极与数据垫。形成第一通孔于保护层中，以暴露至少部分的数据垫。形成第二通孔于保护层中，并形成第三通孔于栅极介电层中，第二通孔与第三通孔一并暴露出至少部分的栅极垫。形成电极层于保护层上，且电极层借由第一通孔而电性连接数据垫、借由第二通孔与第三通孔而电性连接栅极垫。图案化电极层，以于透明像素电极上方形成共通电极，于栅极垫上方形成栅极接触垫，以及于数据垫上方形成数据接触垫。在一或多个实施方式中，图案化该电极层更包含形成多个开口于共通电极中。在一或多个实施方式中，制造方法更包含下列步骤。形成共通电极于基板与栅极介电层之间。 在一或多个实施方式中，制造方法更包含形成多个开口于透明像素电极中。在上述实施方式中，透明像素电极直接电性连接漏极，因此就不需在漏极与透明像素电极之间以贯穿(via)结构作电性连接，可减少光罩的使用量。另外漏极辅助欧姆接触层能够减少漏极硅欧姆接触层与透明像素电极之间的电阻，使得漏极硅欧姆接触层与透明像素电极能够具有良好的电性连接。且漏极辅助欧姆接触层的形成可不需加入额外光罩制程，因此亦不增加光罩成本。【【专利附图】【附图说明】】图1~9绘示依照本专利技术第一实施方式的像素结构的制造流程剖面图。 图10绘示依照本专利技术第一实施方式的像素结构的俯视示意图。 图11~20绘示依照本专利技术第二实施方式的像素结构的制造流程剖面图。 图21绘示依照本专利技术第二实施方式的像素结构的俯视示意图。 图22~30绘示依照本专利技术第三实施方式的像素结构的制造流程剖面图。 图31绘示依照本专利技术第三实施方式的像素结构的俯视示意图。 【符号说明】100:基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，置于一基板上，该像素结构包含：一栅极，置于该基板上；一栅极介电层，覆盖该栅极与该基板；一硅通道层，置于该栅极介电层上，且置于该栅极上方；一源极硅欧姆接触层与一漏极硅欧姆接触层，分开设置于该硅通道层上；一源极辅助欧姆接触层与一漏极辅助欧姆接触层，分别置于该源极硅欧姆接触层与该漏极硅欧姆接触层上；一透明导电部，置于该源极辅助欧姆接触层上；一透明像素电极，至少部分该透明像素电极置于该漏极辅助欧姆接触层上；一源极，置于该透明导电部上；以及一漏极，置于该透明像素电极上，并置于该漏极辅助欧姆接触层上方。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐文义，陈茂松，黄国有，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71